DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74LVC1G57W6-7 编号：C460531

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G57是一款单路3输入正逻辑可配置多功能门电路，具有标准推挽输出。输出状态由3位输入的八种组合决定

数据手册

5+
￥0.4919
50+
￥0.3859
150+
￥0.3328
500+
￥0.2931

有货

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型号：DMG301NU-13 编号：C2759894

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (Rₒₙ)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.4928
50+
￥0.4282
150+
￥0.3959
500+
￥0.3717
2500+
￥0.3523
5000+
￥0.3426

有货

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型号：LM2902S14-13 编号：C2060319

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

LM2902/LM2904系列放大器分别由四个和两个独立的高增益运算放大器组成，具有极低的输入失调电压规格。它们设计用于在宽电压范围内的单电源供电；不过，也可以采用双电源供电。它们的电源电流较低，且与电源电压的大小无关

数据手册

5+
￥0.517882 ￥0.8929
50+
￥0.37728 ￥0.786
150+
￥0.281276 ￥0.7402
500+
￥0.25954 ￥0.683
2500+
￥0.24985 ￥0.6575
5000+
￥0.244074 ￥0.6423

有货

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型号：BAV199T-7-F 编号：C212300

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

整流二极管

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10+
￥0.5255
100+
￥0.4252
300+
￥0.3751

有货

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型号：1N4935G-T 编号：C5245049

封装：DO-41

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。扩散结。快速开关，高效能。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。无铅表面处理，符合RoHS标准

5+
￥0.5357
50+
￥0.4322
150+
￥0.3805
500+
￥0.3417
2500+
￥0.3106

有货

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型号：MMBT3906T-7-F 编号：C508223

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-40V。 IC =-200mA 集电极电流。外延平面芯片结构。超小表面贴装封装。互补 NPN 型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑-“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

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10+
￥0.5402
100+
￥0.4491
300+
￥0.4035

有货

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型号：S2BA-13-F 编号：C150463

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理/符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥0.542424 ￥0.5592
50+
￥0.395241 ￥0.4543
150+
￥0.309463 ￥0.4019
500+
￥0.279202 ￥0.3626
2500+
￥0.254947 ￥0.3311
5000+
￥0.242858 ￥0.3154

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型号：74LVC1G04W5-7 编号：C460517

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G04是一款带标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于在1.65V至5V的电源电压范围内工作。

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10+
￥0.545
100+
￥0.4531
300+
￥0.4071

有货

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型号：B180-13-F 编号：C155354

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

数据手册

5+
￥0.5516
50+
￥0.4441
150+
￥0.3904
500+
￥0.35
2500+
￥0.3178

有货

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型号：DZ23C12Q-7-F 编号：C7269427

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。 300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式，参见 AZ 系列。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。可提供生产件批准程序 (PPAP)

5+
￥0.5522
50+
￥0.4442
150+
￥0.3902
500+
￥0.3497

有货

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型号：MMBD4448HCDW-7-F 编号：C5249028

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。低正向电压：5mA时最大0.72V。低反向电流：70V时最大100nA。快速反向恢复：最大4ns。低电容：最大3.5pF。小表面贴装封装。适用于通用开关应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产

5+
￥0.5574
50+
￥0.4875
150+
￥0.4525
500+
￥0.4263
2500+
￥0.4054
5000+
￥0.3949

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型号：ADTA143ECAQ-7 编号：C526355

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。内置偏置电阻，R1 = R2。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

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5+
￥0.571
50+
￥0.4592
150+
￥0.4033
500+
￥0.3613
3000+
￥0.3278

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型号：RS1GB-13-F 编号：C150440

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。快速恢复时间，效率高。浪涌过载额定值达30A峰值。适合自动化组装。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，环保器件

数据手册

5+
￥0.57889 ￥0.949
50+
￥0.387294 ￥0.7594
150+
￥0.272486 ￥0.6646
500+
￥0.243335 ￥0.5935
3000+
￥0.220006 ￥0.5366
6000+
￥0.208321 ￥0.5081

有货

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型号：SBRT3U60SA-13-01 编号：C5144613

封装：-

品牌：DIODES(美台)

5+
￥0.579
50+
￥0.5129
150+
￥0.4798
500+
￥0.455
2500+
￥0.4352

有货

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型号：BC847BVC-7 编号：C150761

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 45V。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥0.5853
50+
￥0.4783
150+
￥0.4248
500+
￥0.3846

有货

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型号：S2JA-13-F 编号：C780889

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降和高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。非常适合自动组装。无铅表面处理/符合RoHS标准。绿色模塑化合物（无卤素和锑）

数据手册

5+
￥0.5867
50+
￥0.4728
150+
￥0.4159
500+
￥0.3731
2500+
￥0.339

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型号：DMP21D6UFB4-7B 编号：C3282099

封装：X2-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

5+
￥0.5899
50+
￥0.4876
150+
￥0.4437
500+
￥0.389
2500+
￥0.3647
5000+
￥0.35

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型号：BZT52C4V3LP-7 编号：C5248673

封装：X1-DFN1006-2

品牌：DIODES(美台)

特性：超小无铅表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

5+
￥0.5923
50+
￥0.4738
150+
￥0.4146
500+
￥0.3701

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型号：AS324AMTR-E1 编号：C2059199

封装：SOIC-14

品牌：DIODES(美台)

AS324/324A 由四个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成。它们专为单电源供电而设计，也可采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路

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5+
￥0.6178
50+
￥0.5478
150+
￥0.5128
500+
￥0.4865
2500+
￥0.4655

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型号：AZ23C6V8-7-F 编号：C5199762

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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5+
￥0.6184
50+
￥0.4948
150+
￥0.4331
500+
￥0.3867

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型号：D7G-T 编号：C7435972

封装：插件

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。高电流能力和低正向压降。浪涌过载额定值达30A峰值。无铅表面处理，符合RoHS标准

5+
￥0.633
50+
￥0.503
150+
￥0.438
500+
￥0.3893

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型号：DMP2004VK-7 编号：C145114

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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5+
￥0.6405
50+
￥0.5325
150+
￥0.4785
500+
￥0.438
3000+
￥0.4056

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型号：AS339MTR-E1 编号：C179317

封装：SO-14

品牌：DIODES(美台)

AS339/339A由四个独立的精密电压比较器组成，典型失调电压为2.0mV，增益高。它们专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计，也可使用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压大小无关。 AS339/339A系列与行业标准339兼容。 AS339A的输入失调电压比AS339更严格。 AS339提供SO - 14和TSSOP - 14封装，AS339A提供SO - 14封装。

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5+
￥0.642196 ￥1.0358
50+
￥0.427492 ￥0.8221
150+
￥0.30681 ￥0.7305
500+
￥0.258804 ￥0.6162
2500+
￥0.237468 ￥0.5654
4000+
￥0.224616 ￥0.5348

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型号：AP62200TWU-7 编号：C2895288

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP62200/AP62201/AP62200T是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为4.2V至18V。该器件完全集成了一个90mΩ的高端功率MOSFET和一个65mΩ的低端功率MOSFET，可提供高效的降压式DC - DC转换。由于采用恒定导通时间（COT）控制，AP62200/AP62201/AP62200T器件能够实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，同时将外部元件数量减至最少，使用起来十分便捷

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