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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
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  • 10+

    ¥0.3051
  • 100+

    ¥0.2428
  • 300+

    ¥0.2116
  • 3000+

    ¥0.1882
  • 6000+

    ¥0.1695
  • 9000+

    ¥0.1601
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  • N沟道,30V,2.6A,98mΩ@2.5V
    数据手册
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      ¥0.5536
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      ¥0.4458
    • 150+

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      ¥0.3516
    • 3000+

      ¥0.3192
    • 6000+

      ¥0.3031
  • 有货
  • VBR=5V,Vc=9.2V,Ipp=65.2A
    数据手册
    • 3+

      ¥0.6613
    • 30+

      ¥0.5359
    • 90+

      ¥0.4731
    • 300+

      ¥0.426
    • 1500+

      ¥0.3884
    • 3000+

      ¥0.3696
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-500V。 IC =-150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达-500mA 峰值脉冲电流。 高达 IC =-100mA 时具有出色的 hFE 特性。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6826
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      ¥0.5482
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      ¥0.3674
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      ¥0.3472
  • 有货
  • 是一款低压差三端稳压器,针对瞬态响应和最小输入电压至关重要的低电压进行了优化。该器件提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调带隙基准,以确保输出电压精度在±1%以内。片上热关断功能可防止大电流和环境温度共同作用可能导致的结温过高。有1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V固定输出电压版本以及一个可调输出电压版本。固定版本集成了调节电阻。也有一个可调版本,可以用两个外部电阻设置输出电压。有行业标准的SOT223和TO252-2封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9204
    • 50+

      ¥0.725
    • 150+

      ¥0.6274
    • 500+

      ¥0.5541
    • 2500+

      ¥0.4955
    • 4000+

      ¥0.4662
  • 有货
  • 特性:保护环管芯结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 专利联锁夹设计,高浪涌电流容量。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件(单独的数据手册DFLS1150Q)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1996
    • 50+

      ¥0.963
    • 150+

      ¥0.8616
    • 500+

      ¥0.7351
    • 3000+

      ¥0.6394
    • 6000+

      ¥0.6056
  • 有货
  • LM4040是一系列带隙电路,旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装,非常适合对空间要求苛刻的应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7181
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      ¥1.3149
    • 150+

      ¥1.1421
    • 500+

      ¥0.9264
    • 3000+

      ¥0.8304
    • 6000+

      ¥0.7728
  • 有货
  • 新一代互补MOSFET H桥,具有低导通电阻,可通过低栅极驱动实现。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0445
    • 50+

      ¥1.6614
    • 150+

      ¥1.4973
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      ¥1.0884
    • 2500+

      ¥0.9972
    • 5000+

      ¥0.9424
  • 有货
  • LM4040是一系列带隙电路,旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。 它们采用小外形SOT23表面贴装封装,非常适合对空间要求苛刻的应用。 在60μA至15mA的工作电流范围内,器件性能出色,典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性,可保持出色的稳定性。 此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2883
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      ¥1.8061
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      ¥1.5994
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      ¥1.2076
    • 3000+

      ¥1.0928
    • 6000+

      ¥1.0239
  • 有货
  • 是一款迟滞模式DC-DC降压LED驱动器,用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联连接的LED。该器件可在4.5V至40V的输入电源电压下工作,并为MSOP8EP封装提供高达1.5A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件,该转换器可提供高达40W的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流感测电路,使用外部电阻设置标称平均输出电流
    数据手册
    • 1+

      ¥2.57
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.74
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      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.22
  • 有货
  • PAM8945是一款高效的G类音频功率放大器,集成了升压转换器。它能够向4Ω扬声器提供高达4.0W(总谐波失真加噪声为10%)的功率。PAM8945的典型效率为85%,有助于在播放音频时延长电池续航时间
    数据手册
    • 1+

      ¥3.28
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      ¥2.55
    • 30+

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      ¥1.68
    • 1000+

      ¥1.57
  • 有货
  • AP64200 是一款 2A 同步降压转换器,输入电压范围宽,为 3.8V 至 40V。该器件完全集成了一个 150mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 80mΩ 的低端功率 MOSFET,可实现高效的降压式 DC - DC 转换。由于采用了峰值电流模式控制,AP64200 最大限度地减少了外部元件数量,使用起来十分便捷
    • 1+

      ¥5.16
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      ¥4.17
    • 30+

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      ¥3.19
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      ¥2.89
    • 1000+

      ¥2.74
  • 有货
  • AP64352 是一款 3.5A 同步降压转换器,具有 3.8V 至 40V 的宽输入电压范围。该器件完全集成了 75mΩ 高侧功率 MOSFET 和 45mΩ 低侧功率 MOSFET,提供高效的降压 DC-DC 转换。它采用峰值电流模式控制,并集成了环路补偿网络,简化了外部组件的数量。AP64352 优化了电磁干扰 (EMI) 减少,具有专有的栅极驱动方案,可减少高频辐射 EMI 噪声。此外,还支持频率扩展谱 (FSS) 以进一步减少 EMI。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.21
    • 10+

      ¥5.1
    • 30+

      ¥4.48
    • 100+

      ¥3.79
    • 500+

      ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.35
  • 有货
  • AP64350是一款3.5A同步降压转换器,输入电压范围为3.8V至40V,具有高效率的降压DC-DC转换功能。该器件集成了75mΩ高侧和45mΩ低侧功率MOSFET,采用峰值电流模式控制,具有电磁干扰(EMI)减少功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥5.07
    • 30+

