DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：AZ23C33-7-F 编号：C151408

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.323136 ￥0.3672
100+
￥0.232752 ￥0.2984
300+
￥0.17952 ￥0.264
3000+
￥0.161976 ￥0.2382
6000+
￥0.147968 ￥0.2176
9000+
￥0.140964 ￥0.2073

有货

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型号：DDZ16BSF-7 编号：C526551

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

10+
￥0.32623 ￥0.3434
100+
￥0.23715 ￥0.279
300+
￥0.185175 ￥0.2469
3000+
￥0.1671 ￥0.2228
6000+
￥0.152625 ￥0.2035
9000+
￥0.14535 ￥0.1938

有货

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型号：DDZ27BSF-7 编号：C3738362

封装：SOD-323F

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

10+
￥0.3355
100+
￥0.2628
300+
￥0.2265
3000+
￥0.1993

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型号：AP7343D-28FS4-7B 编号：C260891

封装：X2-DFN1010-4-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款低压差稳压器，具有高输出电压精度、低导通电阻 (RDS(ON))、高电源抑制比 (PSRR)、低输出噪声和低静态电流等特点。该稳压器基于CMOS工艺。包含一个电压基准、误差放大器、限流电路和一个使能输入，用于开启和关闭。通过集成电阻网络，可以提供固定输出电压版本。凭借其低功耗以及良好的线路和负载瞬态响应，适用于低功耗手持通信设备。采用X2-DFN1010-4 (Type B) 和SOT25封装，可实现最小的占位面积和密集的PCB布局。

数据手册

10+
￥0.3436
100+
￥0.2762
300+
￥0.2425
1000+
￥0.2172
5000+
￥0.197

有货

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型号：DMN2992UFB4-7B 编号：C19949844

封装：X2-DFN1006-3

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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10+
￥0.3561
100+
￥0.2906
300+
￥0.2578
1000+
￥0.2332
5000+
￥0.2135

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型号：74LVC1G08FW5-7 编号：C150443

封装：X1-DFN1010-6

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G08 是一款单路 2 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5V 的电源电压范围。

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10+
￥0.357
100+
￥0.285
300+
￥0.249
1000+
￥0.222

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型号：BAT54ST-7-F 编号：C134414

封装：SOT-523-3

品牌：DIODES(美台)

1对串联

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10+
￥0.3713
100+
￥0.3022
300+
￥0.2676

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型号：74AUP1G09FW5-7 编号：C526333

封装：X1-DFN1010-6

品牌：DIODES(美台)

先进超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池续航而设计。AUP1G09是一款带漏极开路输出的单与门，设计工作电源电压范围为0.8V至3.6V

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5+
￥0.372708 ￥0.5916
50+
￥0.250584 ￥0.4728
150+
￥0.177762 ￥0.4134
500+
￥0.158584 ￥0.3688
2500+
￥0.143276 ￥0.3332
5000+
￥0.135579 ￥0.3153

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型号：SD103CW-13-F 编号：C5244993

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

这些是采用SOD123封装的0.2A、20V/30V/40V肖特基整流器。

10+
￥0.3741
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￥0.3342
300+
￥0.3142
1000+
￥0.2992
5000+
￥0.2872

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型号：B0520LW-7-F 编号：C155367

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导率。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

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10+
￥0.3823
100+
￥0.2984
300+
￥0.2564

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型号：BZX84C3V3Q-7-F 编号：C2760558

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。齐纳电压范围为 2.4V-51V。非常适合自动化组装过程。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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10+
￥0.3824
100+
￥0.3059
300+
￥0.2677

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型号：BZT52C15SQ-7-F 编号：C7093563

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小型表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

10+
￥0.3828
100+
￥0.3062
300+
￥0.2679

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型号：74LVC1G14W5-7 编号：C133145

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G14是一款单路1输入施密特触发反相器，具有标准推挽输出。该器件设计用于1.65V至5V的电源电压范围。

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10+
￥0.3831
100+
￥0.3055
300+
￥0.2667

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型号：MMSZ5246BQ-13-F 编号：C5244957

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW 功率耗散。通用、中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性

10+
￥0.3912
100+
￥0.3145
300+
￥0.2761
1000+
￥0.2474

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型号：74AUP1G32SE-7 编号：C842327

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

高级超低功耗（AUP）CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池续航而设计。74AUP1G32是一款单路、两输入正或门，具有标准推挽输出，设计工作电源电压范围为0.8V至3.6V

