DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN2056U-7 编号：C332302

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.4596
100+
￥0.3781
300+
￥0.3373
3000+
￥0.2815
6000+
￥0.257
9000+
￥0.2448

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型号：BZT52C2V0-7-F 编号：C260893

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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20+
￥0.2697
200+
￥0.2158
600+
￥0.1859
3000+
￥0.1679
9000+
￥0.1523

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型号：1N4148WTQ-7 编号：C526201

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。非常小的表面贴装封装。用于通用开关应用。高电导。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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10+
￥0.28
100+
￥0.2303
300+
￥0.2054
3000+
￥0.1757
6000+
￥0.1608
9000+
￥0.1534

有货

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型号：BAV99DW-7-F 编号：C150465

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。小型表面贴装封装。用于通用开关应用。高电导。一个封装中有两个“BAV99”电路。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.2826
100+
￥0.2283
300+
￥0.2011
3000+
￥0.1671
6000+
￥0.1508
9000+
￥0.1426

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型号：DDZ9702S-7 编号：C674406

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常尖锐的击穿特性。齐纳电压（Vz）的容差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的泄漏电流。无铅设计/RoHS合规。 “绿色”器件

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5+
￥0.287268 ￥0.3882
50+
￥0.254486 ￥0.3439
150+
￥0.238058 ￥0.3217
500+
￥0.225774 ￥0.3051
3000+
￥0.215932 ￥0.2918
6000+
￥0.210974 ￥0.2851

有货

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型号：AS393MTR-G1 编号：C112029

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

AS393/393A由两个独立的精密电压比较器组成，典型失调电压为1.0mV，增益高。它们专门设计用于在宽电压范围内的单电源供电。也可以采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关

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5+
￥0.2966
50+
￥0.2672
150+
￥0.2525
500+
￥0.2415
2500+
￥0.1993
4000+
￥0.1949

有货

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型号：DDTA123ECA-7-F 编号：C5124974

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型（DDTC）。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

10+
￥0.4098
100+
￥0.3326
300+
￥0.294
3000+
￥0.2554

有货

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型号：AS321KTR-G1 编号：C144156

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AS321是一款高增益、内部频率补偿的运算放大器，专为单电源供电而设计，也可采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压大小无关。典型应用包括电池充电器、有源滤波器、通用控制器以及大多数传统运算放大器电路。

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10+
￥0.4397
100+
￥0.3509
300+
￥0.3065
3000+
￥0.2435
6000+
￥0.2169

有货

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型号：AZ1117H-3.3TRG1 编号：C110474

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一系列低压差三端稳压器，在1A输出电流下压差为1.15V。提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调的带隙基准，以确保1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和可调版本的输出电压精度在1%以内，1.2V版本的输出电压精度在2%以内。限流经过微调，以确保指定的输出电流和受控的短路电流。片上热关断功能可防止任何过载和环境温度组合导致的结温过高。有一个可调版本，仅需2个外部电阻即可提供1.25V至12V的输出电压。采用行业标准SOT223、SOT89、TO220-3、TO252-23、TO252-24、TO252-25和TO263电源封装。

数据手册

5+
￥0.5362
50+
￥0.4348
150+
￥0.3841
500+
￥0.3461
2500+
￥0.2904
4000+
￥0.2752

有货

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型号：SMAZ15-13-F 编号：C110524

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5401
50+
￥0.4311
150+
￥0.3766
500+
￥0.3357
2500+
￥0.2594
5000+
￥0.243

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型号：AZ1117CH-5.0TRG1 编号：C99342

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差三端稳压器，针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压应用进行了优化。该设备具备限流和热关断功能。其电路包含一个微调带隙基准，以确保输出电压精度在 ±1% 以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用导致结温过高。有 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5.0V 固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻，可调版本可通过两个外部电阻设置输出电压。提供行业标准的 TO252-2 系列（包括 TO252-2 (3)、TO252-2 (4) 和 TO252-2 (5)）、SOT89 和 SOT223 封装。

数据手册

5+
￥0.5601
50+
￥0.4518
150+
￥0.3977
500+
￥0.3572
2500+
￥0.3247
4000+
￥0.2571

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型号：DMN26D0UFB4-7B 编号：C7525126

封装：DFN-3

品牌：DIODES(美台)

这新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

5+
￥0.5863
50+
￥0.4749
150+
￥0.4193
500+
￥0.3775
2500+
￥0.3441
5000+
￥0.3274

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型号：BSS127S-7 编号：C154890

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代产品采用先进的平面技术 MOSFET，具备出色的高电压性能和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。

数据手册

5+
￥0.6035
50+
￥0.4925
150+
￥0.437
500+
￥0.3953
3000+
￥0.3151
6000+
￥0.2984

有货

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型号：AP3012KTR-G1 编号：C102618

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一种基于电感的升压（降压-升压）转换器，采用高频（1.5MHz）工作，因此可以使用小型、低剖面电感。内置过压保护（OVP），当输出电压超过29V的OVP阈值时，设备将进入关断模式。采用标准SOT-23-5封装。

数据手册

5+
￥0.6503
50+
￥0.5239
150+
￥0.4589
500+
￥0.4053
3000+
￥0.3317

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型号：B260-13-F 编号：C72265

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6625
50+
￥0.5299
150+
￥0.4637
500+
￥0.4139
3000+
￥0.3451
6000+
￥0.3252

