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首页 > 热门关键词 > 射频开关芯片
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RSW-2-25PA+是一款50Ω高隔离度、反射式SPDT射频开关,设计用于无线应用,覆盖从DC到2500MHz的宽带频率范围。它提供非常快的切换时间(14ns)并可在单个正供电压下工作。
  • 1+

    ¥146.9
  • 30+

    ¥139.1
  • 有货
  • 50ΩSPDT吸收型射频开关,工作频率范围从DC到2.0GHz,具有非常快的切换速度(5ns典型)和低视频泄漏(8mVp-p典型)。
    • 1+

      ¥116.28
    • 30+

      ¥110.16
  • 有货
  • MXD8626是一款用于3G/4G应用的单刀双掷(SPDT)射频开关,通过集成的GPIO接口和单个控制引脚进行控制。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3745
    • 100+

      ¥0.2963
    • 300+

      ¥0.2572
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4498
    • 50+

      ¥0.4398
    • 150+

      ¥0.4332
    • 500+

      ¥0.4266
  • 订货
  • 该产品是一款双刀双掷(SPDT)射频开关,适用于0.5GHz至6.0GHz的频率范围,具有0.35~0.7dB的插入损耗和15~25dB的隔离度。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6931
    • 50+

      ¥0.549
    • 150+

      ¥0.4769
    • 500+

      ¥0.4229
    • 3000+

      ¥0.3628
    • 6000+

      ¥0.3412
  • 订货
  • 应用:1.575GHz GPS频段应用。Bluetooth/WiFi频段应用。WIMAX频段应用。2.4GHz频段应用。5GHz频段应用。1558 ~ 1606 MHz GNSS频段应用。860~960MHz/1805~2025 MHz频段应用。MoCA / Docsis应用。LTE频段应用。ISM频段2.4GHz应用。ISM频段5GHz应用。GSM 850/GSM 900/ DCS1800/ PCS1900应用。892 MHz & 1.94GHz频段应用。高速传输线(USB2.0、IEEE1394、LVDS(mini))用离散共模滤波器应用。2496 ~ 2690 MHz频段应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.83
    • 50+

      ¥0.663
    • 150+

      ¥0.5794
    • 500+

      ¥0.5168
    • 3000+

      ¥0.4667
    • 6000+

      ¥0.4416
  • 订货
  • 是一款GaAs高隔离度单刀四掷(SP4T)开关单片微波集成电路(MMIC),具有低插入损耗和极高的隔离度。在PC端口集成了直流阻断电容,集成电路中集成了静电放电(ESD)保护电路,以实现高ESD耐受性,采用超小超薄的EQFN14-D7封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.53
    • 10+

      ¥5.41
    • 30+

      ¥4.85
  • 有货
  • SKYA21024是一款单刀双掷(SPDT)开关,适用于预功率放大器(PA)的模式切换,特别是在蜂窝或WLAN应用中。使用先进的开关技术,SKYA21024在所有切换路径上保持低插入损耗和高隔离度。
    • 1+

      ¥7.49
    • 10+

      ¥6.16
    • 30+

      ¥5.42
    • 100+

      ¥4.6
    • 500+

      ¥4.23
    • 1000+

      ¥4.06
  • 有货
    • 1+

      ¥8.47
    • 10+

      ¥8.28
    • 30+

      ¥8.16
  • 有货
  • PE42420是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT射频开关,适用于3G/4G无线基础设施和其他高性能RF应用。它适用于发射路径切换、RF和IF信号路由、AGC环路和滤波器组切换应用。
    • 1+

      ¥12.49
    • 10+

      ¥12.2
    • 30+

      ¥12.01
  • 有货
  • 特性:高最大射频功率:40 dBm CW @ 900 MHz,室温。 两个超低损耗端口(RF1 和 RF3):0.19 dB @ f = 0.9 GHz,输入功率 = 38 dBm。0.29 dB @ f = 1.9 GHz,输入功率 = 38 dBm。0.51 dB @ f = 2.7 GHz,输入功率 = 33 dBm。1.20 dB @ f = 3.8 GHz,输入功率 = 33 dBm。1.90 dB @ f = 5.8 GHz,输入功率 = 33 dBm
    数据手册
    • 1+

      ¥13.73
    • 10+

      ¥11.78
    • 30+

      ¥10.55
  • 有货
  • F2970是一种高可靠性、低插入损耗、75Ω吸收型SP2T射频开关,设计用于多种电缆系统和其他射频应用。该器件覆盖从5MHz到3000MHz的宽频率范围,提供低插入损耗和高隔离性能,同时为未选端口提供75Ω终端。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.57
    • 10+

