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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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是一款采用PowerDI123封装的单整流器,具有出色的高温稳定性和低正向电压。
数据手册
  • 5+

    ¥0.7112
  • 50+

    ¥0.5603
  • 150+

    ¥0.4849
  • 500+

    ¥0.4283
  • 3000+

    ¥0.383
  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7268
    • 50+

      ¥0.5911
    • 150+

      ¥0.5233
    • 500+

      ¥0.4724
    • 2500+

      ¥0.4317
    • 5000+

      ¥0.4114
  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7495
    • 50+

      ¥0.6091
    • 150+

      ¥0.539
    • 500+

      ¥0.4863
    • 2500+

      ¥0.3895
  • 有货
  • 特性:肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达60A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:引脚处+260℃/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7601
    • 50+

      ¥0.618
    • 150+

      ¥0.547
    • 500+

      ¥0.4937
    • 3000+

      ¥0.409
  • 有货
  • AP3429/A 是一款 2A 降压型 DC - DC 转换器。在重载情况下,恒定频率 PWM 控制具有出色的稳定性和瞬态响应,无需外部补偿元件。AP3429/A 支持 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围,可使用单节 Li+/锂聚合物电池、多节碱性/镍氢电池及其他标准电源
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8273
    • 50+

      ¥0.6549
    • 150+

      ¥0.5688
    • 500+

      ¥0.5041
    • 3000+

      ¥0.4066
    • 6000+

      ¥0.3807
  • 有货
  • 2对共阴极
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8557
    • 50+

      ¥0.6817
    • 150+

      ¥0.5947
    • 500+

      ¥0.5294
    • 3000+

      ¥0.4772
  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8691
    • 50+

      ¥0.703
    • 150+

      ¥0.6199
    • 500+

      ¥0.5576
  • 有货
  • 特性:1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8812
    • 50+

      ¥0.6887
    • 150+

      ¥0.5924
    • 500+

      ¥0.5202
    • 2500+

      ¥0.4625
  • 有货
  • 新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合用于便携式应用,如手机、数码相机和 MP3 播放器。该封装的侧壁电镀选项允许在回流焊接后进行光学检查,以便进行简单可靠的质量控制。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8883
    • 50+

      ¥0.7058
    • 150+

      ¥0.6146
    • 500+

      ¥0.5461
    • 2500+

      ¥0.4913
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的一般要求。它非常适合用作:极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8888
    • 50+

      ¥0.7275
    • 150+

      ¥0.6468
    • 500+

      ¥0.5864
    • 3000+

      ¥0.5092
    • 6000+

      ¥0.485
  • 有货
  • 这款MOSFET采用了独特的结构,将低导通电阻与快速开关速度的优势相结合,使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.907
    • 50+

      ¥0.7236
    • 150+

      ¥0.632
    • 500+

      ¥0.5632
    • 3000+

      ¥0.5082
  • 有货
  • 特性:1W功率耗散(FR-4 PCB)。 大型外露焊盘和散热片,具备卓越的热性能。 专利联锁夹设计,具备高浪涌能力,美国专利号 #7,095,113。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性。 可提供生产件批准程序(PPAP)文件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.926667 ¥1.4709
    • 50+

      ¥0.692445 ¥1.3065
    • 150+

      ¥0.531523 ¥1.2361
    • 500+

      ¥0.493726 ¥1.1482
    • 3000+

      ¥0.47687 ¥1.109
    • 6000+

      ¥0.466765 ¥1.0855
  • 有货
  • 特性:BVCEO > -12V。 连续集电极电流 IC = -2.5A。 峰值脉冲电流 IcM = -10A。 低饱和电压,例如在 IC = -100mA 时最大为 -17mV。 在 2.5A 时 RCE(sat) = 72mΩ,等效导通电阻低。 功率耗散 625mW。应用:栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9988
    • 50+

      ¥0.7943
    • 150+

      ¥0.7067
    • 500+

      ¥0.5973
    • 3000+

      ¥0.5486
  • 有货
  • 特性:功率耗散:3.0W。 非常适合自动组装。 标称齐纳电压范围:6.2V-200V。 标准Vz公差:45%。 人体模型静电放电等级:3级(>16kV)。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0172
    • 50+

      ¥0.8075
    • 150+

      ¥0.7177
    • 500+

      ¥0.6056
    • 3000+

      ¥0.5557
  • 有货
  • VBR=31.1V VC=45.4V IPP=13.2A 双向
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0294
    • 50+

      ¥0.8187
    • 150+

      ¥0.7284
    • 500+

      ¥0.6157
    • 3000+

      ¥0.5401
  • 有货
  • N沟道,60V,1.6A,140mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0489
    • 50+

      ¥0.8294
    • 150+

      ¥0.7197
    • 500+

      ¥0.6373
    • 3000+

      ¥0.5715
  • 有货
  • 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 造成的损坏。小尺寸与高 ESD 浪涌能力的结合,使其非常适合用于手机、数码相机和 MP3 播放器等便携式应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0634
    • 50+