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型号：SBR3A40SA-13 编号：C110516

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：低泄漏电流。专利超势垒整流器技术。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，绿色器件。应用：开关电源（SMPS）。交流-直流（AC-DC）

数据手册

5+
￥0.7326
50+
￥0.593
150+
￥0.5233
500+
￥0.4709
2500+
￥0.4019
5000+
￥0.3809

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型号：DMMT5401-7-F 编号：C154733

封装：SOT-26(SC74R)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V，2% 匹配容差。 hFE、Vce(SAT)、Vbe(SAT) 适合中功率放大和开关。单个 SOT26 (SC74R) 封装中的双晶体管，占用空间为两个等效 SOT23 晶体管的一半。外延平面管芯结构。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色” 器件

数据手册

5+
￥0.7537
50+
￥0.5874
150+
￥0.5043
500+
￥0.442
3000+
￥0.3921
6000+
￥0.3672

有货

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型号：DMP6350S-7 编号：C155308

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.7995
50+
￥0.6668
150+
￥0.6005
500+
￥0.5507
3000+
￥0.4982
6000+
￥0.4783

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型号：SBR3U30P1-7 编号：C110517

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。卓越的反向雪崩能力。专利联锁夹设计，具备高浪涌电流能力。专利超级势垒整流器 (SBR) 技术。软、快速开关能力。工作结温 +150℃。 ±16kV ESD 保护 (HBM, 3B)。 ±25kV ESD 保护 (IEC61000-4-2 等级 4, 空气放电)。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。本产品符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

数据手册

5+
￥0.9159
50+
￥0.7258
150+
￥0.6308
500+
￥0.5595
3000+
￥0.4684
6000+
￥0.4399

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型号：AP3015KTR-G1 编号：C151334

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

AP3015/A 是脉冲频率调制（PFM）DC/DC 转换器。除开关电流限制外，这两款器件在功能上等效

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5+
￥0.9776
50+
￥0.8625
150+
￥0.8131
500+
￥0.7515
3000+
￥0.6142
6000+
￥0.5977

有货

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型号：ZXM61P02FTA 编号：C150486

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.9797
50+
￥0.7971
150+
￥0.7059
500+
￥0.6374
3000+
￥0.5827
6000+
￥0.5553

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型号：ZXGD3009DYTA 编号：C441818

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009DY是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达1A的峰值源极/漏极电流，以对容性负载进行有效充放电。该栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

数据手册

5+
￥1.3036
50+
￥1.0497
150+
￥0.9409
500+
￥0.8052
3000+
￥0.6882
6000+
￥0.6519

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型号：SDT5A60SA-13 编号：C3024223

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：低漏电流。软快速开关能力。工作结温可达 +150℃。无铅表面处理，符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：开关电源。 AC-DC、DC-DC 转换器

数据手册

5+
￥1.3264
50+
￥1.0527
150+
￥0.9354
500+
￥0.7891
2500+
￥0.7125
5000+
￥0.6734

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型号：SBR10E45P5-13 编号：C73567

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

SBR10E45P5采用紧凑且散热高效的PowerD|₅封装，可提供超低正向压降（Vₓ），并在高温下具备出色的低反向漏电流稳定性。它非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.6293
50+
￥1.3077
150+
￥1.1698
500+
￥0.9978
2500+
￥0.8692
5000+
￥0.8233

有货

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型号：ZX5T1951GTA 编号：C155516

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -60V。 IC = -6A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < -95mV 最大值 @ -1A。 RCE(sat) = 40mΩ 低等效导通电阻。 hFE 指定至 -10A 以实现高增益保持。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：电机驱动。 DC-DC 模块

数据手册

5+
￥1.8545
50+
￥1.5007
150+
￥1.349
1000+
￥1.1598
2000+
￥1.0756
5000+
￥1.025

有货

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型号：AL5809-20P1-7 编号：C531144

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

数据手册

5+
￥1.9294
50+
￥1.4975
150+
￥1.3124
500+
￥1.0815
3000+
￥0.9786

有货

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型号：PAM2863ECR 编号：C80312

封装：SOIC-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款连续模式电感降压转换器，设计用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联连接的LED。该器件的输入电源电压范围为4.5V至40V，可提供高达2A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件的不同，可提供高达30瓦的输出功率。包含输出开关和高端输出电流检测电路，使用外部电阻设置标称平均输出电流。可通过向VSET引脚施加外部控制信号将输出电流调整到设定值以下。VSET引脚可接受直流电压或PWM波形。可使用从VSET引脚到地的外部电容器来增加软启动时间。向VSET引脚施加0.2V或更低的电压可关闭输出，并将器件切换到低电流待机状态。

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.08
30+
￥1.83
100+
￥1.52
500+
￥1.31
1000+
￥1.22

有货

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型号：FZT857TA 编号：C460220

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 300V。高连续集电极电流 IC = 3.5A。峰值脉冲电流 ICM = 5A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 155mV @ 1A。低等效导通电阻 RCE(SAT) = 87mΩ。 hFE 高达 3A 时仍有高增益保持。互补 PNP 型：FZT957。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册