DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

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描述

价格(含税)

库存

操作

输入6V 输出1V 1A

型号：AP7361-10D-13 编号：C460388

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

是一款具有使能功能的1A、可调及固定输出电压的超低压差线性稳压器。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于中低功率应用，如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为70μA。内置的电流限制和热关断功能可防止IC在故障条件下损坏。有U-DFN3030-8、SOT89-5、SOT223、TO252和SO-8EP封装可供选择。

数据手册

5+
￥1.0417
50+
￥0.832
150+
￥0.7421
500+
￥0.63
2500+
￥0.58
5000+
￥0.55

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:4.5A

型号：DMC2038LVT-7 编号：C151020

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.0765
50+
￥0.8646
150+
￥0.7587
500+
￥0.6793
3000+
￥0.5892
6000+
￥0.5574

有货

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单向TVS 5.5V截止峰值浪涌电流：1.5A@8/20us

型号：D5V0F1U2S9-7 编号：C508179

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）造成的损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥1.1901
50+
￥0.9621
150+
￥0.8644
500+
￥0.7425
2500+
￥0.6883
5000+
￥0.6557

有货

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NPN 电流:200mA 电压:40V

型号：MMBT3904FA-7B 编号：C151577

封装：DFN-3L(0.6x0.8)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。 Ic = 200mA高集电极电流。 PD = 435mW功耗。 0.48mm²封装尺寸，比SOT23小16倍。 0.4mm封装高度，最小化板外轮廓。互补PNP型MMBT3906FA。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤和无锑“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

5+
￥1.1947
50+
￥0.954
150+
￥0.8508
500+
￥0.7221
2500+
￥0.6648
5000+
￥0.6305

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:10.5A

型号：DMG7430LFG-7 编号：C212330

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.2403
50+
￥0.9884
150+
￥0.8805
500+
￥0.7458
2000+
￥0.6858
4000+
￥0.6498

有货

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BAT64Q-13-F

型号：BAT64Q-13-F 编号：C24747670

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

5+
￥1.2523
50+
￥1.0121
150+
￥0.9092
500+
￥0.7807
2500+
￥0.7235
5000+
￥0.6892

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:6A

型号：DMP4047LFDE-7 编号：C442635

封装：U-DFN2020-6E

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

3+
￥1.3427
30+
￥1.0691
90+
￥0.9518
300+
￥0.8056
1500+
￥0.7014
3000+
￥0.6623

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:5.6A

型号：DMN6068SE-13 编号：C209902

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、变压器驱动开关、直流 - 直流转换器、电源管理功能、不间断电源。

数据手册

5+
￥1.3818
50+
￥1.1013
150+
￥0.9811
500+
￥0.8311
2500+
￥0.7644

有货

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输出750mA 升压型驱动

型号：PAM2803AAF095 编号：C55801

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

PAM2803是一款升压型DC-DC转换器，可提供稳定的输出电流。该器件以1.0 MHz的恒定频率进行开关操作，允许使用小值外部电感和陶瓷电容。PAM2803设计用于从两节碱性电池驱动高达1A的负载。LED电流可以通过连接在反馈引脚（FB）与地之间的外部电流检测电阻Rs进行编程。95 mV的低反馈电压减少了Rs中的功率损耗，提高了效率。借助其内部2A、100 mΩ的NMOS开关，即使在重负载下也能提供高效率。在关断模式下，反馈电阻Rs和负载完全断开，电流消耗降至1 μA以下。PAM2803采用6引脚SOT23-6封装。

数据手册

5+
￥1.4431
50+
￥1.1407
150+
￥1.0111
500+
￥0.8494
3000+
￥0.7774

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:0.7A

型号：ZXMP10A13FTA 编号：C50185

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET采用了独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.4489
50+
￥1.1542
150+
￥1.0279
500+
￥0.8703
3000+
￥0.7672

有货

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P沟道耐压:60V 电流:3A

型号：ZXMP6A17E6TA 编号：C140565

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻,同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.8592
50+
￥1.4391
150+
￥1.2591
500+
￥1.0344
3000+
￥0.9344

