您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单 购物车(0)
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共18645
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
数据手册
  • 1+

    ¥6.57
  • 10+

    ¥5.36
  • 30+

    ¥4.76
  • 100+

    ¥4.16
  • 500+

    ¥3.8
  • 1000+

    ¥3.61
  • 有货
  • AP64350Q是一款汽车级3.5A同步降压转换器,具有宽输入电压范围(3.8V至40V),内置高侧和低侧功率MOSFET,支持高峰值电流模式控制,具备EMI减少功能和多种保护机制。
    • 1+

      ¥6.89
    • 10+

      ¥5.68
    • 30+

      ¥5.01
    • 100+

      ¥4.26
    • 500+

      ¥3.93
    • 1000+

      ¥3.78
  • 有货
  • PCIe 3.0兼容的高速、低噪声差分时钟缓冲器,设计用作PCIe 3.0时钟发生器的配套产品。它向后兼容PCIe 1.0和2.0规范。该设备将来自PCIe 3.0时钟发生器的差分SRC时钟分配到四对差分时钟输出,可选择是否使用PLL。时钟输出由SRC_STOP#、PWRDWN#和SMBus、SCLK和SDA的输入选择控制。当SRC_STOP#或PWRDWN#输入为低电平时,输出时钟为三态。当PWRDWN#为低电平时,SDA和SCLK输入必须为三态。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.53
    • 10+

      ¥7.8
    • 30+

      ¥6.86
    • 100+

      ¥5.78
    • 500+

      ¥5.31
    • 1000+

      ¥5.09
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。开关同步整流DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥15.34
    • 10+

      ¥13.31
    • 30+

      ¥12.03
    • 100+

      ¥10.73
    • 500+

      ¥10.14
  • 有货
  • 4通道PCI Express Gen 2交换机,支持4个PCI Express端口。支持Cut-through和Store and Forward模式的数据包交换。
    数据手册
    • 1+

      ¥41.37
    • 10+

      ¥36.11
    • 30+

      ¥32.9
    • 100+

      ¥30.21
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2129
    • 200+

      ¥0.1681
    • 600+

      ¥0.1432
    • 3000+

      ¥0.1282
  • 有货
  • 先进的工艺能力实现了高电流增益保持,使该器件非常适合需要高脉冲电流的应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.21878 ¥1.0939
    • 50+

      ¥0.1935 ¥0.9675
    • 150+

      ¥0.18266 ¥0.9133
    • 500+

      ¥0.16914 ¥0.8457
    • 3000+

      ¥0.16312 ¥0.8156
    • 6000+

      ¥0.15952 ¥0.7976
  • 有货
  • 特性:400mW功率耗散(FR-4 PCB)。 VZ容差极小。 非常适合自动化装配工艺。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2236 ¥0.344
    • 100+

      ¥0.178945 ¥0.2753
    • 300+

      ¥0.156585 ¥0.2409
    • 3000+

      ¥0.139815 ¥0.2151
    • 6000+

      ¥0.126425 ¥0.1945
    • 9000+

      ¥0.11973 ¥0.1842
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,环保产品
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2465
    • 200+

      ¥0.1978
    • 600+

      ¥0.1707
    • 3000+

      ¥0.1407
    • 9000+

      ¥0.1266
  • 有货
  • 特性:500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2485
    • 200+

      ¥0.198
    • 600+

      ¥0.17
    • 3000+

      ¥0.1532
  • 有货
  • 特性:500mW功率耗散,在FR-4 PCB上,TL = +75℃。 指定在低测试电流(50μA)下,适用于低偏置和便携式电池供电应用。 适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在IATF 16949认证工厂生产
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2584
    • 200+

      ¥0.2068
    • 600+

      ¥0.1782
    • 3000+

      ¥0.161
  • 有货
  • 特性:500mW功率耗散(FR-4 PCB)。齐纳电压(Vz)容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2699
    • 100+

      ¥0.2185
    • 300+

      ¥0.1929
    • 3000+

      ¥0.1736
    • 6000+

      ¥0.1582
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2841
    • 100+

      ¥0.2543
    • 300+

      ¥0.2395
    • 1000+

      ¥0.2283
    • 5000+

      ¥0.2194
    • 10000+

      ¥0.215
  • 有货
  • 74LVC1G07是一款带有漏极开路输出的单缓冲门。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.334
    • 100+

