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首页 > 热门关键词 > DIODES美台电池保护芯片
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描述
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PAM8904JPR
型号：PAM8904JPR 编号：C780875
封装：UQFN3030-12
品牌：DIODES(美台)
是一款集成电荷泵升压转换器的压电发声器驱动器，能够在5.5V电源下驱动陶瓷/压电发声器，输出24Vₚ₋ₚ电压。电荷泵可在1倍、2倍或3倍模式下工作。升压转换器以1.0MHz的固定频率工作，只需最少的外部组件即可提供12V输出，可驱动高达15nF的负载。独特的驱动技术提供小浪涌电流、低电磁干扰和高效率。内置自动关机和唤醒功能，可保证更长的电池寿命，具备热关断、过流保护、过压保护和欠压锁定功能。有16引脚U-QFN3030-16（B型）、12引脚U-QFN3030-12（A型）或12引脚U-QFN2020-12（UX型）封装。
数据手册

  • 1+

    ￥3.11

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    ￥2.43

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    ￥2.14

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    带功率限制的20W立体声D类音频放大器
    型号：PAM8620TR 编号：C705094
    封装：QFN-32-EP(5x5)
    品牌：DIODES(美台)
    PAM8620是一款20W（每通道）立体声D类音频放大器，其总谐波失真加噪声（THD + N）低至0.2%，电磁干扰（EMI）低，电源抑制比（PSRR）良好，因此能够实现高质量的声音再现。PAM8620可在8V至26V电源下运行，效率更高。
    数据手册

    • 单价：

      ￥3.24 / 个
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    N沟道 耐压:240V 电流:500mA
    型号：ZVN4424GTA 编号：C154893
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

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      ￥3.28

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
    型号：DMP2022LSS-13 编号：C154919
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    P沟道,-20V,-10A,13mΩ@-10V
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    PNP 电流:5A 电压:60V
    型号：FZT951TA 编号：C87951
    封装：SOT-223
    品牌：DIODES(美台)
    特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ
    数据手册

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      ￥3.67

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    电压:40V 电流:6A
    型号：PDS1240CTL-13 编号：C155222
    封装：Power-DI-5
    品牌：DIODES(美台)
    特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。 低功耗，高效率。 低正向压降。 低反向漏电流。 适用于低压、高频逆变器、或门和极性保护应用。 高正向浪涌电流能力。 无铅涂层，符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    • 1+

      ￥4.06

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    3W 立体声 CLASS-D 带有直流音量控制、功率限制和防过载功能
    型号：PAM8008DR 编号：C5144562
    封装：SOIC-16
    品牌：DIODES(美台)
    PAM8008是一款3W的D类音频放大器。先进的64级直流音量控制功能可最大程度减少外部元件数量，并实现扬声器音量控制。集成功率限制技术，可在输入信号电平过高时自动抑制输出信号削波。该技术具有低总谐波失真加噪声（THD+N）特性，可保护扬声器。集成抗饱和技术，可在电源电压变化时自动抑制输出信号削波。该技术具有低THD+N特性，可实现高质量声音再现。PAM8008还配备了额外的降噪电路，可实现6dB的噪声衰减。该电路有助于省去外部滤波环节，从而节省电路板空间和元件成本。PAM8008具备短路保护（SCP）、过温保护（OTP）和热关断功能。PAM8008采用SOP - 16L封装。
    数据手册

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    2个N沟道+2个P沟道 耐压:40V 电流:4.5A
    型号：DMHC4035LSD-13 编号：C412517
    封装：SO-8
    品牌：DIODES(美台)
    这新一代互补MOSFET H桥具有在低栅极驱动下实现低导通电阻的特点。
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    汽车级3.5A同步降压转换器
    型号：AP64352QSP-13 编号：C5248547
    封装：SO-8-EP
    品牌：DIODES(美台)
    AP64352Q是一款汽车级3.5A同步降压转换器,具有3.8V至40V的宽输入电压范围。该器件集成了75mΩ高侧功率MOSFET和45mΩ低侧功率MOSFET,提供高效的降压DC-DC转换。该器件采用峰值电流模式控制,内置环路补偿网络,优化了电磁干扰（EMI）减少设计,支持频率扩展谱（FSS）和外部时钟同步。