      ¥4.42
    • 100+

      ¥3.79
    • 500+

      ¥3.41
    • 1000+

      ¥3.21
  • 有货
  • 是一款符合PCI Express 3.0和以太网要求的扩频时钟发生器。可用于PC或嵌入式系统,以大幅降低电磁干扰(EMI)。提供两个差分(HCSL)或LVDS扩频输出。配置为选择扩频和时钟。采用锁相环(PLL)技术,接收25MHz晶体输入,并在25MHz、100MHz、125MHz和200MHz时钟频率下产生两对差分输出(HCSL)。提供-0.5%、-0.75%和无扩频选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.95
    • 10+

      ¥6.51
    • 30+

      ¥5.72
    • 100+

      ¥4.82
    • 500+

      ¥4.42
    • 1000+

      ¥4.25
  • 有货
  • 是一种连续模式电感降压转换器,用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联LED。该设备的输入电源范围为6V至60V,可提供高达550mA的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件的不同,可提供高达30瓦的输出功率。工作环境温度范围为 -40°C至 +125°C。可通过向“ADJ”引脚施加外部控制信号来调节输出电流高于或低于设定值。通过向“ADJ”引脚施加PWM信号,可实现增强的输出电流调光。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.35
    • 10+

      ¥6.84
    • 30+

      ¥6.01
    • 100+

      ¥5.08
    • 500+

      ¥4.66
    • 1000+

      ¥4.48
  • 有货
  • 特性:表面贴装封装,非常适合自动插入。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1791
    • 200+

      ¥0.1549
    • 600+

      ¥0.1415
    • 3000+

      ¥0.1334
    • 9000+

      ¥0.1264
    • 21000+

      ¥0.1227
  • 有货
  • 特性:500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2271
    • 200+

      ¥0.1832
    • 600+

      ¥0.1587
    • 3000+

      ¥0.1311
    • 9000+

      ¥0.1184
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2838
    • 200+

      ¥0.2352
    • 600+

      ¥0.2081
    • 3000+

      ¥0.1919
    • 9000+

      ¥0.1779
  • 有货
  • AN431系列集成电路是三端可调并联稳压器,在整个工作范围内具有可靠的热稳定性。这些集成电路具有陡峭的导通特性、低温度系数和低输出阻抗,使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。这些集成电路的输出电压可设置为VREF(2.5V)至最大阴极电压(36V)之间的任意值
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2897
    • 100+

      ¥0.2333
    • 300+

      ¥0.2051
    • 3000+

      ¥0.184
    • 6000+

      ¥0.1671
    • 9000+

      ¥0.1586
  • 有货
  • 特性:平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2953
    • 100+

      ¥0.2397
    • 300+

      ¥0.212
    • 3000+

      ¥0.1911
    • 6000+

      ¥0.1745
    • 9000+

      ¥0.1661
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3038
    • 100+

      ¥0.2678
    • 300+

      ¥0.2498
    • 3000+

      ¥0.2362
    • 6000+

      ¥0.2254
    • 9000+

      ¥0.22
  • 有货
  • 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3136
    • 100+

      ¥0.2775
    • 300+

      ¥0.2594
    • 3000+

      ¥0.2459
    • 6000+

      ¥0.235
    • 9000+

      ¥0.2296
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 快速恢复时间,效率高。 浪涌过载额定值达30A峰值。 适合自动化组装。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.3653
    • 50+

      ¥0.2875
    • 150+

      ¥0.2486
    • 500+

      ¥0.2195
    • 2500+

      ¥0.1945
    • 5000+

      ¥0.1828
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗,高效率。 适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子在 +260℃ 下持续 10 秒。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。应用:极性保护二极管。 续流二极管
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3869
    • 100+

      ¥0.3106
    • 300+

      ¥0.2724
    • 1000+

      ¥0.2438
    • 5000+

      ¥0.2105
    • 10000+

      ¥0.1991
  • 有货
  • 特性:小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计,适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.422
    • 100+

      ¥0.3435
    • 300+

      ¥0.3042
    • 3000+

      ¥0.2748
    • 6000+

      ¥0.2512
    • 9000+

      ¥0.2394
  • 有货
  • N管 20V 4.2A 汽车级AEC-Q101
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4438
    • 100+

      ¥0.3575
    • 300+

      ¥0.3143
    • 3000+

      ¥0.2819
    • 6000+

      ¥0.256
    • 9000+

      ¥0.243
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:背光照明、电源管理功能、DC - DC转换器、电机控制。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4466
    • 100+

      ¥0.3544
    • 300+

      ¥0.3084
    • 3000+

      ¥0.2738
    • 6000+

      ¥0.2462
    • 9000+

      ¥0.2323
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:通用接口、开关电源管理功能、模拟开关。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.454088 ¥0.7324
    • 50+

      ¥0.400458 ¥0.6459
    • 150+

      ¥0.377518 ¥0.6089
    • 500+

      ¥0.348812 ¥0.5626
    • 3000+

      ¥0.33604 ¥0.542
    • 6000+

      ¥0.328414 ¥0.5297
  • 有货
  • 这款新一代瞬态电压抑制器(TVS)旨在保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)造成的损坏。小尺寸与高ESD浪涌能力相结合,使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4955
    • 100+

      ¥0.3902
    • 300+

      ¥0.3375
    • 3000+

      ¥0.298
    • 6000+

      ¥0.2665
    • 9000+

      ¥0.2507
  • 有货
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