ON安森美模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：1N5821RLG 编号：C9119

封装：DO-201AD

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何形状具有铬势垒金属、带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：MJD44H11-1G 编号：C5439

封装：TO-251(IPAK)

品牌：onsemi(安森美)

设计用于通用电源和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

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型号：MBRD1035CTLT4G 编号：C15093

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

采用肖特基势垒原理，应用于大面积金属-硅功率二极管。先进的几何结构采用外延结构，具有氧化物钝化和金属覆盖层接触。非常适合低压、高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。

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型号：MBRS3201T3G 编号：C236150

封装：SMC

品牌：onsemi(安森美)

特性：正向电压低于任何超快整流器：在150°C时VF < 0.59V。快速开关速度：反向恢复时间（tRR）< 35 ns。软恢复特性：软度因子（tb / ta）≥ 1。高温下高度稳定。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR）且符合RoHS标准。应用：发动机和便利控制系统。电机控制

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型号：FDMS8333L 编号：C330165

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC-DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

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型号：NCV317BD2TR4G 编号：C233202

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

超高PSRR

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型号：NRVTSS5100ET3G 编号：C556398

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：精细光刻沟槽式肖特基技术，实现极低正向电压和低泄漏。快速开关，具有出色的温度稳定性。低功耗和较低的工作温度。更高的效率，以符合法规要求。高浪涌能力。 NRV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。应用：开关电源，包括无线、智能手机和笔记本电脑适配器。高频和 DC-DC 转换器

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型号：NCP1031MNTXG 编号：C603438

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP1031是一款高集成度微型高压单片开关调节器,适用于48V电信和42V汽车应用。该系列器件可在任何单端拓扑中配置,如正激式或反激式。NCP1031适用于最大6W的应用。

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型号：74LVX3245MTCX 编号：C6135

封装：TSSOP-24

品牌：onsemi(安森美)

LVX3245是一款双电源8位电平转换收发器，专为在3V/5V混合电源环境中实现3V总线与5V总线之间的接口连接而设计。发送/接收（T/R）输入引脚决定数据的流向。发送（高电平有效）使数据从A端口传输到B端口；接收（低电平有效）使数据从B端口传输到A端口

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型号：MJE13007G 编号：C897088

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

MJE/MJF13007 针对下降时间至关重要的高电压、高速电源开关直感电路而设计。此类器件适用于开关稳压器、逆变器、电机控制、电磁阀/继电器驱动器和反射电路等 115 和 220 V 开关模式应用。

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型号：FDD3682 编号：C258218

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

N沟道 100V 32A

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型号：RHRP8120-F102 编号：C898828

封装：TO-220-2

品牌：onsemi(安森美)

RHRP8120 是一款具有软恢复特性的极快速二极管。它具有超快速二极管的半恢复时间，采用氮化硅钝化离子注入外延平面结构。此类器件适合用作续流/箝位二极管，以及各种开关电源和其他电源开关应用中的二极管。其低存储电荷和极快速软恢复最大程度减少了多种电源开关电路中的振铃和电子干扰，降低了开关晶体管内的功耗。

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型号：FDS3672 编号：C274238

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，100V，7.5A，22mΩ

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型号：NTMFS015N10MCLT1G 编号：C900259

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。适用于初级DC-DC MOSFET。适用于DC-DC和AC-DC中的同步整流器。适用于电机驱动。这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

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型号：FDS2582 编号：C455164

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

N 沟道，PowerTrench MOSFET，150 V，4.1 A，66mΩ

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型号：FDB28N30TM 编号：C241751

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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型号：NVMFS5C673NLAFT1G 编号：C606161

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

适用于紧凑和高效设计的汽车用功率 MOSFET，安装在 5x6mm 扁平引线封装中且具有较高的热性能。可用于增强光学检测的可润湿侧翼选项。AEC-Q101 认证 MOSFET 且具备生产件批准程序(PPAP) 功能，适用于汽车应用。

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型号：MURB1620CTT4G 编号：C236158

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。

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型号：CAV25256VE-GT3 编号：C605356

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256是一款256Kb SPI EEPROM，适用于汽车级1设备。该设备内部组织为32Kx8位，支持64字节页写缓冲区和SPI协议。具有硬件和软件写保护功能，包括部分和全阵列保护。适合高可靠性应用。

