DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DMP6180SK3-13 编号：C93034

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET设计用于最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.9848
50+
￥1.5751
150+
￥1.3995
500+
￥1.1804
2500+
￥1.0829
5000+
￥1.0243

有货

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型号：AP5724WG-7 编号：C154870

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

是一款升压型DC/DC转换器，专门设计用于以恒定电流驱动白光LED。该设备可以从锂离子电池串联驱动2-6个LED。LED的串联连接可提供相同的LED电流，从而实现均匀的亮度，并消除了对镇流电阻的需求。为了驱动更多数量的LED，还支持对多个相同数量LED的并联串进行单反馈。开关频率为1.2MHz，允许使用微小的外部组件。低至0.1V的反馈电压可最大限度地减少电流设置电阻中的功率损耗，以提高效率

数据手册

5+
￥2.0557
50+
￥1.5873
150+
￥1.3865
500+
￥1.136
3000+
￥0.957

有货

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型号：DMN6040SSDQ-13 编号：C461035

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.4707
50+
￥1.9667
150+
￥1.7507
500+
￥1.4813
2500+
￥1.3613

有货

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型号：ZXCT1110W5-7 编号：C78482

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1107/09/10是高端单极性电流检测监视器。这些器件在检测负载电流时无需中断接地层。宽共模输入电压范围、低静态电流，再加上SOT23封装，使其适用于一系列应用，包括适配器、汽车以及由工业24V电源轨供电的系统

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1+
￥5.56
10+
￥4.48
30+
￥3.95

有货

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型号：AP64350SP-13 编号：C2071691

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64350是一款3.5A同步降压转换器,输入电压范围为3.8V至40V,具有高效率的降压DC-DC转换功能。该器件集成了75mΩ高侧和45mΩ低侧功率MOSFET,采用峰值电流模式控制,具有电磁干扰(EMI)减少功能。

数据手册

1+
￥6.41
10+
￥5.12
30+
￥4.47
100+
￥3.83
500+
￥3.44
1000+
￥3.24

有货

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型号：1N4448W-7-F 编号：C124191

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。表面贴装封装，非常适合自动插入。用于通用开关应用。高电导率。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2285
200+
￥0.1834
600+
￥0.1584
3000+
￥0.1434
9000+
￥0.1304

有货

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型号：BAT42W-7-F 编号：C134396

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。快速开关时间。表面贴装封装，非常适合自动插入。提供无铅/符合RoHS标准的版本

数据手册

20+
￥0.2377
200+
￥0.189
600+
￥0.162
3000+
￥0.1458
9000+
￥0.1317

有货

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型号：BC856B-7-F 编号：C260879

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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20+
￥0.2445
200+
￥0.1946
600+
￥0.1669
3000+
￥0.1503
9000+
￥0.1359

有货

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型号：BZT52C2V0-7-F 编号：C260893

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2697
200+
￥0.2158
600+
￥0.1859
3000+
￥0.1679
9000+
￥0.1523

有货

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型号：BAV99DW-7-F 编号：C150465

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：快速开关速度。小型表面贴装封装。用于通用开关应用。高电导。一个封装中有两个“BAV99”电路。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑。 “绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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10+
￥0.2826
100+
￥0.2283
300+
￥0.2011
3000+
￥0.1671
6000+
￥0.1508
9000+
￥0.1426

有货

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型号：DDZ9702S-7 编号：C674406

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：非常尖锐的击穿特性。齐纳电压（Vz）的容差非常小。非常适合自动化组装过程。极低的泄漏电流。无铅设计/RoHS合规。 “绿色”器件

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5+
￥0.289636 ￥0.3914
50+
￥0.25678 ￥0.347
150+
￥0.240352 ￥0.3248
500+
￥0.228068 ￥0.3082
3000+
￥0.21793 ￥0.2945
6000+
￥0.212972 ￥0.2878

