DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：2N7002KQ-13 编号：C526325

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.197945 ￥0.3245
100+
￥0.146625 ￥0.2875
300+
￥0.110249 ￥0.2689
1000+
￥0.10455 ￥0.255
5000+
￥0.099999 ￥0.2439
10000+
￥0.097744 ￥0.2384

有货

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型号：BZT52C10-7-F 编号：C155227

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。通用型，中等电流。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 高可靠性标准

数据手册

20+
￥0.2144
200+
￥0.1701
600+
￥0.1454
3000+
￥0.1307

有货

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型号：MMBT5401-7-F 编号：C87894

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。互补NPN型。适用于低功率放大和开关。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（在AEC-Q中引用），具有高可靠性。有符合汽车标准的部件（单独的数据表）

数据手册

20+
￥0.2233
200+
￥0.1797
600+
￥0.1555
3000+
￥0.1335
9000+
￥0.1209

有货

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型号：DMN26D0UT-7 编号：C211407

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

N沟道,20V,230mA,15Ω@1.2V

数据手册

20+
￥0.2312
200+
￥0.1828
600+
￥0.1559
3000+
￥0.1398
9000+
￥0.1259

有货

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型号：BC856B-7-F 编号：C260879

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该部件符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性

数据手册

20+
￥0.2445
200+
￥0.1946
600+
￥0.1669
3000+
￥0.1503
9000+
￥0.1359

有货

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型号：BZT52C6V8T-7 编号：C3025208

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

20+
￥0.2613
200+
￥0.2074
600+
￥0.1774
3000+
￥0.1594
9000+
￥0.1438

有货

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型号：DDZ9702-7 编号：C151040

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

数据手册

10+
￥0.276
100+
￥0.2221
300+
￥0.1951
3000+
￥0.174

有货

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型号：AZ23C3V3-7-F 编号：C306656

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：双齐纳二极管共阳极配置。功率耗散额定值：300mW。非常适合自动插入。同一封装中两个二极管的ΔVz ≤ 5%。提供共阴极样式。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。该器件符合JEDEC高可靠性标准

数据手册

10+
￥0.2799
100+
￥0.2423
300+
￥0.2236
3000+
￥0.2095

有货

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型号：DDZ9699-7 编号：C460860

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

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10+
￥0.2982
100+
￥0.2486
300+
￥0.2238
3000+
￥0.1938
6000+
￥0.1789
9000+
￥0.1715

有货

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型号：DMC2400UV-7 编号：C177025

封装：SOT-563

品牌：DIODES(美台)

这种新一代MOSFET旨在最大程度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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单价：
￥0.2997 / 个

有货

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型号：BZT585B13T-7 编号：C460799

封装：SOD-523

品牌：DIODES(美台)

特性：击穿电压公差：±2.0%。小型、薄型表面贴装封装。扁平引脚封装设计，适用于薄型和高功率耗散。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

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10+
￥0.3148
100+
￥0.2528
300+
￥0.2218
3000+
￥0.196
6000+
￥0.1774

有货

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型号：74LVC1G126SE-7 编号：C460528

封装：SOT-353

品牌：DIODES(美台)

74LVC1G126 是一款单路、同相缓冲器/总线驱动器，具有三态输出。当向输出使能 (OE) 引脚施加低电平时，输出将进入高阻抗状态

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10+
￥0.3348
100+
￥0.2683
300+
￥0.235
3000+
￥0.2101

有货

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型号：BAV199WQ-7 编号：C212291

封装：SOT-323-3

品牌：DIODES(美台)

特性：表面贴装封装，非常适合自动插入。适用于超低泄漏电流应用，包括高精度仪器和便携式电子产品。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备生产件批准程序（PPAP）能力

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10+
￥0.3827
100+
￥0.3041
300+
￥0.2648
3000+
￥0.2353
6000+
￥0.2117

有货

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型号：74LVC2G17DW-7 编号：C151395

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

74LVC2G17是一款双施密特触发器缓冲门，具有标准推挽输出。该器件设计用于电源电压范围为1.65V至5V的工作环境。

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10+
￥0.389
100+
￥0.3032
300+
￥0.2603
3000+
￥0.2281
6000+
￥0.2024

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型号：DDZ9694-7 编号：C151594

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：500mW功率耗散，在FR-4 PCB上，TL = +75℃。指定在低测试电流（50μA）下，适用于低偏置和便携式电池供电应用。适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在IATF 16949认证工厂生产

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