      ¥0.8402
    • 150+

      ¥0.7446
    • 500+

      ¥0.6253
    • 3000+

      ¥0.5721
    • 6000+

      ¥0.5402
  • 有货
  • 高电压、高电流达林顿阵列,每个包含七个集电极开路共发射极对。每个对的额定电流为 500mA。包含用于电感负载驱动的抑制二极管。输入和输出引脚相对,以简化电路板布局。设备选项设计为与常见逻辑系列兼容,能够驱动各种负载,包括螺线管、继电器、直流电机、LED 显示器、白炽灯、热敏打印头和高功率缓冲器。有小型 16 引脚封装(SO-16)和 PDIP-16 封装可供选择。ULN2003A 还有用于小尺寸要求的 TSSOP-16(CJ 型)封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1058
    • 50+

      ¥0.8912
    • 150+

      ¥0.7993
    • 500+

      ¥0.6845
    • 2500+

      ¥0.5757
    • 5000+

      ¥0.545
  • 有货
  • 基于电荷泵技术的稳压升压型DC/DC转换器,能够在3.0V至5V输入(AP3602B为2.7V至4.5V)的情况下提供100mA恒定输出电流或250mA峰值输出电流(持续100ms),可作为白光LED驱动器或闪光灯LED驱动器使用。在典型应用中具有极低的功耗和高效率。还具备过温保护、低温系数等特性,以满足手持电池供电设备的特殊要求。应用时仅需3个外部电容,有助于节省空间和降低成本。芯片还设有禁用端子,方便开启或关闭芯片。
    数据手册
    • 3+

      ¥1.1202
    • 30+

      ¥0.9677
    • 90+

      ¥0.9023
    • 300+

      ¥0.8208
    • 1500+

      ¥0.7844
    • 3000+

      ¥0.7627
  • 有货
  • 特性:超低正向压降。 低漏电流。 卓越的反向雪崩能力。 出色的高温稳定性。 专利联锁夹设计,具有高浪涌电流能力。 专利超级势垒整流器技术 (SBR)。 软、快速开关能力。 工作结温 +150℃。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1361
    • 50+

      ¥1.0186
    • 150+

      ¥0.9682
    • 500+

      ¥0.9054
    • 3000+

      ¥0.8774
    • 6000+

      ¥0.8606
  • 有货
  • 特性:肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达60A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:引脚处+260℃/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1573
    • 50+

      ¥0.9725
    • 150+

      ¥0.8801
    • 500+

      ¥0.8108
    • 3000+

      ¥0.7554
  • 有货
  • 是一款40伏1A的肖特基势垒整流器,针对低正向压降和低漏电流进行了优化,采用紧凑的芯片级封装(CSP),仅占用0.6mm²的电路板空间。低热阻使设计人员能够应对提高效率的设计挑战,同时减少电路板空间。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1596
    • 50+

      ¥0.9302
    • 150+

      ¥0.8319
    • 500+

      ¥0.7092
    • 2500+

      ¥0.6546
    • 5000+

      ¥0.6218
  • 有货
  • 特性:1W功率耗散(FR-4 PCB)。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具有高可靠性。 有符合汽车标准的产品(单独的数据手册)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2034
    • 50+

      ¥0.9508
    • 150+

      ¥0.8426
    • 500+

      ¥0.7076
    • 3000+

      ¥0.6474
  • 有货
  • DT1240A-08LP3810是一款高性能器件,适用于保护四个高速I/O接口。这些器件采用UDFN3810-9(B型)封装,具有高ESD浪涌能力和低电容。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2686
    • 50+

      ¥0.9834
    • 150+

      ¥0.8611
    • 500+

      ¥0.7086
    • 2500+

      ¥0.6407
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2778
    • 50+

      ¥1.0162
    • 150+

      ¥0.9041
    • 500+

      ¥0.7642
    • 2500+

      ¥0.7019
    • 5000+

      ¥0.6645
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 3+

      ¥1.3427
    • 30+

      ¥1.0691
    • 90+

      ¥0.9518
    • 300+

      ¥0.8056
    • 1500+

      ¥0.7014
    • 3000+

      ¥0.6623
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 100V。 IC = 1A,高连续电流。 低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 250mA。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:负载管理功能。 螺线管、继电器和执行器驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.386
    • 50+

      ¥1.1044
    • 150+

      ¥0.9838
    • 1000+

      ¥0.7266
    • 2000+

      ¥0.6596
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 160V。 BVEBO > 6V。 连续集电极电流 IC = 600mA。 低饱和电压(最大150mV @ 10mA)。 hFE在高达50mA时指定,以实现高增益保持。 互补PNP类型:DZT5401。应用:高压放大应用。 高压开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.428
    • 50+

      ¥1.1356
    • 150+

      ¥1.0103
    • 500+

      ¥0.854
    • 2500+

      ¥0.7844
  • 有货
  • 4通道TVS
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4339
    • 50+

      ¥1.154
    • 150+

      ¥1.0341
    • 500+

      ¥0.8844
    • 3000+

      ¥0.7373
  • 有货
  • 8.0A 表面贴装玻璃钝化整流器,采用 SMC 封装,具有高电流能力和低正向压降,设计有保护环,用于瞬态保护,浪涌能力高。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4904
    • 50+

      ¥1.2141
    • 150+

      ¥1.0957
    • 500+

      ¥0.948
    • 3000+

      ¥0.8822
  • 有货
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