有货

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型号：DMP2305U-7 编号：C85097

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：低导通电阻: -60mΩ @ VGS =-4.5V。 -90mΩ @ VGS =-2.5V。 -113mΩ @ VGS =-1.8V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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10+
￥0.3174
100+
￥0.2549
300+
￥0.2237
3000+
￥0.1931
6000+
￥0.1744
9000+
￥0.165

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型号：B1100-13-F 编号：C110106

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。适用于低压降、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子在 +260℃ 下持续 10 秒。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

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10+
￥0.3863
100+
￥0.3101
300+
￥0.272
1000+
￥0.2435
5000+
￥0.2102
10000+
￥0.1988

有货

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型号：AS358AMTR-E1 编号：C141322

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

AS358/358A/358B由两个独立的、高增益且内部频率补偿的运算放大器组成，它们专为单电源供电而设计。也可以采用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益模块以及大多数传统运算放大器电路

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10+
￥0.418
100+
￥0.3367
300+
￥0.296
1000+
￥0.2655
4000+
￥0.2411
8000+
￥0.2289

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型号：DFLS240-7 编号：C124195

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。高电流能力。低泄漏电流。专利联锁夹设计，具备高浪涌电流容量。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

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10+
￥0.4882
100+
￥0.3884
300+
￥0.3385
3000+
￥0.2674
6000+
￥0.2375
9000+
￥0.2225

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型号：74LVC1G11W6-7 编号：C460526

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G11 是一款单路 3 输入正与门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围

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5+
￥0.514
50+
￥0.4006
150+
￥0.344
500+
￥0.3014
3000+
￥0.2674
6000+
￥0.2504

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型号：DESD5V0U1BA-7 编号：C460442

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：提供符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 保护：接触 ±10kV。 1 通道 ESD 保护。符合 IEC 61000-4-5 标准的高峰值脉冲电流。低通道输入电容。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。便携式电子设备

数据手册

5+
￥0.5204
50+
￥0.423
150+
￥0.3743
500+
￥0.3378
3000+
￥0.3086
6000+
￥0.294

有货

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型号：DMN6140L-7 编号：C156306

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

N沟道，60V,2.3A

数据手册

10+
￥0.5291
100+
￥0.4129
300+
￥0.3548
3000+
￥0.3113
6000+
￥0.2764
9000+
￥0.259

有货

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型号：AZ1117H-3.3TRG1 编号：C110474

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

是一系列低压差三端稳压器，在1A输出电流下压差为1.15V。提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调的带隙基准，以确保1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和可调版本的输出电压精度在1%以内，1.2V版本的输出电压精度在2%以内。限流经过微调，以确保指定的输出电流和受控的短路电流。片上热关断功能可防止任何过载和环境温度组合导致的结温过高。有一个可调版本，仅需2个外部电阻即可提供1.25V至12V的输出电压。采用行业标准SOT223、SOT89、TO220-3、TO252-23、TO252-24、TO252-25和TO263电源封装。

数据手册

5+
￥0.5362
50+
￥0.4348
150+
￥0.3841
500+
￥0.3461
2500+
￥0.2904
4000+
￥0.2752

有货

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型号：SMAZ15-13-F 编号：C110524

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5401
50+
￥0.4311
150+
￥0.3766
500+
￥0.3357
2500+
￥0.2594
5000+
￥0.243

有货

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型号：DMN26D0UFB4-7B 编号：C7525126

封装：DFN-3

品牌：DIODES(美台)

这新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

5+
￥0.5863
50+
￥0.4749
150+
￥0.4193
500+
￥0.3775
2500+
￥0.3441
5000+
￥0.3274

有货

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型号：BSS127S-7 编号：C154890

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这新一代产品采用先进的平面技术 MOSFET，具备出色的高电压性能和快速开关特性，非常适合小信号和电平转换应用。

数据手册

5+
￥0.6035
50+
￥0.4925
150+
￥0.437
500+
￥0.3953
3000+
￥0.3151
6000+
￥0.2984

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型号：B260-13-F 编号：C72265

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗、高效率。浪涌过载额定值达500A峰值。适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。高温焊接：端子处+260℃/10秒。无铅表面处理；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6628
50+
￥0.5303
150+
￥0.464
500+
￥0.4143
3000+
￥0.3454
6000+
￥0.3256

