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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件
数据手册
  • 20+

    ¥0.229
  • 200+

    ¥0.178
  • 600+

    ¥0.1497
  • 3000+

    ¥0.1327
  • 有货
  • 这款新一代MOSFET经过精心设计,在最大程度降低导通电阻(RDS(ON))的同时,还能保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2446
    • 200+

      ¥0.1952
    • 600+

      ¥0.1678
    • 3000+

      ¥0.1513
    • 9000+

      ¥0.137
  • 有货
  • 特性:扩散结。 用于高效的快速开关。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向泄漏电流。 无铅表面处理,符合RoHS标准
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2582
    • 200+

      ¥0.2069
    • 600+

      ¥0.1784
    • 5000+

      ¥0.1613
  • 有货
  • 特性:表面贴装封装,非常适合自动插入。 极低的泄漏电流。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2586
    • 200+

      ¥0.2096
    • 600+

      ¥0.1824
    • 3000+

      ¥0.152
    • 9000+

      ¥0.1379
  • 有货
  • 特性:小型、薄型表面贴装封装。 扁平引脚封装设计,适用于薄型和高功率耗散。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2654
    • 100+

      ¥0.2132
    • 300+

      ¥0.187
    • 3000+

      ¥0.1674
    • 6000+

      ¥0.1517
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构,高可靠性。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2785
    • 100+

      ¥0.2216
    • 300+

      ¥0.1932
    • 1000+

      ¥0.1719
    • 5000+

      ¥0.1548
  • 有货
  • 特性:外延芯片结构。 一个封装内有两个内部隔离的 NPN/PNP 晶体管。 适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件(单独的数据手册 BC847PNQ)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2968
    • 100+

      ¥0.2383
    • 300+

      ¥0.2091
    • 3000+

      ¥0.1872
    • 6000+

      ¥0.1696
    • 9000+

      ¥0.1609
  • 有货
  • 新一代TVS旨在保护敏感电子设备免受ESD损坏。小尺寸和高ESD浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用,如手机、数码相机和MP3播放器。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3106
    • 100+

      ¥0.2542
    • 300+

      ¥0.226
    • 1000+

      ¥0.2048
    • 5000+

      ¥0.1879
    • 10000+

      ¥0.1794
  • 有货
  • 特性:500mW功率耗散(FR-4 PCB)。齐纳电压(Vz)容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3184
    • 100+

      ¥0.2553
    • 300+

      ¥0.2237
    • 3000+

      ¥0.2001
    • 6000+

      ¥0.1811
    • 9000+

      ¥0.1717
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3327
    • 100+

      ¥0.2694
    • 300+

      ¥0.2378
    • 3000+

      ¥0.2141
    • 6000+

      ¥0.1951
  • 有货
  • P沟道,-20V,-3.6A,35mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4042
    • 100+

      ¥0.3296
    • 300+

      ¥0.2923
    • 3000+

      ¥0.2372
  • 有货
  • 74AHC1G04是一款具有标准推挽输出的单反相器门电路。该器件设计用于2.0V至5.5V的电源电压范围。此门电路实现正布尔函数:引脚分配
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4333
    • 100+

      ¥0.3835
    • 300+

      ¥0.3586
    • 3000+

      ¥0.2818
    • 6000+

      ¥0.2669
  • 有货
  • 采用高压EPNP工艺制造的正电压调节器IC。具有宽输入电压范围、高精度、高纹波抑制、低压差电压、低噪声、限流和超低静态电流等特点,适用于各种USB和便携式设备。该IC由电压基准、误差放大器、用于设置输出电压的电阻网络、用于电流保护的限流电路和芯片使能电路组成。有1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V、5.0V固定电压版本和可调电压版本。采用节省空间的SOT-23-5、SOT-89和PSOP-8封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4567
    • 50+

      ¥0.3893
    • 150+

      ¥0.3556
    • 1000+

      ¥0.3304
    • 2000+

      ¥0.3102
    • 5000+

      ¥0.3
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快速恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达30A峰值。 高电流能力。 非常适合自动组装。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4707
    • 100+

      ¥0.3669
    • 300+

      ¥0.315
    • 1000+

      ¥0.2761
    • 5000+

      ¥0.2449
  • 有货
  • N沟道,30V,4A,45mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5299
    • 50+