      ¥0.2623
    • 300+

      ¥0.2264
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3468
    • 100+

      ¥0.312
    • 300+

      ¥0.2947
    • 1000+

      ¥0.2816
    • 5000+

      ¥0.2173
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 低正向电压:1mA时最大为0.715V。 快速反向恢复:最大为4ns。 低电容:最大为1.5pF。 低漏电流:80V时最大为500nA。 小型表面贴装封装。 用于高功率耗散的高效热铜合金引线框架。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.382
    • 100+

      ¥0.3117
    • 300+

      ¥0.2765
    • 3000+

      ¥0.2501
  • 有货
  • 特性:超小无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4224
    • 100+

      ¥0.3432
    • 300+

      ¥0.3036
    • 3000+

      ¥0.2739
  • 有货
  • 特性:500mW功率耗散(FR-4 PCB)。齐纳电压(Vz)容差极小。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 10+

      ¥0.423
    • 100+

      ¥0.3414
    • 300+

      ¥0.3005
    • 3000+

      ¥0.2699
  • 有货
  • 特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件
    • 10+

      ¥0.4474
    • 100+

      ¥0.3617
    • 300+

      ¥0.3189
    • 3000+

      ¥0.2867
  • 有货
  • 特性:低开启电压。 快速开关。 PN结保护环,用于瞬态和ESD保护。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5279
    • 50+

      ¥0.422
    • 150+

      ¥0.3691
    • 500+

      ¥0.3294
    • 3000+

      ¥0.2849
    • 6000+

      ¥0.2691
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5473
    • 50+

      ¥0.4465
    • 150+

      ¥0.3961
    • 500+

      ¥0.3583
    • 3000+

      ¥0.3281
  • 有货
  • 先进超低功耗(AUP)CMOS逻辑系列专为便携式应用中的低功耗和延长电池使用寿命而设计。AUP1G14是一款单路单输入施密特触发反相器门电路,具有标准推挽输出,设计工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件针对使用IOFF的部分掉电应用进行了全面规格定义
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5624
    • 50+

      ¥0.4544
    • 150+

      ¥0.4004
    • 500+

      ¥0.3599
    • 2500+

      ¥0.3275
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构,可靠性高。 低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 非常高的反向击穿电压。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5653
    • 50+

      ¥0.4596
    • 150+

      ¥0.4067
    • 500+

      ¥0.367
    • 2500+

      ¥0.3339
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5749
    • 50+

      ¥0.5119
    • 150+

      ¥0.4804
    • 500+

      ¥0.4567
    • 2500+

      ¥0.4378
    • 5000+

      ¥0.4284
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(on)),同时保持出色的开关性能,适用于高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6146
    • 50+

      ¥0.507
    • 150+

      ¥0.4532
    • 500+

      ¥0.4129
    • 3000+

      ¥0.3281
    • 6000+

      ¥0.312
  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6437
    • 50+

      ¥0.5227
    • 150+

      ¥0.4622
    • 500+

      ¥0.4169
    • 2500+

      ¥0.3806
    • 5000+

      ¥0.3624
  • 有货
  • 特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗,高效率。 浪涌过载额定值达125A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6776
    • 50+

      ¥0.5445
    • 150+

      ¥0.4779
    • 500+

      ¥0.428
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6971
    • 50+

      ¥0.5614
    • 150+

      ¥0.4936
    • 500+

      ¥0.4427
    • 3000+

      ¥0.402
    • 6000+

      ¥0.3816
  • 有货
  • AS324/324A由四个独立、高增益和内部频率补偿的操作放大器组成。它们特别设计用于单电源操作。也支持双电源操作,并且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。典型应用包括传感器放大器、直流增益块以及大多数传统的运算放大器电路。AS324/324A系列与行业标准324兼容。AS324A具有比AS324更严格的输入失调电压。AS324提供SO-14和TSSOP-14封装,而AS324A仅提供SO-14封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7148
    • 50+

      ¥0.5793
    • 150+

      ¥0.5116
    • 500+

      ¥0.4608
    • 2500+

      ¥0.3966
  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7167
    • 50+

      ¥0.5823
    • 150+

      ¥0.515
    • 500+

      ¥0.4646
    • 2500+

      ¥0.4243
  • 有货
  • 立创商城为您提供DIODES美台电池保护芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买DIODES美台电池保护芯片提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content