有货

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PNP 电流:3A 电压:60V

型号：FZT751TA 编号：C24099

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -3A，高连续电流。 ICM = -6A，峰值脉冲电流。低饱和电压 VOE(sat) < -300mV @ -1A。互补 NPN 型：FZT651。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：照明。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动

数据手册

5+
￥1.9509
50+
￥1.5845
150+
￥1.4274
1000+
￥1.186
2000+
￥1.0987

有货

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输出750mA 升压型驱动

型号：AP5724WG-7 编号：C154870

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

是一款升压型DC/DC转换器，专门设计用于以恒定电流驱动白光LED。该设备可以从锂离子电池串联驱动2-6个LED。LED的串联连接可提供相同的LED电流，从而实现均匀的亮度，并消除了对镇流电阻的需求。为了驱动更多数量的LED，还支持对多个相同数量LED的并联串进行单反馈。开关频率为1.2MHz，允许使用微小的外部组件。低至0.1V的反馈电压可最大限度地减少电流设置电阻中的功率损耗，以提高效率

数据手册

5+
￥2.0557
50+
￥1.5873
150+
￥1.3865
500+
￥1.136
3000+
￥0.957

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:35A

型号：DMP3013SFV-7 编号：C264098

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.2439
50+
￥1.7551
150+
￥1.5456
500+
￥1.2143
2000+
￥1.0979

有货

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无滤波器2.5W D类立体声音频放大器

型号：PAM8003DR 编号：C460729

封装：SO-16

品牌：DIODES(美台)

PAM8003是一款2.5W的D类音频放大器。它的总谐波失真加噪声（THD+N）较低，能够实现高质量的声音再现。全新的无滤波器架构使该器件可直接驱动扬声器，无需低通输出滤波器，从而节省了系统成本和PCB面积。在外部元件数量相同的情况下，PAM8003的效率远高于AB类同类产品。它可延长电池续航时间，非常适合便携式应用。PAM8003采用SO-16封装。

数据手册

5+
￥2.2607
50+
￥1.8071
150+
￥1.6126
500+
￥1.37
2500+
￥1.262

有货

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电压:100V 电流:5A

型号：SDT5H100SB-13 编号：C460262

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

SDT5H100SB具有极低的正向压降（VF），且在高温下具备极其出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作直流 - 直流转换器、交流 - 直流适配器中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管。

数据手册

5+
￥2.2652
50+
￥1.8142
150+
￥1.621
500+
￥1.3261
3000+
￥1.2188

有货

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单向TVS 70V截止峰值脉冲电流：3.5A

型号：SMAT70A-13-F 编号：C135026

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：400、600W 峰值脉冲功率耗散。 70V 关断电压。 100V 最大钳位电压。玻璃钝化芯片结构。快速响应时间：通常小于 1ps。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

2+
￥2.2762
20+
￥1.8243
60+
￥1.6307
200+
￥1.3891
1000+
￥1.2815
2000+
￥1.2169

有货

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电压:60V 电流:5A

型号：B560CQ-13-F 编号：C460781

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作以下器件：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

数据手册

5+
￥2.4908
50+
￥1.9962
150+
￥1.7842
500+
￥1.4544

有货

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160 MHz 时钟缓冲器

型号：PI6CV304LEX 编号：C2649345

封装：TSSOP-8

品牌：DIODES(美台)

低偏斜、低噪声、高速时钟缓冲器，适用于计算、网络和通信应用。应用示例包括服务器和工作站中的PCI(X)时钟缓冲器、PCI(X)存储区域网络(SAN)和RAID控制器。它们用于需要80MHz用于10/100Mbps以太网和125MHz用于千兆网络时钟的网络和通信应用。为减少EMI辐射和功耗，可通过向OE(输出使能)引脚施加低电平信号，将所有输出禁用为三态。

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.59
500+
￥1.45
1000+
￥1.36

有货

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并联 100ppm/℃

型号：LM4040B30FTA 编号：C460604

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用。在60μA至15mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。

