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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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描述
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输入6V 输出3.3V 600mA
型号：AP2112K-3.3TRG1 编号：C51118
封装：SOT-25-5
品牌：DIODES(美台)
是CMOS工艺的低压差线性稳压器，具有使能功能，可提供保证的600mA（最小值）连续负载电流。提供1.2V、1.8V、2.5V、2.6V或3.3V的固定输出电压。输出精度为±1.5%，具有非常快速的环路响应，可出色应对线路和负载瞬变。包括自动放电功能，当设备禁用时，通过60Ω电阻将输出连接到地。具有低功耗特性，提供SOT25、SOT89-5和SO-8封装。
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    双向TVS 9V截止 峰值浪涌电流：39A@8.3ms
    型号：SMBJ9.0CA-13-F 编号：C135111
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=10V VC=15.4V IPP=39A 双向
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    单向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.3A
    型号：SMBJ36A-13-F 编号：C135070
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=40V VC=58.1V IPP=10.3A 单向
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    电压:40V 电流:3A
    型号：B340LB-13-F 编号：C97318
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：极低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达 70A 峰值。 无铅涂层；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    1.4MHz、1.5A异步降压DC-DC转换器
    型号：AP3211KTR-G1 编号：C154863
    封装：SOT-23-6
    品牌：DIODES(美台)
    AP3211是一款1.4MHz固定频率、电流模式PWM降压DC-DC转换器,能够驱动1.5A负载,具有高效率、优良的线路和负载调节能力。内置N通道功率MOSFET开关,低导通电阻。电流模式控制提供快速瞬态响应和逐周期限流。内置过流保护、热关断、欠压锁定和软启动功能。适用于LCD电视、便携式DVD等设备。
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    PNP 电流:1.5A 电压:40V
    型号：FMMT720TA 编号：C15332
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器
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    电压:200V 电流:1A
    型号：DFLS1200-7 编号：C324985
    封装：PowerDI-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗，高效率。 专利联锁夹设计，具有高浪涌电流能力。 无铅表面处理，符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件。 有符合汽车标准的产品可供选择
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    ADJ 输入12V 输出1.25V~10.5V 5A
    型号：AZ1084CD-ADJTRG1 编号：C150458
    封装：TO-252-3
    品牌：DIODES(美台)
    AZ1084C 是一系列低压差正电压稳压器，在 5A 负载电流下，最大压差为 1.5V。该系列具备片上热限制功能，可防止因过载和环境温度共同作用导致结温过高。它还集成了经过微调的带隙基准和限流电路
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    精密可调限流电源开关
    型号：AP22653W6-7 编号：C2158037
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度
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    NPN 电流:1A 电压:150V
    型号：FCX495TA 编号：C150457
    封装：SOT-89
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 0.5A。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：低损耗功率开关
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    电压:100V 电流:5A
    型号：PDS5100H-13 编号：C141284
    封装：Power-DI-5
    品牌：DIODES(美台)
    这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:2.3A
    型号：DMP10H400SE-13 编号：C156277
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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    电压:100V 电流:20A
    型号：SDT20B100D1-13 编号：C461813
    封装：TO-252-2
    品牌：DIODES(美台)
    SDT20B100D1具有极低的正向压降（VF），且在高温下具有极其出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作以下设备中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管：直流-直流转换器、交流-直流适配器。
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    • 1+

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    200V 10A
    型号：SBR10U200P5-13 编号：C155266
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    采用紧凑且散热高效的PowerDI5封装，在高温下可实现低正向压降（VF）和低反向漏电流。
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    ZXCT1010E5TA
    型号：ZXCT1010E5TA 编号：C14151
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    ZXCT1010是一款高端电流检测监视器。使用该器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。 它是ZXCT1009的改进版本，可降低典型输出失调，并在低检测电压下提高精度。 其输入电压范围宽，从20V低至2.5V，适用于多种应用。最低工作电流仅为4μA，再加上SOT25封装，使其适用于便携式电池设备。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.07

