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首页 > 热门关键词 > 射频开关芯片
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10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关,适用于通用切换应用和移动基础设施。该设备提供灵活的3.3/5V电源电压,单引脚或互补引脚控制输入,4kVESD耐受能力。
数据手册
  • 1+

    ¥6.44
  • 10+

    ¥6.29
  • 30+

    ¥6.19
  • 100+

    ¥6.1
  • 有货
  • RFSW6042是一款低损耗、高隔离度的SP4T开关,优化用于蜂窝基站(CellularBTS)应用。它还非常适合用于CATV和SATV应用。该器件采用紧凑的1.8mmx1.8mm、12引脚QFN封装,无需外部直流阻塞电容器(当不向设备端口施加外部直流时)。
    • 1+

      ¥17.01
    • 10+

      ¥16.63
    • 30+

      ¥16.38
  • 有货
  • VSWA2-63DR+是一款高隔离度吸收型单刀双掷射频开关,内置CMOS驱动器,可在单正电源电压下工作,典型电流消耗为12μA。适用于50Ω系统的500-6000MHz宽带操作,也可在75Ω系统中使用,但回波损耗会有所下降。该开关在300kHz至500MHz范围内具有反射开关性能。封装为4mmx4mmx0.9mm,MSL1等级,ESD防护等级为1A。
    • 1+

      ¥19.65
    • 10+

      ¥19.16
    • 30+

      ¥18.83
  • 有货
  • AS213-92是一种中等功率的GaAsPHEMTSPDT射频开关,采用低成本的小型SC-706引脚塑料封装。该开关具有低插入损耗和正电压操作,且功耗非常低。这种通用开关可用于多种电信应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.75
    • 10+

      ¥17.99
    • 30+

      ¥16.35
  • 有货
  • PE42520是一款宽带通用SPDT吸收型射频开关,适用于测试/ATE和其他高性能无线应用。该开关在9kHz至13GHz的频率范围内具有出色的射频性能和线性度。
    数据手册
    • 1+

      ¥46.56
    • 10+

      ¥40.1
    • 30+

      ¥36.16
  • 有货
  • MASW-000834是一种SPDT宽带、高线性度、共阳极PIN二极管T/R开关,适用于0.05-6.0GHz的应用,包括WiMAX和WiFi。该设备采用行业标准的4mmPQFN塑料封装。
    • 1+

      ¥78.0204 ¥98.76
    • 10+

      ¥74.6471 ¥94.49
    • 30+

      ¥68.7853 ¥87.07
    • 100+

      ¥63.674 ¥80.6
  • 有货
  • GPIO,SP8T
    • 10+

      ¥0.4124
    • 100+

      ¥0.326
    • 300+

      ¥0.2828
  • 有货
  • GPIO,SP6T
    • 5+

      ¥0.5499
    • 50+

      ¥0.4347
    • 150+

      ¥0.3771
    • 500+

      ¥0.3339
  • 有货
  • GPIO,SP3T
    • 5+

      ¥0.5632
    • 50+

      ¥0.448
    • 150+

      ¥0.3904
    • 500+

      ¥0.3472
  • 有货
  • ATR5179是一款采用pHEMT GaAs工艺制作的单刀双掷开关单芯片芯片内部电路结构简单,该芯片的推荐工作频率为20MHz-4GHz,开关芯片采用单电源供电控制,有非常低的电流功耗,开关开启工作时有非常低的插入损耗。芯片含有两个控制端口,三个射频端口。V1和V2两个控制端口的电压互为反相,状态不同的时候对应不同的开关通路。
    • 5+

      ¥0.6093
    • 50+

      ¥0.4749
    • 150+

      ¥0.4077
  • 有货
  • MIPI,SP10T
    • 5+

      ¥1.5487
    • 50+

      ¥1.2161
    • 150+

      ¥1.0735
    • 500+

      ¥0.8957
    • 3000+

      ¥0.8165
  • 有货
  • MIPI,SP10T
    • 5+

      ¥1.6895
    • 50+

      ¥1.3267
    • 150+

      ¥1.1711
    • 500+

      ¥0.9771
  • 有货
  • MXD86C0S是一个低损耗、高隔离度的SP12T射频开关,适用于天线分集接收。它兼容MIPI控制,支持多频段操作(700MHz到3000MHz)。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.75
    • 100+

      ¥1.45
    • 500+

      ¥1.32
  • 有货
  • 这款SP6T射频开关是基于LTE和WCDMA的多模手机的理想解决方案。它覆盖了LTETx功率和6GHz,适用于非常广泛的应用。它具有DC-freeRF端口,外部DC阻塞电容器仅在外部施加DC电压时需要。其内置MIPIRFFE2.0控制器完全符合行业标准。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.18
    • 10+

      ¥3.33
    • 30+

      ¥2.9
    • 100+

      ¥2.48
  • 有货
  • 专为 LTE 和 WCDMA 三天线应用而设计。此双刀双掷开关(DPDT)在射频端口之间提供低插入损耗和低谐波生成,并具有高隔离度。通过 GPIO 接口控制开关。片上控制器允许电源电压范围为 1.65V 至 3.4V。该开关具有直接连接电池功能和无直流的射频端口。与砷化镓技术不同,仅当外部施加直流电压时,才需要在射频端口使用外部直流阻隔电容。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造,兼具砷化镓的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度,包括固有的更高 ESD 鲁棒性。尺寸非常小,仅为 1.1×1.5 mm²,最大厚度为 0.55 mm。
    • 1+