数据手册

1+
￥2.89
10+
￥2.26
30+
￥1.99
100+
￥1.65
500+
￥1.5
1000+
￥1.41

有货

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霍尔效应锁存

型号：AH49ENTR-G1 编号：C314698

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AH49E是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件，由永磁体或电磁体产生的磁场驱动。输出电压由电源电压设定，并与磁场强度成正比变化。

数据手册

1+
￥2.99
10+
￥2.3
30+
￥2.01
100+
￥1.64
500+
￥1.48
1000+
￥1.38

有货

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PNP 120V 2A

型号：FZT705TA 编号：C151424

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -120V。 BVCBO > -140V。 IC = -2A 高连续电流。 hFE > 2k 高增益。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：灯具。继电器

数据手册

5+
￥2.9961
50+
￥2.4947
150+
￥2.2798
1000+
￥2.0117
2000+
￥1.8923

有货

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电压:40V 电流:10A

型号：PDS1040L-13 编号：C154714

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。极低正向压降。高正向浪涌电流能力。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

1+
￥3.07
10+
￥2.45
30+
￥2.18
100+
￥1.84
500+
￥1.69
1000+
￥1.6

有货

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100V 15A

型号：SBRT15U100SP5-13 编号：C2934601

封装：PowerDI-5

品牌：DIODES(美台)

采用紧凑且散热高效的PowerDI5封装，提供极低的正向电压（VF），并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性。

数据手册

1+
￥3.14
10+
￥2.44
30+
￥2.13
100+
￥1.76
500+
￥1.59
1000+
￥1.49

有货

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单通道功率分配开关，带输出过压保护

型号：AP22615AWU-7 编号：C2680357

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP22815/615是3A单通道、带输出过压保护（OVP）的限流高端功率开关，针对USB和其他热插拔应用进行了优化。AP22815/615符合USB标准，使能输入有两种极性可选。该器件还具备固定和可调限流功能，针对需要精确限流支持的应用进行了优化

数据手册

1+
￥4.59
10+
￥3.75
30+
￥3.33
100+
￥2.92
500+
￥2.33
1000+
￥2.2

有货

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3A, 4.5A, 5.5A PWM 升压 DC-DC 转换器

型号：PAM2423AECADJR 编号：C781891

封装：ESOP-8

品牌：DIODES(美台)

PAM242x系列器件是高性能、固定频率、电流模式的PWM升压型DC/DC转换器，内置功率MOSFET。PAM242x集成了一个功率MOSFET，可支持高达3A/4.5A/5.5A的峰值电流。PAM242x采用简单的外部环路补偿，可在各种应用中对元件尺寸、成本和交流性能进行优化

数据手册

1+
￥4.82
10+
￥3.92
30+
￥3.47
100+
￥3.02
500+
￥2.76
1000+
￥2.62

有货

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2个P沟道耐压:40V 电流:7.6A

型号：DMP4025LSD-13 编号：C150763

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-40V,-5.8A,25mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.42
10+
￥4.43
30+
￥3.94
100+
￥3.45
500+
￥3.09

有货

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30V 350mA LED 驱动器，符合 AEC-Q100 标准

型号：ZXLD1350ET5TA 编号：C397970

封装：TSOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

led电源驱动器

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.61
30+
￥4.1
100+
￥3.6
500+
￥3.3
1000+
￥3.14

有货

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带复位功能的四通道I2C总线开关

型号：PI4MSD5V9546AZYEX 编号：C2674642

封装：TQFN-16-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

DIODES PI4MSD5V9546A是一款通过I2C总线控制的四路双向转换开关。SCL/SDA上游线对可扩展为四个下游线对，即通道。可根据可编程控制寄存器的内容选择任何单个SCx/SDx通道或通道组合

数据手册

1+
￥8.47
10+
￥7.88
30+
￥7.51
100+
￥7.13
500+
￥6.96
1000+
￥6.89

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:60A

型号：DMP6018LPSQ-13 编号：C5456105

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：直流-直流转换器、负载开关。

1+
￥10.38
10+
￥8.75
30+
￥7.86
100+
￥6.84
500+
￥6.4
1000+
￥6.19

有货

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