安森美功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：WLCSP-4(1x1)

FPF1504/FPF1504L 是 IntelliMAX 系列的低导通电阻（RDS）P 沟道 MOSFET 负载开关。集成的压摆率控制功能可防止电源轨在面对电源应用中常见的容性负载时产生过大的浪涌电流。此外，FPF1504/FPF1504L 具备输出放电能力

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型号：NCV8408BDTRKG 编号：C500319

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

NCV8408 是一款单沟道保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。热保护包括可通过切换输入重置的锁存。此器件适用于严苛的汽车环境。

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型号：NCV8461DR2G 编号：C154603

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8461 是一款完全保护的高压侧驱动器，可用于开关各种负载，如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。诊断输出会报告关断状态开路负载情况和高温关断。

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型号：FPF2895CUCX 编号：C479720

封装：WLCSP-24(1.7x2.6)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2895C 具备一个额定电流为 5 A、耐压 28 V 的功率开关，可提供过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和真反向电流阻断（TRCB）功能，以保护系统。采用 WL - CSP 封装时，其典型导通电阻低至 27 mΩ，可在 4 V 至 22 V 的输入电压范围内工作。FPF2895C 支持在过流范围为 500 mA 至 2 A 时，电流限制精度为±10%；在过流范围为 2 A 至 5 A 时，电流限制精度为±5%

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型号：NCP380LMU05AATBG 编号：C463146

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP335FCT2G 编号：C233197

封装：WLCSP-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCP334 和 NCP335 为极低导通电阻 MOSFET，通过外部逻辑引脚控制，可优化电池寿命和便携式设备自治。由于使用 PMOS 结构实现的电流耗量优化，不使用时绝缘了电池上联接的集成电路，消除了漏电流。NCP335 版本中提供了输出放电路径。

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型号：NCP380HMUAJAATBG 编号：C145185

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：FPF2290BUCX-F130 编号：C891244

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2290 具有低导通电阻 (RON) 内部场效应晶体管 (FET)，工作电压范围为 2.5 V 至 23 V。内部钳位电路能够分流 ±100 V 的浪涌电压，保护下游组件并增强系统稳定性。

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型号：NCP380HSNAJAAT1G 编号：C77573

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP45540IMNTWG-H 编号：C154609

封装：DFN-12(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP45540 负载开关提供的方案可减少组件数量和面积，通过软启动使用涌入电流限值实现高效的功率域切换。除了集成的控制功能和超低导通电阻之外，该器件还通过故障保护和电源正常信号提供了附加的系统保护和监控。此经济高效的方案适用于需要小占位和低功耗的功率管理和热插拔应用。

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型号：NCV8406ASTT3G 编号：C459816

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8406 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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型号：FPF2106 编号：C891231

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FPF2100 至 FPF2107 是一系列负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。这些器件包含一个 0.125Ω 限流 P 沟道 MOSFET，可在 1.8 - 5.5V 的输入电压范围内工作。开关控制通过逻辑输入（ON）实现，该输入能够直接与低电压控制信号接口

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型号：FPF2496UCX 编号：C891249

封装：WLCSP-9(1.2x1.2)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2496 先进负载管理开关适用于需要高度集成解决方案的应用。它可断开由直流电源轨（< 6 V）供电的负载，满足严格的关断状态电流要求，且可处理高负载电容（< 100 μF）。FPF2496 由一个压摆率可控的低阻抗 MOSFET 开关（最大 100 mΩ）和集成模拟功能组成

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型号：NCV1063AD100R2G 编号：C603853

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1063 集成了固定频率电流模式控制器和 670 V MOSFET。NCP1063 采用 SOIC-16 封装，提供了高度集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、可调峰值电流设定点、斜坡补偿和动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片方案不同，NCP1063 具有无噪音特性：在正常负载运行期间，在某个可用频率进行开关 (65 或 100 kHz)。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入频率折回模式，在轻负载下提供卓越能效。当功率需求进一步降低时，它进入跳过模式，将待机功耗降低到无负载条件。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护，以及交流输入线路电压检测（A 版本）。安森美半导体的专属集成过功率保护 (OPP) 让您仅通过外部电阻即可充分利用提供的最高功率，而不会影响待机性能。NCV1060/NCV1063 系列可以无缝用于非隔离和隔离拓扑结构中。

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型号：NCP45790IMN24RTWG 编号：C894994

封装：DFN-14(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

NCP45790负载管理器件提供了一种通过软启动限制涌流的高效电源域切换解决方案，减少了组件数量和占用面积。该器件设计用于在一个封装中集成控制和驱动功能，并带有背对背高性能低导通电阻功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合反向电流应用以及USB Type-C和Type-C 电源传输端口中使用的特定电源管理和断开功能。

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型号：NCV380LMUAJAATBG 编号：C892948