    • 1+

      ￥6.31

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    IntelliFET高端功率开关
    型号：ZXMS81045SPQ-13 编号：C5201726
    封装：SO-8-EP
    品牌：DIODES(美台)
    ZXMS81045SPQ 是一款单通道高端功率开关，采用 SO - 8EP（E 型）外露散热片封装，集成了保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N 沟道垂直功率 MOSFET，集成了温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源，在关断状态下具有低静态电流。
    数据手册

    • 1+

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    PI6C557-03LEX
    型号：PI6C557-03LEX 编号：C500785
    封装：TSSOP-16
    品牌：DIODES(美台)
    是一款支持PCI Express和以太网要求的扩频时钟发生器，用于PC或嵌入式系统，可大幅降低电磁干扰（EMI）。提供两个差分（HCSL）扩频输出，可配置选择扩频和时钟。采用锁相环（PLL）技术，接受25MHz晶体输入，产生25MHz、100MHz、125MHz和200MHz时钟频率的两对差分输出（HCSL），还提供±0.25%、-0.5%、-0.75%的扩频选择和无扩频选项。
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    • 1+

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    3.3V, 1-12Gbps 1-Lane 2:1 多路复用/解复用开关
    型号：PI3DBS12212AZBEX 编号：C526705
    封装：QFN-20(2.5x4.5)
    品牌：DIODES(美台)
    该产品是4到2差分通道多路复用器/解复用器，支持高达12 Gbps的数据速率。适用于USB3.0、USB3.1、10GE、Thunderbolt和SAS3.0信号。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.57

    • 10+

      ￥7.06

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    • 1000+

      ￥4.69
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    SOT363封装，50V互补预偏置晶体管
    型号：DCX114EU-13R-F 编号：C5245724
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装，适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件通过 AEC-Q101 认证，具备 PPAP 能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

    • 10+

      ￥0.2398

    • 100+

      ￥0.2133

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      ￥0.2

    • 1000+

      ￥0.1901

    • 5000+

      ￥0.1821
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    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：BZX84C12-7-F 编号：C85186
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW 功率耗散。 齐纳电压范围为 2.4V-51V。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2519

    • 200+

      ￥0.204

    • 600+

      ￥0.1774

    • 3000+

      ￥0.1464
  • 有货
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    独立式 耐压:6.8V 电流:2uA@1.0V
    型号：BZT52C6V8-7-F 编号：C79598
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2576

    • 200+

      ￥0.2125

    • 600+

      ￥0.1875

    • 3000+

      ￥0.1725
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    SOT323封装，50V NPN预偏置晶体管
    型号：DDTC143ZUA-7-F 编号：C460200
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 内置偏置电阻。 适合自动组装的表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件
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    • 20+

      ￥0.2878

    • 200+

      ￥0.2251

    • 600+

      ￥0.1903

    • 3000+

      ￥0.1694
  • 有货
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    电压:30V 电流:1A
    型号：BAT760-7 编号：C124187
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：极低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性
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    • 10+

      ￥0.3056

    • 100+

      ￥0.2461

    • 300+

      ￥0.2163

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      ￥0.1886

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      ￥0.1708
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    独立式 耐压:13V 电流:0.5uA@9.9V
    型号：MMSZ5243B-7-F 编号：C513124
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3125

    • 100+

      ￥0.2642

    • 300+

      ￥0.2401

    • 3000+

      ￥0.2109
  • 有货
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    独立式 耐压:12V 电流:50nA@9.1V
    型号：DDZ9699T-7 编号：C460861
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 非常尖锐的击穿特性。 非常适合自动化装配工艺。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3246

