DIODES美台电池保护芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BZT52C5V6S-7-F 编号：C108176

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

特性：平面芯片结构。小表面贴装封装。非常适合自动化组装工艺。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性

数据手册

10+
￥0.4718
100+
￥0.3852
300+
￥0.3419
3000+
￥0.2964

有货

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型号：SBR0560S1-7 编号：C117950

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向电压降。低反向泄漏。优异的高温稳定性。专利超势垒整流器 (SBR^Q) 技术。软、快速开关能力。 +150℃工作结温。应用：开关电源。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥0.4862
50+
￥0.3794
150+
￥0.3261
500+
￥0.286
3000+
￥0.254
6000+
￥0.238

有货

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型号：SD05C-7 编号：C1869324

封装：SOD-323

品牌：DIODES(美台)

这款新一代瞬态电压抑制器（TVS）旨在保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）损坏。其小尺寸与高ESD浪涌能力的结合，使其非常适合用于手机、数码相机和MP3播放器等便携式应用。

数据手册

5+
￥0.5103
50+
￥0.4081
150+
￥0.3569
500+
￥0.3186
3000+
￥0.2879
6000+
￥0.2726

有货

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型号：S1MB-13-F 编号：C154857

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。浪涌过载额定值达30A峰值。非常适合自动组装。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.5128
50+
￥0.4002
150+
￥0.3439
500+
￥0.3017
3000+
￥0.2679
6000+
￥0.251

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型号：MMDT2227-7-F 编号：C191919

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：互补对：一个2222A型（NPN），一个2907A型（PNP）。适用于低功率放大和开关。完全无铅，完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高

数据手册

10+
￥0.5186
100+
￥0.427
300+
￥0.3812
3000+
￥0.3468
6000+
￥0.3194

有货

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型号：MMDT5451-7-F 编号：C460105

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

特性：外延平面芯片结构。互补对：NPN 型和 PNP 型。适用于中功率放大和开关。超小表面贴装封装。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高

数据手册

5+
￥0.6139
50+
￥0.4872
150+
￥0.4239
500+
￥0.3763
3000+
￥0.3383
6000+
￥0.3193

有货

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型号：SMAJ58A-13-F 编号：C110521

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.6394
50+
￥0.4983
150+
￥0.4278
500+
￥0.3749
2500+
￥0.3326
5000+
￥0.3115

有货

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型号：DMG3415U-7 编号：C96616

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

P沟道,-20V,-4A,42.5Ω@-4.5V

数据手册

5+
￥0.6676
50+
￥0.5239
150+
￥0.452
500+
￥0.3981
3000+
￥0.339
6000+
￥0.3175

有货

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型号：AP7365-WG-7 编号：C264087

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款600mA、可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该设备包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，设备开启。低压差和低静态电流特性使其适用于如电池供电设备等低功耗应用。典型静态电流约为35μA。内置电流限制和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。该设备具有0.8V至5.0V的可调输出，以及0.8V、1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.0V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V和3.9V的固定输出版本。有SOT25、SOT89、SOT223和UDFN2020-6封装。

数据手册

5+
￥0.6928
50+
￥0.5476
150+
￥0.475
500+
￥0.4205
3000+
￥0.3346
6000+
￥0.3128

有货

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型号：US1B-13-F 编号：C154439

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。超快速恢复时间，实现高效率。浪涌过载额定值达30A峰值。高电流能力。非常适合自动组装。无铅表面处理，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.695
50+
￥0.5614
150+
￥0.4946
500+
￥0.4445
2500+
￥0.4044
5000+
￥0.3703

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型号：SMAZ7V5-13-F 编号：C155270

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7152
50+
￥0.5515
150+
￥0.4697
500+
￥0.4083
2500+
￥0.3592
5000+
￥0.3346

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型号：MB10F-13 编号：C780855

封装：MBF

品牌：DIODES(美台)

适用于开关电源、LED照明、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用的交流到直流桥式全波整流。

数据手册

5+
￥0.7373
50+
￥0.6513
150+
￥0.6144
500+
￥0.5685
2500+
￥0.548

有货

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型号：SMAJ12CA-13-F 编号：C134948

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.7617
50+
￥0.5966
150+
￥0.5141
500+
￥0.4522
2500+
￥0.4027
5000+
￥0.3779

有货

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型号：B330B-13-F 编号：C134450

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。非常适合自动组装。低功耗，高效率。浪涌过载额定值达125A峰值。适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

2+
￥0.7935
20+
￥0.6418
60+
￥0.566
200+
￥0.5091
1000+
￥0.4636
3000+
￥0.4408

有货

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型号：SMAZ5V1-13-F 编号：C154748

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8127
50+
￥0.6521
150+
￥0.5718
500+
￥0.5116
2500+
￥0.4506

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型号：SBR3A40SAF-13 编号：C526751

封装：DO-214AD

品牌：DIODES(美台)

SBR3A40SAF 是一款采用薄型 SMAF 封装的单整流器。该器件具备低正向压降（VF）和出色的高温稳定性，非常适合用于一般整流应用，如：升压二极管、阻塞二极管、续流二极管。表面贴装超势垒整流器

