DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZXTP07040DFFTA 编号：C445507

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

这款低压PNP晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23封装引脚兼容，但在功率密度至关重要的应用中，它提供了更低的外形和更高的散热能力。

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￥2.9
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型号：ZXTN25040DFHTA 编号：C155357

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 40V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压 VCE(sat) < 55mV @ 1A。RCE(sat) = 35mΩ。hFE 特性高达 10A。高 hFE 最小值 300 @ 1A。应用：MOSFET 栅极驱动器。电源开关

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型号：DMT4011LFG-7 编号：C264099

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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型号：FL1600142Q 编号：C6251712

封装：SMD3225-4P

品牌：DIODES(美台)

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型号：ZXCT1022E5TA 编号：C150487

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1022是一款精密高端电流检测监视器。使用此类器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。 ZXCT1022为需要最小检测电压的应用提供100的固定增益。极低的失调电压使仅10mV的检测电压就能实现3%的典型精度，为大电流下所需的小检测电阻提供了更好的容差。 20V至低至2.5V的宽输入电压范围使其适用于多种应用。最低工作电流仅为25μA，再加上其SOT23 - 5封装，使其也适用于便携式电池设备。

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型号：PI4IOE5V9535ZDEX 编号：C3188776

封装：QFN-24(4x4)

品牌：DIODES(美台)

PI4IOE5V9535 是一个24引脚设备，提供16位通用并行输入/输出(GPIO)扩展，适用于IC总线/SMBus应用。它包括高驱动能力、5V耐压、低功耗、单个I/O配置和小封装等特性。

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型号：ZXCT1021E5TA 编号：C780912

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1021是一款精密高端电流检测监控器。使用此类器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。 ZXCT1021为需要最小检测电压的应用提供10倍的固定增益。极低的失调电压使仅10mV的检测电压就能实现3%的典型精度，为大电流下所需的小阻值检测电阻提供了更好的容差。 20V至低至2.5V的宽输入电压范围使其适用于多种应用。仅25μA的最小工作电流，再加上SOT23 - 5封装，使其也适用于便携式电池设备。

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型号：ZXTR1005K4-13 编号：C445030

封装：TO-252-4

品牌：DIODES(美台)

ZXTR1005K4是一款高压稳压器，其固定输出电压为5V ±2%，驱动能力为50mA。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计。此功能完全集成在一个TO252封装中，与多芯片分立解决方案相比，可最大限度减少PCB面积并减少元件数量

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型号：PI3USB221AZUAEX 编号：C526712

封装：UQFN-10(1.5x2)

品牌：DIODES(美台)

高带宽开关，专为高速 USB 2.0 信号切换设计。支持 2.5V 和 3.3V 电源电压操作，低功耗模式下电流消耗仅为 2 μA。

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￥3.54
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型号：DMP22M2UPS-13 编号：C264093

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代P沟道增强型MOSFET专为在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻RDS(ON)降至最低而设计。

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单价：
￥3.59 / 个

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型号：ZXMP3A17E6TA 编号：C154715

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，适用于高效、低压电源管理应用。

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型号：PI3EQX7502AIZDEX 编号：C526708

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：DIODES(美台)

低功耗，高性能5.0 Gbps信号ReDriver，专为USB 3.0协议设计。提供可编程均衡、去加重和输入阈值控制，以优化各种物理介质上的性能。

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型号：DMTH6010LPSWQ-13 编号：C6183752

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC Q101 标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：发动机管理系统、车身控制电子设备、DC - DC 转换器。

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￥3.76
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￥3.02
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型号：ZXTP03200BGTA 编号：C508265

封装：SOT-223-4

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCBO > -200V。 IC = -2A 高连续集电极电流。 ICM = -5A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -160mV @ IC = -1A。 RSAT = 135mΩ，低等效导通电阻。增强的开关性能。应用：DC-DC 转换

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型号：ZXMS6004DGTA 编号：C211386

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6004DG是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFET™ MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。ZXMS6004DG非常适合作为由3驱动的通用开关