      ¥4.63
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.23
  • 有货
  • 专为 LTE 和 5G 反馈接收应用而设计,在高达 6 GHz 的频率下提供高隔离度、低插入损耗和低谐波生成。它通过 MIPI RFFE 控制器进行控制。片上控制器允许电源电压范围为 1.65 至 1.95 V。与 GaAs 技术不同,仅当外部施加直流电压时,才需要在 RF 端口使用外部直流阻隔电容器。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造,兼具 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度,包括固有的更高 ESD 鲁棒性。该器件尺寸非常小,仅为 1.9×1.5 mm²,最大厚度为 0.6 mm。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.47
    • 10+

      ¥5.34
    • 30+

      ¥5.26
  • 有货
    • 1+

      ¥10.37
    • 10+

      ¥8.86
    • 30+

      ¥7.92
    • 100+

      ¥6.95
  • 有货
  • RF1602是一款宽带单刀双掷(SPDT)射频开关,具有低插入损耗和高功率处理能力,同时功耗低。其出色的线性性能使其非常适合用于SV-LTE、WCDMA和CDMA应用。RF1602在射频端口之间提供非常高的隔离度,从而在发射和接收路径之间提供更大的分离。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.2
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

      ¥10.81
    • 100+

      ¥10.66
  • 有货
  • MASWSS0115是一款GaAsPHEMTMMIC单刀双掷(SPDT)开关,采用低成本、无铅SC-70(SOT-363)表面贴装塑料封装。该器件适用于需要非常小尺寸和低成本的应用,如双频系统中的滤波器组、单频LNA、转换器等。此部分可用于所有工作频率高达3GHz的系统,包括PCS、GSM、DCS、蓝牙和其他接收链应用。
    • 1+

      ¥12.71
    • 10+

      ¥10.79
    • 30+

      ¥9.6
  • 有货
    • 1+

      ¥16.85
    • 10+

      ¥16.46
    • 30+

      ¥16.2
  • 有货
  • 是一款绝缘硅 (SOI) 单刀单掷 (SPST) 吸收式开关,适用于蜂窝、3G、LTE 等高性能通信系统。提供高隔离度,具备出色的线性度和功率处理能力。RF 端口无需隔直电容。设计为非反射式,在关断状态下 RF2 端口端接 50 欧姆。与 +1.8V 正逻辑兼容。
    • 1+

      ¥19.06
    • 10+

      ¥15.57
    • 30+

      ¥13.5
  • 有货
  • 是一款绝缘体上硅 (SOI) 单刀双掷 (SPDT) 开关,设计用于 4G/5G 无线基础设施应用和其他高性能通信系统。它具有高隔离度、出色的线性度和功率处理能力。RF 端口无需隔直电容。该设计为非反射式,使得 RFX 端口在关断状态下终端电阻为 50Ω。与 +1.8V 逻辑兼容。采用符合 RoHS 标准的紧凑型 QFN 4×4mm 表面贴装无引脚封装。
    • 1+

      ¥21.13
    • 10+

      ¥20.67
    • 30+

      ¥20.36
  • 有货
  • HMC241ALP3E是一款通用的非反射式单刀四掷(SP4T)开关,工作频率范围为100MHz至4GHz,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关具有高隔离度、低插入损耗和片上端接功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.86
    • 10+

      ¥21.33
    • 30+

      ¥20.99
  • 有货
  • 是一款高可靠性、低插入损耗、50Ω的单刀双掷(SP2T)吸收式射频开关,适用于多种无线和其他射频应用。该设备覆盖了从50 MHz到8000 MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外,还能在为未使用的射频输入端口提供50Ω端接的同时,实现高线性度和高隔离性能。使用2.7V至5.5V的单正电源电压,支持使用3.3V或1.8V控制逻辑的三种状态。
    • 1+

      ¥32.5
    • 10+

      ¥27.78
    • 30+

      ¥24.9
  • 有货
  • VSW2-33-10W+是一款高功率反射型SPDT射频开关,具有正控制电压,典型工作电流为20μA。它设计用于50-3000MHz的宽频带操作,适用于50Ω系统。
    • 1+

      ¥32.69
    • 10+

      ¥31.86
    • 30+

      ¥31.3
  • 有货
  • ADG936/ADG936-R是宽带模拟开关,包含两个独立可选的SPDT开关,采用CMOS工艺提供高隔离度和低插入损耗。这些器件适用于无线通信和通用高频切换。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.96
    • 10+

      ¥36.96
    • 30+

      ¥36.3
  • 有货
  • 是一款采用无铅SOIC 8引脚表面贴装塑料封装的GaAs MMIC SPDT端接开关。该开关非常适合需要极低功耗的应用。典型应用包括无线电和蜂窝设备、PCM、GPS、光纤模块和其他电池供电的无线电设备等系统中的发射/接收切换、开关矩阵和滤波器组。采用成熟的1微米工艺制造的单片GaAs MMIC。该工艺具有全芯片钝化功能,可提高性能和可靠性。
    • 1+

      ¥41.49
    • 10+

      ¥35.96
    • 30+

      ¥32.59
  • 有货
  • 是一款采用HaRP™技术增强的吸收式SP6T RF开关,支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间,适用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和RF信号路由。如果RF端口上不存在直流电压,则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造,这是一种获得专利的先进绝缘体上硅(SOI)技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能,具有GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性。
    • 1+

      ¥44.98
    • 10+

      ¥38.98
    • 30+

      ¥35.32
  • 有货
    • 1+

      ¥51.19
    • 10+

      ¥49.91
    • 30+

      ¥49.05
  • 有货
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