DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMN2992UFB4-7B 编号：C19949844

封装：X2-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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10+
￥0.3332
100+
￥0.2676
300+
￥0.2348
1000+
￥0.2103
5000+
￥0.1906
10000+
￥0.1807

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型号：BZT585B20T-7 编号：C5197490

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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10+
￥0.3334
100+
￥0.2668
300+
￥0.2335
3000+
￥0.2085

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型号：DDTA143EUA-7-F 编号：C460030

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型（DDTC）。内置偏置电阻，R1≠R2。无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

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10+
￥0.3338
100+
￥0.2738
300+
￥0.2438
3000+
￥0.2213

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型号：74LVC1G14SE-7 编号：C130459

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。

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10+
￥0.3349
100+
￥0.2667
300+
￥0.2326

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型号：MMBT3906LP-7B 编号：C780859

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -40V。高集电极电流：IC = -200mA。功耗：PD = 1000mW。封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。互补NPN型。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

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5+
￥0.3604
50+
￥0.3174
150+
￥0.2959
500+
￥0.2797
2500+
￥0.2668
5000+
￥0.2604

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型号：BAS40-06T-7-F 编号：C134362

封装：SC-75(SOT-523)

品牌：DIODES(美台)

1对共阳极肖特基阵列

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5+
￥0.36113 ￥0.469
50+
￥0.319935 ￥0.4155
150+
￥0.299299 ￥0.3887
500+
￥0.283822 ￥0.3686
3000+
￥0.271425 ￥0.3525
6000+
￥0.265265 ￥0.3445

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型号：DMG2307L-7 编号：C102620

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道， -30V -3.8A 90mΩ

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10+
￥0.3688
100+
￥0.292
300+
￥0.2537

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型号：BZX84C30Q-13-F 编号：C5566673

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

10+
￥0.3731
100+
￥0.2977
300+
￥0.26
1000+
￥0.2318

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型号：DDTC123JUA-7-F 编号：C460041

封装：SOT-323

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面管芯结构。内置偏置电阻。适合自动组装的表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

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10+
￥0.38
100+
￥0.3087
300+
￥0.2731
3000+
￥0.2464

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型号：74LVC2G14DW-7 编号：C362110

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G14是一款双施密特触发器反相门，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5.5V的电源电压范围。其输入可承受5.5V电压，允许该器件在混合电压环境中使用

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10+
￥0.3841
100+
￥0.3025
300+
￥0.2617

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型号：DDZ9686Q-7 编号：C5668003

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。在低测试电流(50μA)下指定，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装过程。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

10+
￥0.3842
100+
￥0.3121
300+
￥0.2761

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型号：74AHC1G14SE-7 编号：C460491

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHC1G14是一款单路1输入施密特触发器反相门，具有标准推挽输出。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围。该门实现正布尔函数：引脚分配

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10+
￥0.3842
100+
￥0.3015
300+
￥0.2601

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型号：MMDT3946-7-F 编号：C151354

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个类似3904的NPN型和一个类似3906的PNP型。超小表面贴装封装。外延平面管芯结构。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

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10+
￥0.3922
100+
￥0.3152
300+
￥0.2768

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型号：SDM02M30LP3-7B 编号：C155368

封装：X3-DFN0603-2

品牌：DIODES(美台)

SDM02M30LP3是一款肖特基势垒二极管，针对低正向压降和极低反向漏电流进行了优化。该器件采用超小型DFN - 0603封装，占位面积仅0.18mm²，封装高度极低，专为节省便携式电子设备的PCB空间而设计。

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10+
￥0.3969
100+
￥0.323
300+
￥0.286
1000+
￥0.2583

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型号：DZ9F3V0S92-7 编号：C5244901

封装：SOD-923

品牌：DIODES(美台)

特性：超小表面贴装封装（1.0 x 0.6 x 0.37mm）。扁平引脚、散热高效的封装设计。外露、易于观察的端子，无需对焊点进行X射线检查（如DIN封装）。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

20000+
￥0.2526
40000+
￥0.24839
80000+
￥0.242075
160000+
￥0.23155

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型号：74AHCT1G125SE-7 编号：C151417

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74AHCT1G125是一款具有三态输出的单路同相缓冲器/总线驱动器。当输出使能（OE）引脚施加高电平时，输出进入高阻态

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10+
￥0.4064
100+
￥0.3248
300+
￥0.284

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型号：BZX84C3V3Q-7-F 编号：C2760558

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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10+
￥0.4079
100+
￥0.3314
300+
￥0.2932

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型号：BZX84C10S-7-F 编号：C150749

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 200mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-39V。超小型表面贴装封装。无铅/符合 RoHS 标准。 “绿色”器件

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5+
￥0.408265 ￥0.6281
50+
￥0.30602 ￥0.5564
150+
￥0.234225 ￥0.5205
500+
￥0.22212 ￥0.4936
3000+
￥0.212445 ￥0.4721
6000+
￥0.207585 ￥0.4613

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型号：BAT42WS-7-F 编号：C134397

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.409
100+
￥0.3414
300+
￥0.3077
3000+
￥0.2571

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型号：B140WS-7 编号：C95171

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.4113
100+
￥0.3393
300+
￥0.3033

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型号：AP431SANTR-G1 编号：C97719

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AP431S/AP431SH是一款三端可调并联稳压器，在整个工作范围内具有良好的热稳定性。它具有陡峭的导通特性、低温漂系数和低输出阻抗，使其成为开关电源、充电器及其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品。除了具备用于稳压的低最小阴极电流特性外，AP431S/AP431SH的电气规格与行业标准431相同

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5+
￥0.413366 ￥0.7127
50+
￥0.273024 ￥0.5688
150+
￥0.188822 ￥0.4969
500+
￥0.168302 ￥0.4429
3000+
￥0.151886 ￥0.3997
6000+
￥0.143678 ￥0.3781

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型号：BAV23S-7-F 编号：C151049

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。适用于电池供电的便携式应用。高反向击穿电压。低泄漏电流。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合 JEDEC 标准（如 AEC-Q 中引用），具有高可靠性

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10+
￥0.4185
100+
￥0.3407
300+
￥0.3018

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型号：DCX114EU-7-F 编号：C460018

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：供电电压 VO = 50V。偏置电阻范围。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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10+
￥0.4277
100+
￥0.3494
300+
￥0.3103

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型号：RS2D-13-F 编号：C80770

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

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5+
￥0.429072 ￥0.8939
50+
￥0.378384 ￥0.7883
150+
￥0.356688 ￥0.7431
500+
￥0.329616 ￥0.6867
3000+
￥0.31752 ￥0.6615
6000+
￥0.310272 ￥0.6464

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型号：ZXTP2041FTA 编号：C443628

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-1A 高连续电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) <-500mV @-1A。 RSAT = 350mΩ 低等效导通电阻。互补 NPN 型：ZXTN2041F。应用：功率 MOSFET 栅极驱动。低损耗功率开关

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10+
￥0.4302
100+
￥0.3463
300+
￥0.3043
3000+
￥0.2728

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型号：D5V0F1U2LPQ-7B 编号：C1849664

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电 ±20kV，接触放电 ±15kV。 1 通道 ESD 保护。低通道输入电容：典型值 0.5pF。薄型封装（最大 0.58mm）和超小 PCB 占位面积（最大 1.08mm * 0.68mm），适用于紧凑型便携式电子产品。通常用于高速端口，如 USB 2.0、IEEE1394、串行 ATA、DVI、HDMI、PCI。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用；通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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