DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C10-7-F 编号：C155227

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2144
200+
￥0.1701
600+
￥0.1454
3000+
￥0.1307

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型号：BZT52C5V1-13-F 编号：C526491

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2239
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￥0.1878
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￥0.1677
2000+
￥0.1557
10000+
￥0.132

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型号：BAV99Q-7-F 编号：C442631

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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10+
￥0.2276
100+
￥0.1902
300+
￥0.1715
3000+
￥0.1575
6000+
￥0.1463
9000+
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型号：D5V0H1B2LP-7B 编号：C443643

封装：DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合，使其非常适合用于便携式应用，如手机、数码相机和 MP3 播放器。

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20+
￥0.2384
200+
￥0.1911
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￥0.1649
2000+
￥0.1492
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￥0.1355

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型号：MMSZ5240BS-7-F 编号：C67528

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。通用。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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20+
￥0.2814
200+
￥0.2202
600+
￥0.1862
3000+
￥0.1658
9000+
￥0.1482

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型号：SDM02U30LP3-7B 编号：C151629

封装：X3-DFN0603-2

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ SDM02U30LP3是一款肖特基势垒二极管，针对超低正向压降和低反向漏电流进行了优化。该器件采用超小型X3 - DFN0603 - 2封装，占位面积仅0.18mm²，封装高度极低，专为节省便携式电子设备的PCB空间而设计。

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10+
￥0.2969
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￥0.2412
300+
￥0.2134
1000+
￥0.1925
5000+
￥0.1758
10000+
￥0.1675

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型号：AS393AMTR-G1 编号：C780783

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

AS393/393A由两个独立的精密电压比较器组成，典型失调电压为1.0mV，增益高。它们专门设计用于在宽电压范围内的单电源供电。也可以采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关

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￥0.31536 ￥0.432
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￥0.245511 ￥0.3897
150+
￥0.195305 ￥0.3685
500+
￥0.186931 ￥0.3527
2500+
￥0.1802 ￥0.34
4000+
￥0.176808 ￥0.3336

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型号：DMP2305U-7 编号：C85097

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻: -60mΩ @ VGS =-4.5V。 -90mΩ @ VGS =-2.5V。 -113mΩ @ VGS =-1.8V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.3174
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￥0.2549
300+
￥0.2237
3000+
￥0.1931
6000+
￥0.1744
9000+
￥0.165

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型号：DDTC114YCA-7-F 编号：C57530

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1≠R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。可提供PPAP文件

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10+
￥0.3327
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￥0.2694
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￥0.2378
3000+
￥0.2141
6000+
￥0.1951

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型号：B0530W-7-F 编号：C124188

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环芯片结构。高电导。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.361
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￥0.2876
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￥0.2509
3000+
￥0.2196
6000+
￥0.1976
9000+
￥0.1866

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型号：DDTC143EUA-7-F 编号：C460045

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（DDTA）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具备高可靠性和PPAP能力

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10+
￥0.3708
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￥0.3013
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￥0.2666
3000+
￥0.2405
6000+
￥0.2197
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￥0.2093

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型号：BAV21WS-7-F 编号：C151350

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高反向击穿电压。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合JEDEC标准，具有高可靠性

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10+
￥0.4284
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￥0.3486
300+
￥0.3088
3000+
￥0.2788
6000+
￥0.2549
9000+
￥0.2429

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型号：74AHC1G04W5-7 编号：C460486

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74AHC1G04是一款具有标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围。此门电路实现正布尔函数：引脚分配

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10+
￥0.4333
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￥0.3835
300+
￥0.3586
3000+
￥0.2818
6000+
￥0.2669

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型号：AP2120N-3.3TRG1 编号：C156330

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

由CMOS工艺制造的正电压调节器IC。每个IC由一个电压基准、一个误差放大器、一个用于设置输出电压的电阻网络和一个用于电流保护的限流电路组成。具有高电源电压纹波抑制、低压差、低噪声、高输出电压精度和低电流消耗的特点，适用于各种电池供电设备。有1.2V、1.3V、1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.2V、3.3V、3.6V、4.0V和5.0V版本，采用标准SOT-23封装。