    • 100+

      ￥0.2579

    • 300+

      ￥0.2246

    • 3000+

      ￥0.1996
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:410mA
    型号：DMN62D1SFB-7B 编号：C531164
    封装：X1-DFN1006-3
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET的设计旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.344

    • 50+

      ￥0.2992

    • 150+

      ￥0.2768

    • 500+

      ￥0.26

    • 2500+

      ￥0.2466

    • 5000+

      ￥0.2398
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54ST-7-F 编号：C134414
    封装：SOT-523-3
    品牌：DIODES(美台)
    1对串联
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3643

    • 100+

      ￥0.2965

    • 300+

      ￥0.2626

    • 3000+

      ￥0.2058

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      ￥0.1854

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      ￥0.1752
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    双施密特触发器缓冲器
    型号：74LVC2G17DW-7 编号：C151395
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G17是一款双施密特触发器缓冲门，具有标准推挽输出。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.389

    • 100+

      ￥0.3032

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    • 6000+

      ￥0.2024
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    100V 1.5A
    型号：S2B-13-F 编号：C145107
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 低正向压降和高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 非常适合自动组装。 无铅表面处理/符合RoHS标准。 绿色模塑化合物（无卤素和锑）
    数据手册

    • 5+

      ￥0.423504 ￥0.5882

    • 50+

      ￥0.32302 ￥0.521

    • 150+

      ￥0.253448 ￥0.4874

    • 500+

      ￥0.240396 ￥0.4623

    • 3000+

      ￥0.229892 ￥0.4421

    • 6000+

      ￥0.22464 ￥0.432
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    双2输入与非门
    型号：74LVC2G00HK3-7 编号：C842631
    封装：XTDFN-8L(1x1.4)
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC2G00是一款双路二输入与非门。两个门电路均采用推挽输出，设计工作电源电压范围为1.65V至5.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4788 ￥0.63

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      ￥0.371382 ￥0.5627

    • 150+

      ￥0.29624 ￥0.529

    • 500+

      ￥0.282072 ￥0.5037

    • 2500+

      ￥0.27076 ￥0.4835

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.3A
    型号：DMN6140L-7 编号：C156306
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道，60V,2.3A
    数据手册

    • 10+

      ￥0.5291

    • 100+

      ￥0.4129

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    • 6000+

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    60V 500mA
    型号：SBR0560S1-7 编号：C117950
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向电压降。 低反向泄漏。 优异的高温稳定性。 专利超势垒整流器 (SBR^Q) 技术。 软、快速开关能力。 +150℃工作结温。应用：开关电源。 DC-DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5369

    • 50+

      ￥0.4289

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      ￥0.302

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      ￥0.2858
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
    型号：DMG6602SVT-7 编号：C110497
    封装：TSOT-26
    品牌：DIODES(美台)
    新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5639

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      ￥0.5032

    • 150+

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    • 500+

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    耐压:200V 电流:1A 反向恢复时间：200ns
    型号：1N4935G-T 编号：C5245049
    封装：DO-41
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构。 扩散结。 快速开关，高效能。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理，符合RoHS标准

    • 5+

      ￥0.5864

    • 50+

      ￥0.4829

    • 150+

      ￥0.4312

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      ￥0.3924

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      ￥0.3613

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      ￥0.3458
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:250mA
    型号：DMN2990UFZ-7B 编号：C155298
    封装：X2-DFN0606-3
    品牌：DIODES(美台)
    该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6094

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      ￥0.4965

    • 150+

      ￥0.44

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    • 2500+

      ￥0.3638

    • 5000+

      ￥0.3469
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    单向TVS 18V截止 峰值脉冲电流：13.7A
    型号：SMAJ18A-13-F 编号：C134965
    封装：SMA
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理；符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    • 5+

      ￥0.6235

    • 50+

      ￥0.4995

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      ￥0.4375

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      ￥0.3538

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