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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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4.2V至18V输入，3A低静态电流同步降压转换器
型号：AP62300WU-7 编号：C1880390
封装：TSOT-23-6
品牌：DIODES(美台)
AP62300/AP62301/AP62300T 是一款 3A 同步降压转换器，输入电压范围宽，为 4.2V 至 18V。该器件完全集成了一个 75mΩ 的高端功率 MOSFET 和一个 45mΩ 的低端功率 MOSFET，可实现高效的降压式 DC - DC 转换。AP62300/AP62301/AP62300T 采用恒定导通时间（COT）控制，以实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，通过减少外部元件数量，使其易于使用
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.2A
    型号：DMN3023L-7 编号：C443825
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

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    输入6V 输出3.3V 600mA
    型号：AP2112K-3.3TRG1 编号：C51118
    封装：SOT-25-5
    品牌：DIODES(美台)
    是CMOS工艺的低压差线性稳压器，具有使能功能，可提供保证的600mA（最小值）连续负载电流。提供1.2V、1.8V、2.5V、2.6V或3.3V的固定输出电压。输出精度为±1.5%，具有非常快速的环路响应，可出色应对线路和负载瞬变。包括自动放电功能，当设备禁用时，通过60Ω电阻将输出连接到地。具有低功耗特性，提供SOT25、SOT89-5和SO-8封装。
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    双向TVS 9V截止 峰值浪涌电流：39A@8.3ms
    型号：SMBJ9.0CA-13-F 编号：C135111
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=10V VC=15.4V IPP=39A 双向
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    单向TVS 36V截止 峰值浪涌电流：10.3A
    型号：SMBJ36A-13-F 编号：C135070
    封装：SMB
    品牌：DIODES(美台)
    VBR=40V VC=58.1V IPP=10.3A 单向
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    PNP 电流:1.5A 电压:40V
    型号：FMMT720TA 编号：C15332
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ，低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用：栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器
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    输出750mA 升压型驱动
    型号：PAM2803AAF095 编号：C55801
    封装：SOT-23-6
    品牌：DIODES(美台)
    PAM2803是一款升压型DC-DC转换器，可提供稳定的输出电流。该器件以1.0 MHz的恒定频率进行开关操作，允许使用小值外部电感和陶瓷电容。PAM2803设计用于从两节碱性电池驱动高达1A的负载。LED电流可以通过连接在反馈引脚（FB）与地之间的外部电流检测电阻Rs进行编程。95 mV的低反馈电压减少了Rs中的功率损耗，提高了效率。借助其内部2A、100 mΩ的NMOS开关，即使在重负载下也能提供高效率。在关断模式下，反馈电阻Rs和负载完全断开，电流消耗降至1 μA以下。PAM2803采用6引脚SOT23-6封装。
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:0.7A
    型号：ZXMP10A13FTA 编号：C50185
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET采用了独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关速度的优点，非常适合用于高效电源管理应用。
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    ADJ 输入12V 输出1.25V~10.5V 5A
    型号：AZ1084CD-ADJTRG1 编号：C150458
    封装：TO-252-3
    品牌：DIODES(美台)
    AZ1084C 是一系列低压差正电压稳压器，在 5A 负载电流下，最大压差为 1.5V。该系列具备片上热限制功能，可防止因过载和环境温度共同作用导致结温过高。它还集成了经过微调的带隙基准和限流电路
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    精密可调限流电源开关
    型号：AP22653W6-7 编号：C2158037
    封装：SOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度
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    60V 8A
    型号：SBR8U60P5-7 编号：C460954
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超低正向压降。 专利超势垒整流器技术。 软、快速开关能力。 150℃工作结温。 无铅表面处理；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    电压:100V 电流:5A
    型号：PDS5100H-13 编号：C141284
    封装：Power-DI-5
    品牌：DIODES(美台)
    这款肖特基势垒整流器专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作：极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:2.3A
    型号：DMP10H400SE-13 编号：C156277
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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    电压:100V 电流:20A
    型号：SDT20B100D1-13 编号：C461813
    封装：TO-252-2
    品牌：DIODES(美台)
    SDT20B100D1具有极低的正向压降（VF），且在高温下具有极其出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作以下设备中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管：直流-直流转换器、交流-直流适配器。
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    60V自保护低侧IntelliFET MOSFET开关
    型号：BSP75NTA 编号：C172450
    封装：SOT-223-4
    品牌：DIODES(美台)
    BSP75N 是一款自保护型低侧 IntelliFET MOSFET。它具有单片过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。它旨在用作通用开关
    数据手册