有货

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型号：AP62200WU-7 编号：C1323282

封装：TSOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP62200/AP62201/AP62200T是一款2A同步降压转换器，输入电压范围宽，为4.2V至18V。该器件完全集成了一个90mΩ的高端功率MOSFET和一个65mΩ的低端功率MOSFET，可提供高效的降压式DC - DC转换。由于采用恒定导通时间（COT）控制，AP62200/AP62201/AP62200T器件能够实现快速瞬态响应、轻松的环路稳定和低输出电压纹波，同时将外部元件数量减至最少，使用起来十分便捷

数据手册

5+
￥0.7313
50+
￥0.5729
150+
￥0.4937
500+
￥0.4343
3000+
￥0.3868
6000+
￥0.3631

有货

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型号：SBR3A40SA-13 编号：C110516

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

特性：低泄漏电流。专利超势垒整流器技术。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，绿色器件。应用：开关电源（SMPS）。交流-直流（AC-DC）

数据手册

5+
￥0.7326
50+
￥0.593
150+
￥0.5233
500+
￥0.4709
2500+
￥0.4019
5000+
￥0.3809

有货

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型号：DMMT5401-7-F 编号：C154733

封装：SOT-26(SC74R)

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -150V，2% 匹配容差。 hFE、Vce(SAT)、Vbe(SAT) 适合中功率放大和开关。单个 SOT26 (SC74R) 封装中的双晶体管，占用空间为两个等效 SOT23 晶体管的一半。外延平面管芯结构。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色” 器件

数据手册

5+
￥0.751
50+
￥0.5854
150+
￥0.5025
500+
￥0.4404
3000+
￥0.3907
6000+
￥0.3659

有货

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型号：ES1G-13-F 编号：C85108

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动装配。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7577
50+
￥0.6232
150+
￥0.556
500+
￥0.5056
2500+
￥0.4528
5000+
￥0.4326

有货

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型号：DMP6350S-7 编号：C155308

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.7995
50+
￥0.6668
150+
￥0.6005
500+
￥0.5507
3000+
￥0.4982
6000+
￥0.4783

有货

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型号：AL8807MP-13 编号：C99346

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

用于驱动LED的降压型DC/DC转换器，可从6V至36V的电压源串联驱动多达9个LED。串联连接LED可提供相同的LED电流，实现均匀亮度，无需镇流电阻。开关频率高达1MHz，具有受控的上升和下降时间，可降低EMI，允许使用小尺寸外部组件，从而最小化所需的PCB面积。最大输出电流通过连接在VIN和SET输入引脚之间的外部电阻设置。通过在CTRL输入引脚施加直流电压或PWM信号实现调光。CTRL输入电压为0.4V或更低时，输出MOSFET关闭，简化PWM调光。

数据手册

5+
￥0.8031
50+
￥0.653488 ￥0.6952
150+
￥0.545076 ￥0.6489
500+
￥0.496608 ￥0.5912
2500+
￥0.47502 ￥0.5655
5000+
￥0.462 ￥0.55

有货

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型号：AP2210K-ADJTRG1 编号：C507874

封装：SOT-23-5

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA的超低压差线性稳压器（ULDO），提供极低的噪声、超低的压差（在300mA时典型值为250mV）、极低的待机电流（最大1μA）和出色的电源纹波抑制比（在100Hz时PSRR为75dB）。该器件用于电池供电的应用，如手机和个人数字助理（PDA）；以及对噪声敏感的应用，如射频（RF）电子设备。还具有独立的逻辑兼容使能/关断控制输入、用于延长电池寿命的低功耗关断模式、过流保护、过温保护和反向电流保护。有2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、3.6V、4.0V、5.0V和可调版本。采用节省空间的SOT-23-3和SOT-23-5封装。

数据手册

5+
￥0.8355
50+
￥0.6771
150+
￥0.5979
500+
￥0.5385
3000+
￥0.4528
6000+
￥0.429

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