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描述

价格(含税)

库存

操作

停产输出1.3A 降压型驱动

型号：AL8807QMP-13 编号：C260931

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

该产品是一款降压型DC/DC转换器，用于以恒定电流驱动LED。该设备可从6V至30V的电压源串联驱动多达9个LED，具体数量取决于LED的正向电压。LED的串联连接可提供相同的LED电流，从而实现均匀亮度，并且无需镇流电阻。该产品的开关频率高达1MHz，具有可控的上升和下降时间，以降低电磁干扰

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.09
30+
￥1.68
100+
￥1.27
500+
￥1.08
1000+
￥0.99

有货

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采用SOT26封装的40V、10A栅极驱动器

型号：ZXGD3006E6TA 编号：C526792

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器，用于驱动IGBT和碳化硅（SiC）MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流，以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流，而控制器只需提供1mA的输入电流

数据手册

1+
￥3.13
10+
￥2.48
30+
￥2.2
100+
￥1.85
500+
￥1.62
1000+
￥1.53

有货

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带功率限制的20W立体声D类音频放大器

型号：PAM8620TR 编号：C705094

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：DIODES(美台)

PAM8620是一款20W（每通道）立体声D类音频放大器，其总谐波失真加噪声（THD + N）低至0.2%，电磁干扰（EMI）低，电源抑制比（PSRR）良好，因此能够实现高质量的声音再现。PAM8620可在8V至26V电源下运行，效率更高。

数据手册

单价：
￥3.95 / 个

有货

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高环境温度高压侧电流监测器

型号：ZXCT1008FTA 编号：C79466

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1008是一款高端电流检测监视器。使用该器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。它获取电流分流电阻两端产生的高端电压，并将其转换为成比例的输出电流

数据手册

1+
￥4.46
10+
￥3.72
30+
￥3.36
100+
￥2.99
500+
￥2.2
1000+
￥2.09

有货

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50V 15A

型号：SBRT15U50SP5-13 编号：C211388

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑的高效散热 POWERDI5 封装，提供超低正向压降 (VF)，并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

数据手册

1+
￥5.34
10+
￥4.3
30+
￥3.78
100+
￥3.27
500+
￥2.96
1000+
￥2.8

有货

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PNP 电流:2A 电压:200V

型号：FZT956TA 编号：C144161

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：连续电流4A（峰值电流10A）。极低的饱和电压。高达3A的出色增益特性

数据手册

1+
￥5.37
10+
￥4.4
30+
￥3.91
100+
￥3.43
500+
￥3.15
1000+
￥3

有货

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降压型 3.5A 3.8V~40V

型号：AP64352SP-13 编号：C2071665

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64352 是一款 3.5A 同步降压转换器,具有 3.8V 至 40V 的宽输入电压范围。该器件完全集成了 75mΩ 高侧功率 MOSFET 和 45mΩ 低侧功率 MOSFET,提供高效的降压 DC-DC 转换。它采用峰值电流模式控制,并集成了环路补偿网络,简化了外部组件的数量。AP64352 优化了电磁干扰 (EMI) 减少,具有专有的栅极驱动方案,可减少高频辐射 EMI 噪声。此外,还支持频率扩展谱 (FSS) 以进一步减少 EMI。

数据手册

1+
￥7.04
10+
￥5.85
30+
￥5.2
100+
￥4.46
500+
￥4.13
1000+
￥3.98

有货

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MIPI CSI-2/DSI D-PHY ReDriver

型号：PI2MEQX2505ZHEX 编号：C5246034

封装：TQFN-28(3.5x5.5)

品牌：DIODES(美台)

低功耗、高性能2.5Gbps MIPI D-PHY ReDriver，支持4个通道，每个通道速率为2.5Gbps，符合MIPI D-PHY 1.2标准。

1+
￥8.96
10+
￥7.44
30+
￥6.61
100+
￥5.66
500+
￥5.24
1000+
￥5.05

有货

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输出1A 降压型驱动

型号：ZXLD1362ET5TA 编号：C154735

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款连续模式电感降压转换器，集成开关和高端电流检测功能。它可在6V至60V的输入电源下工作，能高效驱动单个或多个串联LED，外部可调输出电流高达1A。该器件已通过AEC-Q100 1级认证，可在-40°C至+125°C的环境温度下工作。输出电流可通过施加直流电压或PWM波形进行调节，使用PWM控制可实现100.1的输出电流调节。将0.2V或更低的电压施加到ADJ引脚可关闭输出并使器件进入低电流待机状态。该器件与线圈（L1）和电流检测电阻（Rs）配合，构成自振荡连续模式降压转换器。

数据手册

1+
￥10.75
10+
￥9.48
30+
￥8.69
100+
￥7.87
500+
￥7.5
1000+
￥7.34

有货

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低功耗双输出PCIe时钟缓冲器，带片上终端

型号：PI6CB33202ZDIEX 编号：C1857410

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

是一款双输出的极低功耗PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4/Gen5时钟缓冲器。它采用参考输入，扇出两个100MHz低功耗差分HCSL输出，并带有片上终端。片上终端可节省八个外部电阻，使布局更轻松。每个输出都有独立的OE引脚，便于电源管理。它采用专有PLL设计，实现极低抖动，满足PCIe Gen1/Gen2/Gen3/Gen4/Gen5要求。除支持PCIe 100MHz外，该器件还通过SMBus支持50MHz、125MHz和133.33MHz的以太网应用。它通过SMBUS提供各种选项，如不同的压摆率和幅度，用户可以轻松配置设备，为其单板获得优化性能。