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型号：ZVP3306A 编号：C211372

封装：TO-92

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-60V,-160mA

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￥3.99
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型号：74LVC1T45Z6-7 编号：C441819

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

74LVC1T45是一款单比特、双电源收发器，具有三态输出，适用于在不同电压域之间传输单个逻辑位。A输入/输出引脚设计为跟踪VCCA，而B输入/输出引脚跟踪VCCB。这种配置允许在1.65V至5.5V的任意电压之间进行通用低压转换

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￥4.04
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型号：US3200005Z 编号：C1987086

封装：SMD1612-4P

品牌：DIODES(美台)

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型号：ZXMP4A16KTC 编号：C154913

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

新一代沟槽MOSFET采用独特结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，适用于高效、低电压电源管理应用。

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￥4.35
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型号：ZXSC400E6TA 编号：C444416

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

是一款采用SOT23-6封装的电压模式升压转换器。其低反馈电压允许通过单个电阻设置并精确监控一串LED中的电流，损耗极小。出色的负载和线性调节意味着在锂离子电池的整个电源范围内，LED电流的变化通常小于1%。使用额定电压为20V及更高的高效开关晶体管，可将多个LED串联，以实现最佳的LED电流匹配。

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型号：MBRB20200CT-13 编号：C132215

封装：TO-263-2

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。

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￥4.53
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型号：PI4MSD5V9543ALEX 编号：C2674741

封装：TSSOP-14

品牌：DIODES(美台)

是一种双向转换开关，由I²C总线控制。可选择任何单独的SCx/SDx通道或通道组合，由可编程控制寄存器的内容决定。有两个上游对扩展到两个下游对，还提供中断输入INTO和INT1（每个下游对一个）以及一个中断输出INT（作为两个中断输入的与）。

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￥4.54
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型号：ZXCT1085QE5TA 编号：C5329422

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1082Q/83Q/84Q/85Q/86Q/87Q是高端单极性电流检测监控器。这些器件无需在检测负载电流时中断接地层。ZXCT1082Q/1084Q/1086Q的最大工作电压为60V，ZXCT1083Q/1085Q/1087Q的最大工作电压为40V

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￥4.6
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￥4.18
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￥3.94
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￥3.68
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￥3.56
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￥3.5

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型号：ZXTP19060CZTA 编号：C780921

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

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￥3.83
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￥2.97
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型号：DMP34M4SPS-13 编号：C461087

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。

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￥4.8
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￥2.99

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型号：FZT957TA 编号：C531147

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：1安培连续电流。高达2安培峰值电流。极低的饱和电压。高达1安培时具有出色的增益特性

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￥4.81
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￥3.99
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型号：FL3200037 编号：C1987109

封装：SMD3225-4P

品牌：DIODES(美台)

4 引脚 FL 系列缝封装置包含一个超小型 AT 切割晶体谐振器，封装在标准 3.2×2.5mm 陶瓷封装中。这些紧凑型晶体非常适合在高密度或小尺寸 PCB 应用中进行表面贴装。

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￥4.89
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￥3.96
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￥3.5
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￥3.04
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￥2.76
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￥2.62

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型号：ZXTN2011ZTA 编号：C150490

封装：SOT-89

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 4.5A 高连续电流。 ICM = 10A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 31mΩ 低等效导通电阻。低饱和电压 VCE(sat) < 60mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A，实现高电流增益保持。应用：电机驱动。线路开关

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￥4.96
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￥4.09
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￥3.66
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￥3.24

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型号：FZT869TA 编号：C151042

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 25V。高连续集电极电流 IC = 7A。峰值脉冲电流 ICM = 20A。极低饱和电压 VCE(SAT) < 110mV @ 1A。在 5A 时 RCE(SAT) = 36mΩ，实现低等效导通电阻。hFE 规定高达 20A，实现高增益保持。PTOT = 3W。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，具备高可靠性

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￥5.12
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￥4.07
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￥3.55
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￥3.03
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￥2.72

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型号：PDS835L-13 编号：C444972

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环管芯结构用于瞬态保护。低正向压降。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高正向浪涌电流能力。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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￥5.76
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