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首页 > 热门关键词 > 英飞凌功率开关芯片
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智能高端功率开关
型号：BTS6163D 编号：C534821
封装：TO-252-4
品牌：Infineon(英飞凌)
采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中，具备嵌入式保护功能。
数据手册

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    ￥19.98

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    智能低端功率开关
    型号：BTS3256DAUMA1 编号：C3232337
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS3256D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 11封装的单通道低端功率开关，具备内置保护功能。这款HITFET™专为汽车和工业应用而设计，具有出色的保护和控制特性。该功率晶体管是N沟道垂直功率MOSFET，采用智能功率技术芯片进行控制

    • 1+

      ￥23.83

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    智能高边大电流功率开关
    型号：BTS50085-1TMA 编号：C82655
    封装：TO-220-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈集成在智能 SIPMOS 芯片上芯片技术中，提供嵌入式保护功能。
    数据手册

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      ￥60.603112

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    智能高边功率开关
    型号：BTS6133D 编号：C152388
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。
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    智能高边功率开关
    型号：BTS443P 编号：C69856
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS®芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。
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    • 1+

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    10毫欧智能低端功率开关
    型号：BTS3160DAUMA1 编号：C2680314
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS3160D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 13封装的单通道锁存型低端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件由采用智能功率技术的控制芯片控制
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      ￥20.77

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    单通道12mΩ智能高端功率开关
    型号：BTS6142D 编号：C534820
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是单通道高端功率开关（12 mΩ），采用PG-TO252-5-11功率封装，提供包括ReverSave™在内的嵌入式保护功能。ReverSave™是一种保护功能，可在反极性情况下使功率晶体管导通，从而降低功耗。具有电流控制输入，并通过负载电流检测提供诊断反馈。设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术。
    数据手册

    • 1+

      ￥14.8975 ￥25.25

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    智能低端功率开关
    型号：BTS141TCBUMA1 编号：C2680352
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。
    数据手册

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      ￥28.9751 ￥37.63

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      ￥20.3376 ￥35.68
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    智能低侧功率开关 停产
    型号：BTS141TC 编号：C534743
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用Smart SIPMOS芯片堆叠技术的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具备嵌入式保护功能。
    数据手册

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    智能高端功率开关
    型号：BTS5016SDAAUMA1 编号：C3232339
    封装：TO-252-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS5016SDA是一款采用PG - TO252 - 5 - 11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

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    智能低端功率开关
    型号：BTS133TC 编号：C2150086
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET，采用智能 SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥23.64

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      ￥20.23

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      ￥18.21
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    智能高端功率开关
    型号：BTS500801TMAATMA1 编号：C2150048
    封装：TO-220-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是单通道高端功率开关，采用PG-TO220-7-4封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成，基于智能SIPMOS芯片堆叠技术设计。具有电流控制输入，提供带负载电流检测的诊断反馈，在过载、过温关机和/或短路关机时提供定义的故障信号。
    数据手册

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      ￥26.2

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      ￥25.59

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      ￥25.18
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    智能高端功率开关
    型号：BTS500801TEAAUMA1 编号：C2150064
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS50080-1TEA是一款采用PG-TO252-5-11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。其设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术
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      ￥31.17
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    单通道12mΩ智能高端功率开关
    型号：BTS6142D 编号：C3232341
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS 6142D 是一款采用 PG-TO252-5-11 封装的单通道高端功率开关，具备包括 ReverSave™ 在内的嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。其设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术

    • 1+

      ￥25.92

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      ￥24.96
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    智能高端大电流功率开关
    型号：BTS500851TMBAKSA1 编号：C3232980
    封装：TO-220-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中。提供嵌入式保护功能。

    • 1+

      ￥60.77

    • 10+

      ￥58.68
  • 有货
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    智能低端功率开关
    型号：BTS117TC 编号：C2150103
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥19.52

    • 10+

      ￥17.36

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      ￥16.01

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      ￥14.63

    • 500+

      ￥14.01

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      ￥13.73
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    高电流PROFET单通道智能高端功率开关
    型号：BTS500601TEAAUMA2 编号：C3232344
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片级智能功率芯片技术，集成了P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在严苛的汽车环境中驱动负载而设计

    • 1+

      ￥30.3195

    • 20+

      ￥29.087

    • 100+

      ￥28.3475

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      ￥27.608

    • 500+

      ￥27.115
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    单通道智能高端功率开关，高PWM频率
    型号：BTF50060-1TEA 编号：C534727
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTF50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片上的智能功率芯片技术，集成P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在恶劣的汽车环境中驱动负载而设计
    数据手册

    • 5+

      ￥86.133337

    • 50+

      ￥75.662225

    • 500+

      ￥69.66667
    我要订货
    智能高端功率开关
    型号：BTS5014SDA 编号：C534802
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS5014SDA 是一款单通道高边功率开关，采用 PG-TO252-5-11 封装，提供嵌入式保护功能。该功率晶体管由带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术。BTS5014SDA 具有电流控制输入，并在过载操作、过温关断和/或短路关断情况下提供带有负载电流检测和定义故障信号的诊断反馈。特性包括：- 可扩展产品系列的一部分- 负载电流检测- Reversave - 非常低的待机电流- 电流控制输入引脚- 改进的电磁兼容性 (EMC)- 快速去磁化感应负载- 低压下的稳定行为- 绿色产品（符合 RoHS 标准）- AEC 认证工作电压范围为 5.5V 至 20V，最小过压保护为 39V。在 150°C 下的最大导通电阻为 28 mΩ。标称负载电流为 6A，最小电流限制为 55A。在 25°C 下，整个设备带负载时的最大待机电流为 6 μA。
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    • 10+

      ￥7.345

    • 100+

      ￥6.4975

    • 500+

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    • 1000+

      ￥6.0455
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    智能高端大电流功率开关 停产
    型号：BTS50055-1TMA 编号：C112643
    封装：TO-220-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中，具备嵌入式保护功能。
    数据手册

    • 单价：

      ￥20.165 / 个
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