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款专为可能遇到重容性负载和短路的应用设计的高端电源分配开关。该器件包括一个集成的55 mΩ（DFN封装）P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或存在短路时，该器件通过切换到恒流调节模式来将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值可以通过外部电阻在500 mA至2.1 A之间进行用户调整，也可以内部固定。内部反向电压检测比较器会在输出电压高于输入电压时禁用电源开关，以保护开关输入侧的设备。在过流、反向电压或过温条件下，FLAG逻辑输出会置低。开关由逻辑使能输入控制，可以是高电平有效或低电平有效。

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型号：NCP45650IMNTWG 编号：C2902225

封装：DFN-12-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4565x系列负载管理器件通过软启动对浪涌电流进行限制，为高效电源域切换提供了一种减少元件数量和占用面积的解决方案。这些器件将控制和驱动功能与高性能、低导通电阻的功率MOSFET集成在单个封装中。这种经济高效的解决方案非常适合用于对功耗要求低、占用空间小的USB端口的电源管理和断开功能。

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型号：NCP380LSNAJAAT1G 编号：C457711

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP330MUTBG 编号：C146726

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

NCP330是一种低导通电阻N沟道MOSFET，由2毫秒的软启动序列控制，适用于移动应用。非常低的RDS(on)允许系统供电或电池充电达到直流3A。如果在Vin引脚上连接了电源（高电平有效），则该设备会自动使能；如果没有Vin（内部下拉），则保持关闭状态。由于优化了电流消耗，从连接到设备的电池中泄漏的电流显著减少，从而延长了电池寿命。

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型号：NCV8415STT1G 编号：C3235507

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是一个三端受保护的低侧智能分立FET。保护功能包括增量热关断、过流、过温、ESD和集成的漏极到栅极钳位以实现过压保护。该器件还通过栅极引脚提供故障指示。适用于恶劣的汽车环境。

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型号：FPF1003A 编号：C891211

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1003A 和 FPF1004 是具有受控导通功能的低导通电阻（RDS）P 沟道 MOSFET 负载开关。其输入电压范围为 1.2 V 至 5.5 V，可满足当今超便携式设备的电源要求。开关控制通过逻辑输入（ON）实现，该输入能够直接与低压控制信号接口

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￥7.104 ￥11.84
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型号：NCP45750IMN24TWG 编号：C892478

封装：TDFN-12-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP45750负载管理器件提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带有限流的高效电源域切换。这些器件设计用于在一个封装中集成控制和驱动功能，并配备高性能、极低导通电阻的功率MOSFET，通过故障保护和电源良好信号提供保护和监控。这种成本效益高的解决方案非常适合USB Type-C端口中的电源管理和断开功能，以及需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理应用。

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￥25.12
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型号：FPF2286UCX 编号：C891243

封装：WLCSP-6(0.9x1.3)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2286 是一款集成了低导通电阻单通道开关的过压保护（OVP）器件。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 2.8 V 至 23 V 的输入电压范围内工作，且能支持 4 A 的最大连续电流。

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型号：NLPS22990MN1TAG 编号：C604187

封装：WDFN-10-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NLPS22990和NLPS22990N器件是导通电阻为3.9 mΩ的单通道负载开关，具备可控且可调节的开启功能，并集成了电源好（PG）指示功能。每个器件均为N沟道MOSFET，其输入电压范围为0.6 V至5.5 V。该开关支持的最大连续电流为10 A

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型号：FPF1204UCX 编号：C232816

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF 1203 / 03L / 04 是超小型集成式 IntelliMAX 负载开关，具备集成 P 沟道开关和模拟控制功能。集成的压摆率控制可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上出现过大的电压降。输入电压范围为 1.2 V 至 5.5 V，可为便携式和消费类产品中的后调节电源轨提供电源断开功能

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型号：FDC6324L 编号：C73205

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

为极低导通电阻而设计的高单元密度，集成式负载开关

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型号：FPF2109 编号：C891234

封装：SOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

FPF2108-FPF2110 是一系列负载开关，可为可能遭遇大电流状况的系统和负载提供全面保护。

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型号：NCP45560IMNTWG-H 编号：C892477

封装：DFN-12(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

负载开关为高效电源域切换提供了减少组件和面积的解决方案，可通过软启动实现浪涌电流限制。除了具有超低导通电阻的集成控制功能外，该设备还通过故障保护和电源良好信号提供系统保护和监控。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：NCP380LSN05AAT1G 编号：C603709

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP398FCCT1G 编号：C603712

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

NCP398是一种过电压保护器件。它在VCONN直接从VBUS电源获取的应用中保护VCONN免受过电压的影响。在上电时，集成的功率MOSFET会自动控制以减少浪涌电流。该IC持续监测欠压、过压和热事件。在发生过电压的情况下，一个非常高速的比较器会瞬间断开功率MOSFET。该部件通过EN引脚使能。此引脚上的高电平允许强制关闭内部开关，并大幅降低NCP398核心的电流消耗。

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