安森美功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCP382HD15AAR2G 编号：C904494

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP382是一款单输入双输出高端功率分配开关，专为可能遇到重容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个80 mΩ的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP340MUTBG 编号：C892439

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

是一款高端 N 沟道 MOSFET 功率分配开关，旨在将外部电压直接连接到系统。如果施加 Vin 电压，由于 Vin 和 EN 引脚之间连接了内部上拉电阻，高端 MOSFET 会自动开启。通过移除 Vin 可实现关闭。由于具有软启动电路，能够限制大电压浪涌

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型号：FPF1107 编号：C457754

封装：WLCSP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FPF1504LUCX 编号：C463737

封装：WLCSP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1504/FPF1504L 是 IntelliMAX 系列的低 RDS P 沟道 MOSFET 负载开关。集成式摆率控制利用电容负载防止电源应用中很常见的电源轨过大冲击电流。此外，FPF1504/FPF1504L 具有输出放电功能。输入电压范围为 1.0 V 至 3.6 V，以满足当今移动设备的电源需求。开关控制由能够直接连接嵌入式处理器中的低电压 CMOS 控制信号和 GPIO 的逻辑输入（ON 引脚）完成。

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型号：NCP382HD10AAR2G 编号：C904493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款单输入双输出高端功率分配开关，适用于可能遇到大电容负载和短路的应用。该器件集成了一个 80 mΩ 的 P 沟道 MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件通过切换到恒流模式将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值是内部固定的。功率开关的上升和下降时间受到控制，以最大限度地减少开关期间的电流振铃。FLAG 逻辑输出在过流或过热条件下输出低电平。开关由逻辑使能输入控制，高电平或低电平有效。

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型号：FPF3042UCX 编号：C891257

封装：WLCSP-16(1.7x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF3042 是一款额定电压为 18 V 的双输入单输出（DISO）负载开关，由两个通道的压摆率控制、低导通电阻 N 沟道 MOSFET 开关组成，并具备保护功能。压摆率控制的导通特性可防止浪涌电流以及由此导致的输入电源轨上出现过大的电压降。在 VBUS 和 VIN 端，输入电压范围为 4.0 V 至 12.4 V，以满足高压便携式设备电源轨的需求

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型号：NCP433FCT2G 编号：C892459

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

NCP432 - NCP433 是高端 P 沟道 MOSFET 功率分配开关，旨在隔离连接到电池的集成电路以节省能源。该器件可在 1.0 V 至 3 V 的电池电压范围内开启。

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型号：NCP335FCT2G 编号：C233197

封装：WLCSP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCP334 和 NCP335 为极低导通电阻 MOSFET，通过外部逻辑引脚控制，可优化电池寿命和便携式设备自治。由于使用 PMOS 结构实现的电流耗量优化，不使用时绝缘了电池上联接的集成电路，消除了漏电流。NCP335 版本中提供了输出放电路径。

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型号：NCP45524IMNTWG-L 编号：C892472

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种减少元件数量和面积的解决方案，通过软启动限制浪涌电流，实现高效电源域切换。这些器件设计为在一个封装中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。特性包括：- 带电荷泵的高级控制器- 集成低RON N沟道MOSFET- 输入电压范围0.5 V至13.5 V- 通过slew rate controlled实现软启动- 可调slew rate controlled（NCP45525）- 电源良好信号（NCP45524）- 极低的待机电流- 负载放电（快速放电）- 无铅设备典型应用包括：- 便携式电子设备和系统- 笔记本电脑和平板电脑- 电信、网络、医疗和工业设备- 机顶盒、服务器和网关- 热插拔设备和外设端口

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型号：NCP383LMUAJAATXG 编号：C892455

封装：UDFN-10-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP383是一种单输入双输出的电源分配开关，专为可能遇到重容性负载和短路的应用而设计，在单一封装中集成了两个极低RDS(on)的N沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或存在短路时，每个通道通过切换到恒流模式来限制输出电流至所需水平。电流限制阈值由连接在ILIM和GND之间的下拉电阻外部固定。电源开关的上升和下降时间被控制以最小化开启/关闭过程中的电流振铃。内部反向电压检测比较器会在输出电压高于输入电压时禁用电源开关，从而保护开关输入侧的设备。在过流、反向电压或过温条件下，/FLAGx逻辑输出将置低。该开关由一个低电平有效的逻辑使能输入控制。

