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首页 > 热门关键词 > 英飞凌功率开关芯片
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继电器驱动芯片
型号：TLE75602-ESH 编号：C540049
封装：TSDSO-24
品牌：Infineon(英飞凌)
TLE75602 - ESH是一款采用PG - TSDSO - 24 - 21封装的八通道低边和高边功率开关，具备嵌入式保护功能。它专为控制汽车和工业应用中的继电器和LED而设计。该器件利用串行外设接口（SPI）对负载以及器件本身进行控制和诊断
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    继电器驱动芯片
    型号：TLE8108EMXUMA1 编号：C2150062
    封装：HTSSOP-24-EP-4mm
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE8108EM是一款采用PG-SSOP-24封装的8通道低端开关，具备嵌入式保护功能。它专门设计用作动力总成汽车应用的继电器驱动器。
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    继电器驱动芯片
    型号：TLE75008-ESD 编号：C540043
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE75008-ESD是一款采用PG-TSDSO-24-21封装的八通道低侧功率开关，具备嵌入式保护功能。它专为控制汽车和工业应用中的继电器和LED而设计。该器件利用串行外设接口（SPI）对负载以及器件本身进行控制和诊断
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    继电器驱动芯片
    型号：TLE75080ESDXUMA1 编号：C2150432
    封装：TSSOP-24-EP-150mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    新集成的产品包括2个低边 (8 + 4通道)、2个高边 (8通道) 和5个灵活设备 (8通道)，最多可配置6个通道，因此可满足广泛的应用需求。新的8通道高边设备为驱动小型高边负载提供了非常经济高效的解决方案，包括导通时的开路负载检测。产品具有改进和附加功能，如跛行回家和启动功能、极低的电流消耗、增强的诊断功能、出色的热性能 (外露焊盘封装) 以及2个直接输入的输入映射功能。采用统一的SPI寄存器、所有通道相同的输出级和全面的引脚对引脚兼容性的系列化设计方法，可减少设计工作量，并在无需重新设计PCB的情况下提供降低成本的选项/分区调整
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    继电器驱动芯片
    型号：TLE75080ESHXUMA1 编号：C1882557
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    全新集成式 SPIDER+ 系列包含 9 款可进行价值扩展的产品。简化后的产品组合包括 2 款低侧（8 + 4 通道）、2 款高侧（8 通道）和 5 款灵活器件（8 通道），最多具备 6 个可配置通道
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    继电器驱动芯片
    型号：TLE7233EM 编号：C539994
    封装：HTSSOP-24-EP-4mm
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    继电器驱动芯片
    型号：TLE75620-EST 编号：C540050
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    继电器驱动芯片
    型号：TLE82452-3SA 编号：C540062
    封装：DSO-36
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    智能高端功率开关
    型号：BTS6163D 编号：C534821
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中，具备嵌入式保护功能。
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    智能高边大电流功率开关
    型号：BTS50085-1TMA 编号：C82655
    封装：TO-220-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈集成在智能 SIPMOS 芯片上芯片技术中，提供嵌入式保护功能。
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    智能高端大电流功率开关
    型号：BTS50055-1TMA 编号：C112643
    封装：TO-220-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中，具备嵌入式保护功能。
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    智能低端功率开关
    型号：BTS3256DAUMA1 编号：C3232337
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS3256D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 11封装的单通道低端功率开关，具备内置保护功能。这款HITFET™专为汽车和工业应用而设计，具有出色的保护和控制特性。该功率晶体管是N沟道垂直功率MOSFET，采用智能功率技术芯片进行控制

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    智能高边功率开关
    型号：BTS443P 编号：C69856
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS®芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。
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    智能低侧功率开关
    型号：BTS141TC 编号：C534743
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用Smart SIPMOS芯片堆叠技术的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具备嵌入式保护功能。
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    智能高边功率开关
    型号：BTS6133D 编号：C152388
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。
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    智能低端功率开关
    型号：BTS117TC 编号：C2150103
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。
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    10毫欧智能低端功率开关
    型号：BTS3160DAUMA1 编号：C2680314
    封装：TO-252-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS3160D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 13封装的单通道锁存型低端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件由采用智能功率技术的控制芯片控制
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    智能低端功率开关
    型号：BTS133TC 编号：C2150086
    封装：TO-263
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N 通道垂直功率 FET，采用智能 SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。
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    智能高端功率开关
    型号：BTS5016SDAAUMA1 编号：C3232339
    封装：TO-252-5
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTS5016SDA是一款采用PG - TO252 - 5 - 11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

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    BTS500801TMAATMA1
    型号：BTS500801TMAATMA1 编号：C2150048
    封装：TO-220-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是单通道高端功率开关，采用PG-TO220-7-4封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成，基于智能SIPMOS芯片堆叠技术设计。具有电流控制输入，提供带负载电流检测的诊断反馈，在过载、过温关机和/或短路关机时提供定义的故障信号。
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