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      ￥4.39

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    200V 10A
    型号：SBR10U200P5-13 编号：C155266
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    采用紧凑且散热高效的PowerDI5封装，在高温下可实现低正向压降（VF）和低反向漏电流。
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    2个P沟道 耐压:40V 电流:7.6A
    型号：DMP4025LSD-13 编号：C150763
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-40V,-5.8A,25mΩ@-10V
    数据手册

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    50V 15A
    型号：SBRT15U50SP5-13 编号：C211388
    封装：PowerDI-5
    品牌：DIODES(美台)
    采用紧凑的高效散热 POWERDI5 封装，提供超低正向压降 (VF)，并在高温下具有出色的低反向泄漏稳定性。非常适合用作整流、续流或极性保护二极管。
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    3.5A 同步降压转换器
    型号：AP64350SP-13 编号：C2071691
    封装：SO-8-EP
    品牌：DIODES(美台)
    AP64350是一款3.5A同步降压转换器,输入电压范围为3.8V至40V,具有高效率的降压DC-DC转换功能。该器件集成了75mΩ高侧和45mΩ低侧功率MOSFET,采用峰值电流模式控制,具有电磁干扰(EMI)减少功能。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.41

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    高精度高压高端电流监测器
    型号：ZXCT1086E5TA 编号：C154866
    封装：SOT-25
    品牌：DIODES(美台)
    高侧单极性电流检测监视器，消除了在检测负载电流时破坏接地层的需要。ZXCT1082/1084/1086的最大工作电压为60V，ZXCT1083/1085/1087的最大工作电压为40V。宽共模输入电压范围和低静态电流，搭配SOT25封装，使其适用于一系列应用，包括汽车和工业24-28V导轨供电的系统。静态电流仅为0.6μA，从而将电流检测误差降至最低。使用三个外部跨导/增益设置电阻，通过允许宽增益范围和优化带宽来增加通用性。ZXCT1084/5/6/7是ZXCT1082/3的固定增益电压输出对应产品。
    数据手册

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    10W立体声D类音频功率放大器
    型号：PAM8610TR 编号：C80797
    封装：WQFN-40-EP(6x6)
    品牌：DIODES(美台)
    PAM8610是一款每声道10W的立体声D类音频放大器，具备直流音量控制功能，其总谐波失真加噪声（THD + N）低至0.1%，电磁干扰（EMI）低，电源抑制比（PSRR）良好，可实现高品质声音再现。32级直流音量控制范围为+32dB至 - 75dB。PAM8610的供电电压为7V至15V，效率远高于竞品集成电路
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    4个N沟道 耐压:60V 电流:10.6A
    型号：DMHT6016LFJ-13 编号：C460986
    封装：VDFN5045-12
    品牌：DIODES(美台)
    新一代互补MOSFET H桥具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。
    数据手册

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    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA
    型号：BZX84C4V7Q-13-F 编号：C5244791
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

    • 10+

      ￥0.192504 ￥0.2468

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      ￥0.170508 ￥0.2186

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      ￥0.15132 ￥0.194

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    独立式 耐压:4.7V 电流:3uA@2V
    型号：BZT52C4V7-13-F 编号：C151054
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
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      ￥0.2006

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    PNP 电流:600mA 电压:150V
    型号：MMBT5401-7-F 编号：C87894
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面芯片结构。 互补NPN型。 适用于低功率放大和开关。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准（在AEC-Q中引用），具有高可靠性。 有符合汽车标准的部件（单独的数据表）
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      ￥0.2233

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    SOT523封装的NPN预偏置晶体管
    型号：DDTC144EE-7-F 编号：C526547
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    NPN 50V 100mA
    型号：DDTC113ZCA-7-F 编号：C151437
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 有互补PNP类型（DDTA）。 内置偏置电阻，R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 可提供PPAP文件
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    1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
    型号：BSS84-7-F 编号：C85202
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:310mA
    型号：DMN65D8L-7 编号：C155341
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款新一代MOSFET经过精心设计，在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)）的同时，还能保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
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      ￥0.2446

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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@10.5V
    型号：BZT52C15S-7-F 编号：C260889
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
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      ￥0.253

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