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首页 > 热门关键词 > ON安森美模拟芯片
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特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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  • 5+

    ¥0.7499
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    ¥0.3653
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  • 该标准恢复整流器具有玻璃钝化结构。适用于表面贴装汽车应用。
    数据手册
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      ¥0.4081
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      ¥0.3856
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册
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      ¥0.3985
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      ¥0.3732
  • 有货
  • ESD9M系列旨在保护需要低电容的电压敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、低泄漏和快速响应时间,使这些器件非常适合用于诸如USB等高速线路设计中的ESD保护。
    数据手册
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      ¥0.8238
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      ¥0.4392
    • 5000+

      ¥0.4127
  • 有货
  • N沟道,30V
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  • 有货
  • NC7SZ125 是TinyLogic 超高速(UHS)系列的单路三态输出缓冲器。该器件采用先进的 CMOS 技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力,同时在非常宽的 VCC 工作范围内保持低静态功耗。该器件规定的工作电压范围为 1
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8538
    • 50+

      ¥0.7383
    • 150+

      ¥0.6888
    • 500+

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      ¥0.583
  • 有货
  • 负电压调节器价格便宜、易于使用,适用于众多需要高达100mA电流的应用。该系列具有热关断和电流限制功能,非常耐用。在大多数应用中,操作无需外部组件。该器件适用于板载调节或任何其他需要适度电流水平的稳压负电压的应用。这些调节器比普通的电阻/齐纳二极管方法具有显著优势。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9025
    • 50+

      ¥0.6996
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      ¥0.4558
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      ¥0.4268
  • 有货
  • 运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。 该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。 此封装还是无引线 34 封装样式的易于使用的替代产品。 由于其尺寸小巧,因而适用于蜂窝电话和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMICA 卡等便携式电池供电产品。 典型应用为 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆向电池保护和多电源电压的“OR”运行,以及性能和尺寸在其中至关重要的任何其他应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9082
    • 50+

      ¥0.7184
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    • 6000+

      ¥0.4193
  • 有货
  • 该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装,功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护,特别适用于空间有限的情况。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.92
    • 50+

      ¥0.7699
    • 150+

      ¥0.6949
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      ¥0.6386
    • 3000+

      ¥0.4989
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9901
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      ¥0.7803
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      ¥0.5783
    • 2500+

      ¥0.4874
    • 5000+

      ¥0.4574
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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      ¥0.5559
    • 2500+

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    • 5000+

      ¥0.4707
  • 有货
  • SZ/NUP3105L 专为保护 24 V 系统中的 CAN 收发器免受 ESD 及其他有害瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用单个紧凑型 SOT−23 封装,为每条数据线提供双向保护,为系统设计师提供了一种低成本的方案,以提高系统可靠性并满足严格的 EMI 要求。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0132
    • 50+

      ¥0.7864
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    • 500+

      ¥0.568
    • 3000+

      ¥0.514
    • 6000+

      ¥0.4816
  • 有货
  • 该超快整流器适用于高电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0173
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      ¥0.8029
    • 150+

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      ¥0.5964
    • 2500+

      ¥0.5454
    • 5000+

      ¥0.5147
  • 有货
  • 特性:领先的沟槽技术,实现低导通电阻性能。 小尺寸封装(相当于SC70-6)。 栅极具有ESD保护。 NV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。 这些是无铅器件。应用:负载/电源管理。 充电电路
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0281
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      ¥0.8435
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      ¥0.7512
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      ¥0.6819
    • 3000+

      ¥0.5603
    • 6000+

      ¥0.5326
  • 有货
  • 低压精确可调分路稳压器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0524
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      ¥0.8359
    • 150+

      ¥0.7431
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      ¥0.6273
    • 3000+

      ¥0.5036
    • 6000+

      ¥0.4726
  • 有货
  • 此 N 沟道 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.083
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      ¥0.8459
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      ¥0.7442
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      ¥0.6174
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      ¥0.561
    • 6000+

      ¥0.5271
  • 有货
  • 特性:齐纳电压范围:3.3V至200V。 人体模型静电放电等级3(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计可用于电路板顶面或底面安装。 AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序文件。 SZ1SMB59xxT3G-SZ前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
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    • 5+

      ¥1.1017
    • 50+

      ¥0.8835
    • 150+

      ¥0.79
    • 500+

      ¥0.6733
    • 2500+

      ¥0.6061
    • 5000+

      ¥0.5749
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:3.3V 至 68V。 人体模型 3 级 ESD 等级(> 16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1023
    • 50+

      ¥0.8636
    • 150+

      ¥0.7613
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    • 2500+

      ¥0.5047
    • 5000+

      ¥0.4706
  • 有货
  • 该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该器件适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用,其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.104
    • 50+