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5+
￥0.548
50+
￥0.4309
150+
￥0.3723
500+
￥0.3284
3000+
￥0.2933
6000+
￥0.2757

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型号：DMP3099L-13 编号：C412516

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道-30V -3.8A

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5+
￥0.5598
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￥0.4363
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￥0.3746
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￥0.3283
2500+
￥0.2913
5000+
￥0.2727

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型号：MURS120-13-F 编号：C260886

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达40A峰值。非常适合自动化组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.5657
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￥0.4973
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￥0.4631
500+
￥0.4375
3000+
￥0.417
6000+
￥0.4067

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型号：SMAJ5.0CA-13-F 编号：C134993

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.6464
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￥0.508
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￥0.4388
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￥0.387
2500+
￥0.3293
5000+
￥0.3085

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型号：SMAZ16-13-F 编号：C155528

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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5+
￥0.6637
50+
￥0.5173
150+
￥0.4441
500+
￥0.3892
2500+
￥0.3453
5000+
￥0.3233

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型号：AP2112K-1.8TRG1 编号：C176944

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是CMOS工艺的低压差线性稳压器，具有使能功能，可提供保证的600mA（最小值）连续负载电流。提供1.2V、1.8V、2.5V、2.6V或3.3V的固定输出电压。输出精度为±1.5%，具有非常快速的环路响应，可出色应对线路和负载瞬变。包括自动放电功能，当设备禁用时，通过60Ω电阻将输出连接到地。具有低功耗特性，提供SOT25、SOT89-5和SO-8封装。

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5+
￥0.7197
50+
￥0.6204
150+
￥0.5778
500+
￥0.5247
3000+
￥0.5011
6000+
￥0.4869

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型号：DMG6601LVT-7 编号：C278728

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.7456
50+
￥0.5969
150+
￥0.5225
500+
￥0.4667
3000+
￥0.4221
6000+
￥0.3998

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型号：DFLS260Q-7 编号：C526562

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严苛要求而设计，非常适合用作以下器件：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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5+
￥0.7566
2500+
￥0.6844

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型号：ES1G-13-F 编号：C85108

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

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5+
￥0.7577
50+
￥0.6232
150+
￥0.556
500+
￥0.5056
2500+
￥0.4528
5000+
￥0.4326

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型号：SMAZ12-13-F 编号：C110523

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7804
50+
￥0.6351
150+
￥0.5624
500+
￥0.5079

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型号：D5V0P4UR6SO-7 编号：C531179

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

D5V0P4UR6SO是一款高性能器件，适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用SOT26封装，具备高ESD浪涌能力和低电容特性。

数据手册

5+
￥0.8201
50+
￥0.6559
150+
￥0.5737
500+
￥0.5121
3000+
￥0.4628

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型号：ZLLS350TA 编号：C139441

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

采用SOD523封装，具备理想的低正向压降（VF）/反向电流（IR）性能，且封装高度较低，使该器件适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。

数据手册

5+
￥0.8316
50+
￥0.6636
150+
￥0.5796
500+
￥0.5166
3000+
￥0.4662
6000+
￥0.441

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型号：B250A-13-F 编号：C134443

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.8727
50+
￥0.704
150+
￥0.6197
500+
￥0.5564
2500+
￥0.5058
5000+
￥0.4805

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型号：B320A-13-F 编号：C110484

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。

数据手册

5+
￥0.9598
50+
￥0.7934
150+
￥0.7103
500+
￥0.6479
2500+
￥0.5137
5000+
￥0.4887

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型号：74HC14S14-13 编号：C130461

封装：SOIC-14

品牌：DIODES(美台)

74HC14提供六个独立的施密特触发输入反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至6.0V的电源电压范围。这些门电路实现布尔函数：

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5+
￥0.9889
50+
￥0.7867
150+
￥0.7001
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￥0.592
2500+
￥0.5438

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型号：AP62300WU-7 编号：C1880390

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用

数据手册

5+
￥0.9892
50+
￥0.7774
150+
￥0.6867
500+
￥0.5735
3000+
￥0.505
6000+
￥0.4748

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型号：DMN3023L-7 编号：C443825

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.9975
50+
￥0.7928
150+
￥0.7051
500+
￥0.5957
3000+
￥0.5246
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