数据手册

1+
￥12.8
10+
￥10.83
30+
￥9.6
100+
￥8.34
500+
￥7.77
1000+
￥7.53

有货

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NPN型预偏置小信号表面贴装晶体管

型号：DDTC113ZE-7-F 编号：C780799

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

数据手册

20+
￥0.1873
200+
￥0.1441
600+
￥0.1201
3000+
￥0.1057
9000+
￥0.0932

有货

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75V 300mA

型号：BAV99Q-7-F 编号：C442631

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.2179
100+
￥0.1795
300+
￥0.1603
3000+
￥0.1459
6000+
￥0.1344
9000+
￥0.1287

有货

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独立式耐压:6.2V 电流:3uA@1.0V

型号：BZT52C6V2-7-F 编号：C397931

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2537
200+
￥0.2011
600+
￥0.1718
3000+
￥0.1543
9000+
￥0.1391

有货

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独立式耐压:10V 电流:0.2uA

型号：BZT52C10-7-F 编号：C155227

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.2699
100+
￥0.2174
300+
￥0.1912
3000+
￥0.1715
6000+
￥0.1557

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V

型号：BZT52C3V3S-7-F 编号：C177016

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.2789
200+
￥0.2163
600+
￥0.1816
3000+
￥0.1607
9000+
￥0.1426

有货

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85V 160mA

型号：BAV199-7-F 编号：C155248

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。极低的泄漏电流。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

20+
￥0.2841
200+
￥0.2303
600+
￥0.2004
3000+
￥0.167
9000+
￥0.1515

有货

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200V 1A

型号：S1D-13-F 编号：C154769

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3
100+
￥0.2387
300+
￥0.2081
1000+
￥0.1851
5000+
￥0.1668
10000+
￥0.1576

有货

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独立式耐压:2V 电流:150uA@1V

型号：BZT52C2V0-7-F 编号：C260893

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.3472
100+
￥0.2821
300+
￥0.2495
3000+
￥0.2251
6000+
￥0.2055

有货

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电压:30V 电流:500mA

型号：B0530W-7-F 编号：C124188

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高电导。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.3744
100+
￥0.3022
300+
￥0.2662
3000+
￥0.2354
6000+
￥0.2138
9000+
￥0.203

有货

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单反相器缓冲器/驱动器，带漏极开路输出

型号：74LVC1G06SE-7 编号：C460519

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G06是一款具有漏极开路输出的单反相器门电路。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。

数据手册

10+
￥0.458
100+
￥0.3656
300+
￥0.3193
3000+
￥0.2847
6000+
￥0.2569
9000+
￥0.2431

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:260mA

型号：DMN63D8LDW-7 编号：C211422

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4949
100+
￥0.4108
300+
￥0.3688
3000+
￥0.2985
6000+
￥0.2733
9000+
￥0.2607

有货

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ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：5A@8/20us

型号：D1213A-01WS-7 编号：C170167

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±15kV，接触放电 ±8kV。 1 通道 ESD 保护。低通道输入电容：典型值 0.85pF。通常用于高速端口，如 USB 2.0、IEEE1394、串行 ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.5522
50+
￥0.4432
150+
￥0.3887
500+
￥0.3478
3000+
￥0.3151
6000+
￥0.2987

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:450mA 310mA

型号：DMC2990UDJ-7 编号：C397939

封装：SOT-963-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.5728
50+
￥0.4619
150+
￥0.4065
500+
￥0.3649
2500+
￥0.2985
5000+
￥0.2819

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6.5A

型号：DMG6968U-7 编号：C150759

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道,20V,6.5A,25mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.5954
50+
￥0.4741
150+
￥0.4134
500+
￥0.368
3000+
￥0.3316
6000+
￥0.3134

有货

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NPN 电流:0.5A 电压:45V

型号：BC817-40-7-F 编号：C435867

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。外延平面芯片结构。有互补PNP类型。用于开关和音频放大应用。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.5966
50+
￥0.4801
150+
￥0.4219
500+
￥0.3782
3000+
￥0.3433
6000+
￥0.3258

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：DMP2035UVT-7 编号：C260934

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6777
50+
￥0.5289
150+
￥0.4545
500+
￥0.3987
3000+
￥0.3541
6000+
￥0.3317

有货

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NPN 电流:225mA 电压:400V

型号：FMMT458TA 编号：C116737

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 400V。高连续集电极电流：IC = 225mA。峰值脉冲电流：ICM = 1A。功耗：500mW。高达100mA的出色hFE特性。互补PNP类型。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6848
50+
￥0.5384
150+
￥0.4651
500+
￥0.4102
3000+
￥0.3663
6000+
￥0.3443

有货

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N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：DMN3042L-7 编号：C102621

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6853
50+
￥0.5653
150+
￥0.5053
500+
￥0.4603
3000+
￥0.3658
6000+
￥0.3478

有货

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耐压:100V 电流:1A 反向恢复时间：50ns

型号：US1B-13-F 编号：C154439

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。高电流能力。非常适合自动组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.695
50+
￥0.5614
150+
￥0.4946
500+
￥0.4445
2500+
￥0.4044
5000+
￥0.3703

有货

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单向TVS 24V截止峰值脉冲电流：10.3A

型号：SMAJ24A-13-F 编号：C134973

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7057
50+
￥0.5678
150+
￥0.4988
500+
￥0.4471
2500+
￥0.4057
5000+
￥0.3851

有货

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