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型号：NCV451AMNWTBG 编号：C513033

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：FR015L3EZ 编号：C891259

封装：VDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

反向偏置是一种日益常见的故障事件，可能由用户操作失误、电池安装不当、汽车环境、与第三方充电器错误连接、负“热插拔”瞬态、电感瞬态以及容易获取的负偏置劣质 USB 充电器等因素引发。FR 器件是低电阻串联开关，在出现反向偏置情况时，会切断电源并阻断负电压，以帮助保护下游电路。FR 器件针对应用进行了优化，在提供同类最佳的反向偏置保护和电压能力的同时，将尺寸、串联电压降和正常工作功耗降至最低。在反向偏置应用中，FR015L3EZ 器件能有效实现全电压阻断，可轻松保护额定电压为 -0.3V 的硅器件。从功率角度来看，在正常偏置下，一个 15mΩ 的 FR 器件在 0.1A 的应用中仅会产生 1.5mV 的电压降或 0.15mW 的功率损耗。在反向偏置时，FR 器件在 3V 反向偏置事件中的功耗低于 10μW。这种性能是二极管解决方案无法实现的。其优势不仅体现在器件本身。由于功耗低，不仅器件尺寸小，而且散热要求和成本也能降至最低。

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型号：NCV47722PAAJR2G 编号：C904634

封装：TSSOP-14-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV47722 高压侧开关 (HSS) 的每个沟道为 250 mA，适用于严酷的汽车环境。该器件具有高峰值输入耐压，以及逆向输入电压、反向偏置、过电流和超温保护。集成的电流感应功能（对于每个沟道可通过与 CSO 引脚联接的电阻进行调节）提供了诊断和系统保护功能。CSO 引脚输出电流会在 CSO 电阻上产生电压降，该压降与每个沟道的输出电流成比例。还提供关断状态下扩展的诊断功能，通过专门的输入和输出引脚控制。

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型号：NCV47822PAAJR2G 编号：C464065

封装：TSSOP-14-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV47822 双通道高端开关（HSS），每通道电流为 250 mA，专为恶劣的汽车环境而设计。该器件具有高峰值输入电压耐受性，具备反向输入电压、反向偏置、过流和过温保护功能。集成的电流检测功能（每个通道可通过连接到 CSO 引脚的电阻进行调节）可提供诊断和系统保护功能

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型号：FPF2223 编号：C457797

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2223 - FPF2225 是具有高精度限流值的低 RDS(ON) P 沟道 MOSFET 负载开关。输入电压范围为 1.8V 至 5.5V，可满足当今超便携式设备的供电要求。开关控制通过逻辑输入 (ON) 实现，能够直接与低电压控制信号接口。当开关关闭时，片上下拉功能可实现输出快速放电。FPF2223、FPF2224 和 FPF2225 是先进的可调高精度限流开关，可保护可能因大电流应用而损坏或中断的系统和负载。每个器件的核心是一个 0.16 的 P 沟道 MOSFET 和一个能够在 1.8 - 5.5V 输入工作范围内运行的控制器。该控制器提供限流、欠压锁定 (UVLO) 和热关断保护功能。通过选择外部电阻，限流值可在 250mA 至 625mA 之间调节。

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型号：NCP382HD05AAR2G 编号：C154610

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP382 是一款单输入双输出高压侧配电开关，适用于电容负载较大以及可能发生短路的应用，并将两个80 mΩ P 沟道 MOSFET 集成在了一个封装内。该器件通过在输出负载超过电流限制阈值或存在短路时切换至恒定电流模式,将输出电流限制在所需水平。该电流阈值是在内部固定的。该配电开关上升和下降时间进行控制，以最大程度减小开关期间的电流振铃。FLAG 逻辑输出会在过电流和高温条件下置于低电平。该开关由逻辑启用输入有效高电平或低电平控制。

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型号：FPF2895UCX 编号：C891254

封装：WLCSP-24(1.7x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2895 具备一个额定电流限制为 28 V、5 A 的功率开关，提供过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和真正的反向电流阻断（TRCB）功能，以保护系统。采用 WL-CSP 封装时，其典型导通电阻低至 27 mΩ，可在 4V 至 22V 的输入电压范围内工作。FPF2895 的电流限制精度支持 ± 10%，过流范围为 500 mA 至 5 A，具有可选择过压保护点、可选择导通极性和可选择过流保护行为等灵活操作特性，可根据系统要求进行优化