数据手册

5+
￥0.8158
50+
￥0.6526
150+
￥0.571
500+
￥0.5098
2500+
￥0.4608

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型号：SMAZ10-13-F 编号：C500781

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8308
50+
￥0.6774
150+
￥0.6008
500+
￥0.5433
2500+
￥0.4973

有货

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型号：1N5711W-7-F 编号：C154843

封装：SOD-123

品牌：DIODES(美台)

特性：低正向压降。保护环结构，用于瞬态保护。快速开关时间。低反向电容。表面贴装封装，非常适合自动插入。完全无铅，完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑的“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8562
50+
￥0.6898
150+
￥0.6066
500+
￥0.5442
3000+
￥0.4943
6000+
￥0.4694

有货

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型号：AP7331-10WG-7 编号：C460375

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是一款300mA可调且固定输出电压的低压差线性稳压器。该器件包含传输元件、误差放大器、带隙、限流和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于低功耗应用，例如电池供电设备。典型静态电流约为65μA。内置限流和热关断功能，可防止IC在故障条件下损坏。提供SOT25和DFN2020-6封装。

数据手册

5+
￥0.8882
50+
￥0.7435
150+
￥0.6712
500+
￥0.6169
3000+
￥0.5735
6000+
￥0.5518

有货

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型号：AZ1117H-1.2TRE1 编号：C110105

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

是一系列低压差三端稳压器，在1A输出电流下压差为1.15V。提供限流和热关断功能。其电路包括一个微调的带隙基准，以确保1.5V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V和可调版本的输出电压精度在1%以内，1.2V版本的输出电压精度在2%以内。限流经过微调，以确保指定的输出电流和受控的短路电流。片上热关断功能可防止任何过载和环境温度组合导致的结温过高。有一个可调版本，仅需2个外部电阻即可提供1.25V至12V的输出电压。采用行业标准SOT223、SOT89、TO220-3、TO252-23、TO252-24、TO252-25和TO263电源封装。

数据手册

5+
￥0.8962
50+
￥0.6929
150+
￥0.5913
500+
￥0.515
2500+
￥0.454
4000+
￥0.4236

有货

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型号：AL5802-7 编号：C129160

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AL5802 结合了一个高增益 NPN 晶体管和一个预偏置的 NPN 晶体管，形成了一个简单且占用空间小的 LED 驱动器。LED 电流由连接在 REXT 引脚（6）到 GND 引脚（4）之间的外部电阻设定，内部高增益晶体管在外部电阻上产生约 0.6V 的电压。AL5802 的开集输出可以在 0.8V 到 30V 之间工作，使其能够在 5V 到 24V 的电源下工作而无需额外组件。通过使用低阻抗电压源驱动 BIAS 引脚（2），或使用外部开集 NPN 晶体管或开漏 N 沟道 MOSFET 驱动 EN 引脚（3），可以实现 LED 电流的 PWM 调光。AL5802 采用 SOT26 封装，适用于驱动 20mA 至 120mA 的 LED 电流。

数据手册

5+
￥0.911
50+
￥0.7374
150+
￥0.6507
500+
￥0.5856
3000+
￥0.4644

有货

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型号：B320A-13-F 编号：C110484

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：DIODES(美台)

适用于低压、高频逆变器、续流、直流-直流转换器和极性保护应用。

数据手册

5+
￥0.9141
50+
￥0.7557
150+
￥0.6765
500+
￥0.6171
2500+
￥0.4892
5000+
￥0.4655

有货

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型号：SMAJ12A-13-F 编号：C134947

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9415
50+
￥0.7827
150+
￥0.7033
500+
￥0.6437
2500+
￥0.5961
5000+
￥0.5723

有货

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型号：DT1140-04LP-7 编号：C443632

封装：UDFN2510-10

品牌：DIODES(美台)

特性：钳位电压：10A 100ns TLP时为9V；6A 8µs/20µs时为9V。 IEC 61000-4-2 (ESD)：空气放电+20/-18kV，接触放电+20/-16kV。 IEC 61000-4-5 (Lightning)：±6A (8/20µs)。 4通道ESD保护。典型通道输入电容低至0.5pF。 TLP动态电阻：0.25Ω。应用：USB 2.0。 DVI

数据手册

5+
￥0.9707
50+
￥0.8055
150+
￥0.7229
500+
￥0.6609
3000+
￥0.6113
6000+
￥0.5865

有货

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型号：FMMT495TA 编号：C47296

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。 IC = 1A 连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性高达 1A，可保持高电流增益。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，可靠性高。具备生产件批准程序（PPAP）能力

数据手册

5+
￥1.0202
50+
￥0.8002
150+
￥0.6902
500+
￥0.6077
3000+
￥0.5417

有货

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型号：SMBJ9.0CA-13-F 编号：C135111

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

VBR=10V VC=15.4V IPP=39A 双向

数据手册

5+
￥1.0228
50+
￥0.8061
150+
￥0.7132
500+
￥0.5973
3000+
￥0.5457
6000+
￥0.5147

有货

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型号：AP7361-10D-13 编号：C460388

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

是一款具有使能功能的1A、可调及固定输出电压的超低压差线性稳压器。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当EN引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流的特性使其适用于中低功率应用，如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为70μA。内置的电流限制和热关断功能可防止IC在故障条件下损坏。有U-DFN3030-8、SOT89-5、SOT223、TO252和SO-8EP封装可供选择。

数据手册