    • 10+

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    高精度高压高端电流监测器
    型号：ZXCT1086E5TA 编号：C154866
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    高侧单极性电流检测监视器，消除了在检测负载电流时破坏接地层的需要。ZXCT1082/1084/1086的最大工作电压为60V，ZXCT1083/1085/1087的最大工作电压为40V。宽共模输入电压范围和低静态电流，搭配SOT25封装，使其适用于一系列应用，包括汽车和工业24-28V导轨供电的系统。静态电流仅为0.6μA，从而将电流检测误差降至最低。使用三个外部跨导/增益设置电阻，通过允许宽增益范围和优化带宽来增加通用性。ZXCT1084/5/6/7是ZXCT1082/3的固定增益电压输出对应产品。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.41

    • 10+

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    10W立体声D类音频功率放大器
    型号：PAM8610TR 编号：C80797
    封装：WQFN-40-EP(6x6)
    品牌：DIODES(美台)
    PAM8610是一款每声道10W的立体声D类音频放大器，具备直流音量控制功能，其总谐波失真加噪声（THD + N）低至0.1%，电磁干扰（EMI）低，电源抑制比（PSRR）良好，可实现高品质声音再现。32级直流音量控制范围为+32dB至 - 75dB。PAM8610的供电电压为7V至15V，效率远高于竞品集成电路
    数据手册

    • 1+

      ￥8.78

    • 10+

      ￥7.19

    • 30+

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    • 1000+

      ￥4.69
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    4个N沟道 耐压:60V 电流:10.6A
    型号：DMHT6016LFJ-13 编号：C460986
    封装：VDFN5045-12
    品牌：DIODES(美台)
    新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.56

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    • 1000+

      ￥6.17
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    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA
    型号：BZX84C4V7Q-13-F 编号：C5244791
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 10+

      ￥0.192504 ￥0.2468

    • 100+

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      ￥0.159588 ￥0.2046

    • 1000+

      ￥0.15132 ￥0.194

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      ￥0.14469 ￥0.1855

    • 10000+

      ￥0.141414 ￥0.1813
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    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA@2V
    型号：BZT52C4V7-13-F 编号：C151054
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

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    • 200+

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    • 10000+

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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54A-7-F 编号：C134401
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    200mA表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOT23（标准）封装，具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环，可实现瞬态和静电放电（ESD）保护，完全采用无铅表面处理，符合RoHS标准，是“绿色”器件。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.219

    • 200+

      ￥0.1763

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    PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：MMBT5401-7-F 编号：C87894
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 互补NPN型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（在AEC-Q中引用），具有高可靠性。 有符合汽车标准的部件（单独的数据表）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2233

    • 200+

      ￥0.1797

    • 600+

      ￥0.1555

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      ￥0.1335

    • 9000+

      ￥0.1209
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    SOT523封装的NPN预偏置晶体管
    型号：DDTC144EE-7-F 编号：C526547
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2247

    • 200+

      ￥0.1772

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    NPN 50V 100mA
    型号：DDTC113ZCA-7-F 编号：C151437
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 可提供PPAP文件
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      ￥0.229

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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V
    型号：BZT52C15S-7-F 编号：C260889
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
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      ￥0.253

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    耐压:100V 电流:1A 反向恢复时间：200ns
    型号：1N4934-T 编号：C526204
    封装：DO-41
    品牌：DIODES(美台)
    特性：扩散结。 用于高效的快速开关。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向泄漏电流。 无铅表面处理，符合RoHS标准
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    85V 160mA
    型号：BAV199-7-F 编号：C155248
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。 极低的泄漏电流。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：DESD3V3E1BL-7B 编号：C461817
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低外形封装（最大 0.53mm）和超小 PCB 占位面积（最大 1.08mm x 0.68mm）。 适用于紧凑型便携式电子产品。 提供符合 IEC61000-4-2 标准的 ESD 保护：空气放电 ±25kV，接触放电 ±25kV。 单通道 ESD 保护。 低通道输入电容。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8.0V
    型号：BZT52C12T-7 编号：C507911
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备生产件批准程序（PPAP）能力
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    独立式 耐压:10V 电流:3uA@8.0V
    型号：MMSZ5240B-7-F 编号：C151060
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
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