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型号：FPF2109 编号：C891234

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FPF2108-FPF2110 是一系列负载开关，可为可能遭遇大电流状况的系统和负载提供全面保护。

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型号：NCV8405ASTT3G 编号：C604058

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCV8405 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件适用于严苛的汽车环境。

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型号：NCP45750IMN24TWG 编号：C892478

封装：TDFN-12-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP45750负载管理器件提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带有限流的高效电源域切换。这些器件设计用于在一个封装中集成控制和驱动功能，并配备高性能、极低导通电阻的功率MOSFET，通过故障保护和电源良好信号提供保护和监控。这种成本效益高的解决方案非常适合USB Type-C端口中的电源管理和断开功能，以及需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理应用。

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型号：NCV84140DR2G 编号：C904682

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款全保护单通道高端驱动器，可用于切换各种负载，如灯泡、螺线管和其他执行器。该器件集成了先进的保护功能，如主动浪涌电流管理、带自动重启的过温关断和过压主动钳位。专用的电流检测引脚可对输出进行精确的模拟电流监测，并能指示到VD的短路、到地的短路和关断状态下的开路负载。一个高电平有效的电流检测使能引脚可启用所有诊断和电流检测功能。

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￥23.35

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型号：NCP81296MNTXG 编号：C603821

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：onsemi(安森美)

NCP81295和NCP81296是50 A、可电子复位的串联保险丝，适用于12 V大电流应用，如服务器、存储设备和基站。NCP81295/6采用极低导通电阻（0.65 mΩ）的集成MOSFET，可减小方案尺寸并降低功耗。

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型号：NCV7755DQR2G 编号：C5209148

封装：SSOP-24-NB-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一款汽车级集成驱动器，具有八个高端开关。该设备每个通道提供高达700 mA的驱动能力，并针对过载和过热条件进行了保护。所有通道都集成了用于切换感性负载的输出钳位、用于灯泡的多个启动脉冲，并且可以映射到两个用于LED负载的内部PWM发生器。输出控制和诊断报告通过SPI进行。此外，INx引脚可以映射到任何输出以进行直接控制。专用的跛行回家模式可通过逻辑输入引脚对两个高端驱动器进行操作控制。采用SSOP-24外露焊盘封装，以实现最佳热性能。

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￥42.81

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型号：FPF1003A 编号：C891211

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1003A 和 FPF1004 是具有受控导通功能的低导通电阻（RDS）P 沟道 MOSFET 负载开关。其输入电压范围为 1.2 V 至 5.5 V，可满足当今超便携式设备的电源要求。开关控制通过逻辑输入（ON）实现，该输入能够直接与低压控制信号接口

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￥9.01

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型号：FPF2106 编号：C891231

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FPF2100 至 FPF2107 是一系列负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。这些器件包含一个 0.125Ω 限流 P 沟道 MOSFET，可在 1.8 - 5.5V 的输入电压范围内工作。开关控制通过逻辑输入（ON）实现，该输入能够直接与低电压控制信号接口

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￥12.43
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￥11.09

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型号：NCP45650IMNTWG 编号：C2902225

封装：DFN-12-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4565x系列负载管理器件通过软启动对浪涌电流进行限制，为高效电源域切换提供了一种减少元件数量和占用面积的解决方案。这些器件将控制和驱动功能与高性能、低导通电阻的功率MOSFET集成在单个封装中。这种经济高效的解决方案非常适合用于对功耗要求低、占用空间小的USB端口的电源管理和断开功能。

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型号：NCV8401BDTRKG 编号：C604055

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

NCV8401A/B是一款三端受保护的低端智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位。该器件具备保护功能，适用于恶劣的汽车环境

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型号：NCP330MUTBG 编号：C146726

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NCP330是一种低导通电阻N沟道MOSFET，由2毫秒的软启动序列控制，适用于移动应用。非常低的RDS(on)允许系统供电或电池充电达到直流3A。如果在Vin引脚上连接了电源（高电平有效），则该设备会自动使能；如果没有Vin（内部下拉），则保持关闭状态。由于优化了电流消耗，从连接到设备的电池中泄漏的电流显著减少，从而延长了电池寿命。

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型号：FPF2895VUCX 编号：C891255

封装：WLCSP-24(1.7x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

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￥11.59164 / 个

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型号：NCP451AFCT2G 编号：C462910

封装：WLCSP-6(0.9x1.4)

品牌：onsemi(安森美)

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