      ¥0.8721
    • 150+

      ¥0.7728
    • 500+

      ¥0.6013
    • 2500+

      ¥0.5461
    • 5000+

      ¥0.5129
  • 有货
  • 适用于高压、高频整流,或在尺寸和重量对系统至关重要的表面贴装应用中用作续流和保护二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1166
    • 50+

      ¥0.8827
    • 150+

      ¥0.7657
    • 500+

      ¥0.6219
    • 2500+

      ¥0.5517
    • 5000+

      ¥0.5166
  • 有货
  • 高 PSRR
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1947
    • 50+

      ¥0.9427
    • 150+

      ¥0.8347
    • 500+

      ¥0.6261
    • 2500+

      ¥0.5661
    • 5000+

      ¥0.5301
  • 有货
  • 由MOS P沟道和N沟道增强型器件在单一单片结构中构建而成。这些反相器主要用于需要低功耗和/或高抗噪性的地方。六个反相器中的每一个都是单级的,以尽量减少传播延迟。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2778
    • 50+

      ¥0.9955
    • 150+

      ¥0.8746
    • 500+

      ¥0.7236
    • 2500+

      ¥0.6564
    • 5000+

      ¥0.6161
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 高浪涌电流能力。 高可靠性。 高电流能力。 玻璃钝化结
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2944
    • 50+

      ¥1.0155
    • 150+

      ¥0.896
    • 500+

      ¥0.7469
    • 2500+

      ¥0.6264
    • 5000+

      ¥0.5865
  • 有货
  • 特性:非常低的外形:典型高度为0.68mm。 低功耗,高效率。 湿度敏感度等级1(符合J-STD-020)。 UL可燃性94V-0分类。 符合RoHS标准/绿色模塑料。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3177
    • 50+

      ¥1.0412
    • 150+

      ¥0.9227
    • 500+

      ¥0.7748
    • 3000+

      ¥0.709
    • 6000+

      ¥0.6695
  • 有货
  • MC14013B双D触发器采用MOS P沟道和N沟道增强型器件,集成于单一单片结构中。每个触发器都有独立的数据(D)、直接置位(S)、直接复位(R)和时钟(C)输入,以及互补输出(Q和Q̅)。这些器件可用作移位寄存器元件,或作为T型触发器用于计数器和触发应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4982
    • 50+

      ¥1.1756
    • 150+

      ¥1.0374
    • 500+

      ¥0.8649
    • 2500+

      ¥0.7881
    • 5000+

      ¥0.742
  • 有货
  • MC74VHC1GT126 是一款单门极非反向 3 态缓冲器,使用硅门极 CMOS 技术制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时还能保持 CMOS 低功耗。MC74VHC1GT126 需要 3 态控制输入 (OE(bar)) 设置为低电平才能将输出置于高阻抗状态。该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值,输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压,使得此器件能够用作从 3.0V CMOS 逻辑到 5.0V CMOS 逻辑,或 1.8V CMOS 逻辑到 3.0V CMOS 逻辑的逻辑电平转换器,且能在高电压电源下运行。MC74VHC1GT126 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护,而无论电源电压如何。因此使得 MC74VHC1GT126 可用作 5V 到 3V 电路的接口。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5056
    • 50+

      ¥1.3166
    • 150+

      ¥1.2356
    • 500+

      ¥1.026
    • 3000+

      ¥0.981
    • 6000+

      ¥0.954
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-223 封装,适用于中等功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5337
    • 50+

      ¥1.2434
    • 150+

      ¥1.119
    • 1000+

      ¥0.8882
    • 2000+

      ¥0.8191
    • 5000+

      ¥0.7776
  • 有货
  • 该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构具有较高的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5579
    • 50+

      ¥1.24
    • 150+

      ¥1.1038
    • 500+

      ¥0.9338
    • 2500+

      ¥0.8582
    • 7500+

      ¥0.8127
  • 有货
  • RF检测器,MC1496B 适用于输出电压为输入电压(信号)和开关功能(载波)的共同结果的场合。典型应用包括抑制载波和放大调制、同步检测、调频 (FM) 检测、相位检测和斩波器应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6224
    • 50+

      ¥1.303
    • 150+

      ¥1.1661
    • 500+

      ¥0.7997
    • 2500+

      ¥0.7237
    • 5000+

      ¥0.6781
  • 有货
  • ESD8104旨在保护高速数据线免受静电放电(ESD)影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。直插式封装便于进行PCB布局,并能匹配走线长度,这对于保持高速差分线(如USB 3)之间的阻抗一致性十分必要
    数据手册
    • 5+

      ¥1.646
    • 50+

      ¥1.3325
    • 150+

      ¥1.1982
    • 500+

      ¥0.928
    • 3000+

      ¥0.8533
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      ¥0.8085
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