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型号：FQB12P20TM 编号：C898636

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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型号：NTD360N80S3Z 编号：C887706

封装：TO-252

品牌：onsemi(安森美)

800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化，凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的前提下，可降低开关损耗和外壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力

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型号：FQB22P10TM 编号：C108357

封装：D2PAK

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻，提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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￥8.86
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￥7.27

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型号：FFA60UP30DNTU 编号：C11758

封装：TO-3P

品牌：onsemi(安森美)

FFA60UP30DN 是具备低正向压降和强健 UIS 能力的超快速二极管。该器件在各种开关电源及其他电源开关应用中用作续流和箝位二极管。特别适合用于开关电源与焊接器和 UPS 等工业应用。

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￥12.27
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￥8.13
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￥6.71
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￥6.51

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型号：FGP20N60UFDTU 编号：C463254

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、焊机和功率因数校正（PFC）应用提供了最佳性能，这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

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￥8.8
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￥8.39

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型号：NVMFS5113PLWFT1G 编号：C604583

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。高电流能力。规定雪崩能量。可焊侧翼产品。NVM前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序(PPAP)能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)，符合RoHS标准

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￥12.7776 ￥14.52
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￥10.4364 ￥13.38
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￥8.6156 ￥12.67
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￥8.1192 ￥11.94
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￥7.8948 ￥11.61
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￥7.7996 ￥11.47

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型号：FCMT099N65S3 编号：C348533

封装：PQFN-4(8x8)

品牌：onsemi(安森美)

SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适用于开关电源应用，如服务器/电信电源、适配器和太阳能反相器应用。Power88 封装是一款超薄表面贴装封装（高 1mm），体积和占地面积都很小 (8 * 8 mm2)。Power88 封装内的 SUPERFET III MOSFET 具有更低的寄生电源电感以及分离的电源和驱动源，可提供卓越的开关性能。Power88 提供 1 级湿度敏感性 (MSL 1)。

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1+
￥14.12
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型号：NCP1200D100R2G 编号：C904384

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1200采用SOIC−8或PDIP−8封装，是超紧凑型开关电源的重大突破。凭借全新的设计理念，该电路只需少量外部元件，即可实现完整的离线电池充电器或备用开关电源。此外，集成的输出短路保护功能使设计人员能够结合简化的反馈方案，构建极其低成本的AC−DC壁式适配器。该控制器的内部结构以固定的40 kHz、60 kHz或100 kHz频率运行，可驱动IGBT或MOSFET等低栅极电荷开关器件，因此所需的工作功率非常小。由于采用电流模式控制，NCP1200极大地简化了可靠且低成本的离线转换器的设计，具有极低的声学噪声和固有的逐脉冲控制功能。当电流设定值低于给定值时，例如输出功率需求降低，该IC会自动进入跳周期模式，在轻载情况下提供出色的效率。由于这种情况发生在低峰值电流时，因此不会产生声学噪声。最后，该IC由直流母线自供电，无需辅助绕组。这一特性确保了在低输出电压或短路情况下的正常运行。NCP1200采用标准的电流模式架构，关断时间由峰值电流设定值决定。在需要减少元件数量的关键应用中，特别是在低成本AC−DC适配器、辅助电源等领域，该元件是理想的选择。凭借其高性能的高压技术，NCP1200集成了基于UC384X的电源通常所需的所有必要元件：定时元件、反馈器件、低通滤波器和自供电电路。这一点强调了NCP1200无需辅助绕组即可工作的事实：该产品自然地从高压母线获取电源，并为IC提供VCC。这种系统称为动态自供电（DSS）。

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型号：MBR40250G 编号：C150246

封装：TO-220AC-2

品牌：onsemi(安森美)

250 V，40 A 肖特基功率整流器最大程度减少了 EMI 滤波需求，降低了开关损耗，具有软恢复，无逆向恢复振荡。

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型号：NVMFS5A160PLZT1G 编号：C604586

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5 x 6 mm），适用于紧凑设计。低导通电阻（RDS(on)），可降低传导损耗。可选择可焊侧翼选项，便于光学检测。通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件。无铅且符合RoHS标准

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￥15.21
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￥14.46
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￥14.01
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型号：FDP20N50F 编号：C899149

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec，逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns，而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此，在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

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￥17.7
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