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      ¥0.3546
    • 500+

      ¥0.3107
    • 3000+

      ¥0.2757
    • 6000+

      ¥0.2581
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗,高效率。 浪涌过载额定值达125A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6164
    • 50+

      ¥0.4996
    • 150+

      ¥0.4412
    • 500+

      ¥0.3974
    • 3000+

      ¥0.3226
    • 6000+

      ¥0.3051
  • 有货
  • 适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7008
    • 50+

      ¥0.5675
    • 150+

      ¥0.5009
    • 500+

      ¥0.451
    • 2500+

      ¥0.3954
    • 5000+

      ¥0.3754
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7044
    • 50+

      ¥0.5732
    • 150+

      ¥0.5075
    • 500+

      ¥0.4583
    • 3000+

      ¥0.3752
    • 6000+

      ¥0.3555
  • 有货
  • 是一款采用PowerDI123封装的单整流器,具有出色的高温稳定性和低正向电压。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7112
    • 50+

      ¥0.5603
    • 150+

      ¥0.4849
    • 500+

      ¥0.4283
    • 3000+

      ¥0.383
    • 6000+

      ¥0.3603
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7497
    • 50+

      ¥0.5957
    • 150+

      ¥0.5187
    • 500+

      ¥0.4609
    • 3000+

      ¥0.4147
    • 6000+

      ¥0.3916
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 超快恢复时间,实现高效率。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动装配。 无铅涂层,符合RoHS标准。 采用绿色模塑料(无卤素和锑)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7797
    • 50+

      ¥0.6195
    • 150+

      ¥0.5394
    • 500+

      ¥0.4793
    • 3000+

      ¥0.4313
  • 有货
  • 特性:低正向压降。 保护环结构,用于瞬态保护。 快速开关时间。 低反向电容。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8153
    • 50+

      ¥0.6569
    • 150+

      ¥0.5777
    • 500+

      ¥0.5183
    • 3000+

      ¥0.4707
    • 6000+

      ¥0.4469
  • 有货
  • 采用SOD523封装,具备理想的低正向压降(VF)/反向电流(IR)性能,且封装高度较低,使该器件适用于各种转换器、充电器和LED驱动电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8316
    • 50+

      ¥0.6636
    • 150+

      ¥0.5796
    • 500+

      ¥0.5166
    • 3000+

      ¥0.4662
    • 6000+

      ¥0.441
  • 有货
  • N沟道,60V,150mA
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8395
    • 50+

      ¥0.6617
    • 150+

      ¥0.5728
    • 500+

      ¥0.5061
    • 3000+

      ¥0.4527
  • 有货
  • 肖特基整流器在高温下提供低VF和出色的反向泄漏稳定性,该器件非常适合用于一般整流应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8454
    • 50+

      ¥0.659
    • 150+

      ¥0.5657
    • 500+

      ¥0.4958
    • 2500+

      ¥0.4398
    • 5000+

      ¥0.4119
  • 有货
  • 适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8541
    • 50+

      ¥0.6657
    • 150+

      ¥0.5715
    • 500+

      ¥0.5009
    • 2500+

      ¥0.4444
    • 5000+

      ¥0.4161
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达500A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子处+260℃/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8727
    • 50+

      ¥0.704
    • 150+

      ¥0.6197
    • 500+

      ¥0.5564
    • 2500+

      ¥0.5058
    • 5000+

      ¥0.4805
  • 有货
  • 这款采用SOD323封装的紧凑型肖特基二极管为用户提供了出色的性能组合,包括大电流工作、极低的漏电流和低正向电压,确保适用于需要在较高温度(高于+85°C)下高效运行的应用场景。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0393
    • 50+

      ¥0.8299
    • 150+

      ¥0.7402
    • 500+

      ¥0.6282
    • 3000+

      ¥0.5784
    • 6000+

      ¥0.5485
  • 有货
  • N沟道,60V,1.6A,140mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0489
    • 50+

      ¥0.8294
    • 150+

      ¥0.7197
    • 500+

      ¥0.6373
    • 3000+

      ¥0.5715
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0765
    • 50+

      ¥0.8646
    • 150+

      ¥0.7587
    • 500+

      ¥0.6793
    • 3000+

      ¥0.5892
    • 6000+

      ¥0.5574
  • 有货
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