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5+
￥0.39984 ￥0.5712
50+
￥0.3354 ￥0.559
150+
￥0.2754 ￥0.5508
500+
￥0.2713 ￥0.5426

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型号：DMN2058U-7 编号：C461001

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

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10+
￥0.4028
100+
￥0.3095
300+
￥0.2629
3000+
￥0.219

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型号：DCX124EU-7-F 编号：C460190

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：供电电压 VO = 50V。偏置电阻范围。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

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10+
￥0.4091
100+
￥0.3288
300+
￥0.2887

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型号：BZT52C3V9T-7 编号：C151623

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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10+
￥0.4112
100+
￥0.3295
300+
￥0.2887

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型号：DZ23C6V2-7-F 编号：C5244892

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阴极配置。300mW 功率耗散。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的 ΔVz ≤ 5%。提供共阳极样式。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 JEDEC 标准,具备高可靠性

10+
￥0.4224
100+
￥0.338
300+
￥0.2958
3000+
￥0.2641

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型号：GDZ5V1LP3-7 编号：C531176

封装：0201

品牌：DIODES(美台)

特性：超小型无铅表面贴装封装 (0.6×0.3mm)。超薄封装 (0.3mm)。非常适合自动化组装工艺。低泄漏电流，适用于电池供电应用。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

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10+
￥0.4229
100+
￥0.31248 ￥0.336
300+
￥0.242775 ￥0.2925
1000+
￥0.2158 ￥0.26
5000+
￥0.194137 ￥0.2339
10000+
￥0.183347 ￥0.2209

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型号：DCX114YUQ-7-F 编号：C7500644

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：供电电压 VO = 50V。偏置电阻范围。表面贴装封装，适合自动组装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

5+
￥0.4313
50+
￥0.422
150+
￥0.4157
500+
￥0.4095

有货

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型号：BAS70W-05-7-F 编号：C134390

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：低开启电压。快速开关。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.433
100+
￥0.3446
300+
￥0.3004
3000+
￥0.2645

有货

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型号：MMBT4403T-7-F 编号：C460229

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：300mW功率耗散（FR-4 PCB）。齐纳电压（Vz）容差极小。非常适合自动化组装流程。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用；这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

数据手册

10+
￥0.455
100+
￥0.3686
300+
￥0.3254

有货

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型号：DDTC114ECAQ-7-F 编号：C17347785

封装：SOT-23-3

品牌：DIODES(美台)

10+
￥0.457
100+
￥0.3714
300+
￥0.3286

有货

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型号：DMG2305UXQ-7 编号：C508197

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：背光照明、电源管理功能、DC - DC转换器、电机控制。

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10+
￥0.4639
100+
￥0.3717
300+
￥0.3256

有货

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型号：DMG1012T-13 编号：C3280264

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻。低栅极阈值电压。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。 ESD防护高达2kV。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产

10+
￥0.465
100+
￥0.3721
300+
￥0.3256
1000+
￥0.2908
5000+
￥0.2629

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型号：1N5818-T 编号：C156296

封装：DO-41

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗、高效率。高浪涌能力。高电流能力和低正向压降。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。无铅涂层，符合 RoHS 标准

数据手册

10+
￥0.46949 ￥0.4942
100+
￥0.34136 ￥0.4016
300+
￥0.266475 ￥0.3553
1000+
￥0.24045 ￥0.3206
5000+
￥0.219675 ￥0.2929
10000+
￥0.20925 ￥0.279

有货

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型号：AZ23C22-7-F 编号：C260871

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.4723
100+
￥0.3779
300+
￥0.3306

有货

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型号：MMBT2907AT-7-F 编号：C154716

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。提供互补NPN类型。超小表面贴装封装。也有无铅版本

数据手册

10+
￥0.4751
100+
￥0.3801
300+
￥0.3325
3000+
￥0.2969

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型号：BAW56HDW-13 编号：C5248603

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。高反向击穿电压。低泄漏电流。低电容。适用于通用开关应用。一个封装内有两个电路。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，环保器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

5+
￥0.4827
50+
￥0.3862
150+
￥0.338
500+
￥0.3018
2500+
￥0.2728
5000+
￥0.2584

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