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首页 > 热门关键词 > 安森美功率开关芯片
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  • FSQ110 由集成的电流模式脉宽调制 (PWM) 和雪崩坚固的 650V SenseFET 组成。它专门针对高性能离线开关模式电源 (SMPS) 而设计,且所需外部组件数量极少。该集成式 PWM 控制器特性包括固定频率生成振荡器、欠电压 (UVLO) 保护、前缘间隔 (LEB)、优化的门极开/关驱动器、高温关断 (TSD) 保护,用于环路补偿的温度补偿精确电流源以及故障保护电路。与分立 MOSFET 和控制器或 RCC 开关转换器方案相比,FSQ110 可以降低总部件数量、设计尺寸和重量;同时提高了能效、生产力和系统可靠性。此类器件为适应反激转换器的设计提供基本平台。
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  • FDMS0300S 是一款30 V、49 A、1.8 mΩ的N-Channel PowerTrench SyncFET,设计用于最小化电源转换应用中的损耗。采用先进的封装和硅技术,提供低导通电阻和优秀的开关性能。内置高效的单片肖特基体二极管。
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  • NCV8445 是一款完全保护的高压侧驱动器,可用于开关各种负载,如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。 诊断状态输出引脚提供了高温以及开关状态开路负载情况的数字故障指示。
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  • FSL4110LR 是一款集成的脉宽调制 (PWM) 控制器和 1000 V 雪崩坚固 SenseFET,专门为离线开关模式电源 (SMPS) 而设计,且外部部件数量极小。VCC 可通过集成的高电压电源稳压器提供,且无辅助偏置绕组。集成的 PWM 控制器包括固定频率振荡器、欠压锁定 (UVLO)、前缘间隔 (LEB)、优化的门极驱动器、内部软启动、用于回路补偿的温度补偿精确电流源,以及各种保护电路。与分立 MOSFET 和 PWM 控制器解决方案相比,FSL4110LR 可以降低总成本、部件数量、PCB 尺寸和重量;同时提高了能效、生产力和系统可靠性。此器件为反激转换器的成本高效设计提供了基本平台。
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  • 负载管理设备为高效电源域切换提供了减少组件和面积的解决方案,通过软启动实现浪涌电流限制。该设备将控制和驱动功能与背对背高性能低导通电阻功率MOSFET集成在单个封装中。这种经济高效的解决方案适用于反向电流应用以及USB Type-C和Type-C Power Delivery端口中使用的特定电源管理和断开功能。
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      ¥7.99824 / 个
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    AccuPower FPF270X系列是限流负载开关产品,可为过电流条件的系统和负载提供全面保护。最小限流值的可调范围为0.4A至2.0A。FPF270X包含压摆率受控N沟道MOSFET以及压摆率导通特性,可防止“热插拔”负载或瞬时过载需求引起的电源总线干扰。
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    FPF2498先进负载管理开关适用于需要高度集成解决方案的应用。它可断开由直流电源轨(<12 V)供电的负载,满足严格的关态电流要求和高负载电容(<100 mF)。FPF2498由一个压摆率可控的低阻抗MOSFET开关组成
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    NTGD1100L在单个封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。该器件特别适用于需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的便携式电子设备。P沟道器件采用安森美半导体的先进沟槽技术专门设计为负载开关
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    FPF2100 - FPF2107 是限流开关,用于保护可能因大电流施加而损坏或受干扰的系统和负载。每个器件的核心是一个 0.125Ω 的 P 沟道 MOSFET 以及一个控制器,该控制器能够在 1V 的宽输入工作范围内正常工作。
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  • 是一系列限流开关,用于保护可能因大电流而损坏或中断的系统和负载。每个器件的核心是一个0.7Ω的P沟道MOSFET和一个控制器,可在1.8-5.5V的宽输入工作范围内工作。控制器通过限流、欠压锁定和热关断来防止系统故障。限流预设为50mA或100mA。这些器件采用节省空间的5引脚SC-70封装。
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  • FSFR-XS 系列包括高度集成的电源开关,用于高能效半桥谐振转换器。FSFR-XS 系列提供了构建可靠坚固的谐振转换器所需的一切功能,简化了设计,同时提高了生产力和性能。FSFR-XS 系列将功率 MOSFET 与快速恢复类型体二极管、高压侧门极驱动电路、精确电流控制振荡器、频率限制电路、软启动和内置保护功能相结合。该高压侧门极驱动电路具有共模干扰抑制功能,保证了稳定运行和出色的抗干扰度。MOSFET 的快速恢复体二极管提高了针对异常运行状况的可靠性,同时最大程度减小了反向恢复的影响。使用零电压开关 (ZVS) 技术大幅降低了开关损耗,显著提高了能效。ZVS 还明显降低了开关噪声,因此可使用小尺寸电磁干扰 (EMI) 滤波器。FSFR-XS 系列可应用于谐振转换器拓扑结构,如串联谐振、并联谐振和 LLC 谐振转换器。
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