      ¥16.17
    • 30+

      ¥15.9
  • 有货
  • F2911是一款高可靠性、低插入损耗的单刀单掷(SPST)射频开关,适用于多种无线和射频应用。该设备覆盖1MHz到3500MHz的宽频率范围,提供低插入损耗、高隔离度和出色的线性度。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.89
    • 10+

      ¥16.9
    • 30+

      ¥15.13
  • 有货
  • MASW-007921是一款宽带GaAspHEMTMMICSPDT开关,采用无铅2mm8引脚PDFN封装。适用于需要非常小尺寸和高线性度的应用,包括WiMAX、WLAN、Mesh网络、固定无线接入和其他高功率系统。
    • 1+

      ¥22.37
    • 10+

      ¥21.88
    • 30+

      ¥21.55
  • 有货
  • F2913是一款高隔离度、低插入损耗的50ΩSP2T吸收式射频开关,适用于多种无线和射频应用。该设备覆盖50MHz至6000MHz的广泛频率范围,提供低插入损耗和高隔离度性能,并在所有RF端口提供50Ω终止。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.69
    • 10+

      ¥37.79
    • 30+

      ¥37.2
  • 有货
  • 是一款高功率pHEMT单刀双掷(SPDT)开关。该开关设计用于20 MHz至2.5 GHz的系统,这些系统需要低损耗、高隔离、低控制电压和超小型封装尺寸。该设备可通过正电压、负电压或两者组合进行控制。设备内的RF信号路径是完全双向的。采用紧凑、低成本的2 x 3 mm、6引脚方形扁平无引脚(QFN)封装。
    • 1+

      ¥45.66
    • 10+

      ¥38.95
    • 30+

      ¥34.85
    • 100+

      ¥31.43
  • 订货
  • MASW-008322是一款多功能、宽带、高隔离度的SPDT射频开关,采用无铅4mm24引脚PQFN表面贴装塑料封装。设计结合了串联和并联电路元素,位置优化以实现20GHz的出色宽带性能。快速切换时间和出色的稳定时间使其适用于多种应用,包括测试与测量、宽带通信系统。
    • 1+

      ¥133.98
    • 30+

      ¥127.51
  • 有货
  • MASW-011060是一款高功率PIN二极管SP2T开关,采用公共阳极配置,工作频率范围为0.5至6.0GHz。它具有低插入损耗和出色的线性度,能够处理100瓦连续波功率,基板温度为85°C。
    • 1+

      ¥247.11
    • 30+

      ¥235.72
  • 有货
  • MASW-011105是一种多功能、宽带、高隔离度的SPDT射频开关,采用无铅3mm14引脚PQFN表面贴装塑料封装。
    • 1+

      ¥347.22
    • 30+

      ¥331.21
  • 有货
  • RFASWH416PTF0G是一种基于绝缘体上硅(SOI)技术的单刀六掷(SP6T)射频开关,工作频率为0.1-2.7GHz。该开关具有非常高的隔离度和非常低的直流功耗。
    • 5+

      ¥0.4041
    • 50+

      ¥0.3952
    • 150+

      ¥0.3893
  • 有货
    • 5+

      ¥0.5079
    • 50+

      ¥0.4967
    • 150+

      ¥0.4892
  • 有货
  • MXD8529A是一款CMOS硅绝缘体(SOI)单刀双掷(SPDT)开关,具有高线性和鲁棒性性能,极低的插入损耗,适用于GSM/WCDMA/LTE手机天线调谐应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7705
    • 50+

      ¥0.61
    • 150+

      ¥0.5297
  • 有货
    • 1+

      ¥2.77
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.35
  • 订货
  • 是一款单刀四掷(SP4T)开关,专为100 MHz至2.7 GHz频率范围内的高性能天线调谐应用而设计。它具有优化的射频性能,低导通电阻(Ron)和低输出电容(Coff),符合严格的3G/LTE标准。该器件在单个SOI芯片上集成了一个SP4T开关和一个GPIO控制器,提供四个对称的射频端口,所有信号路径上的Ron和Coff一致较低。其出色的线性度使其非常适合3G和LTE应用。采用紧凑封装,尺寸仅为1.5mm×1.1mm,引脚数为10,高度仅为0.52mm。符合RoHS法规,无卤。此外,根据JEDEC J-STD-020标准,在高达260℃的温度下,其湿度敏感度等级为3级(MSL3)。
    • 1+

      ¥4.12
    • 10+

      ¥3.35
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.34
    • 1000+

      ¥2.22
  • 订货
  • TQP4M0008是一款基于GaAsFET技术的单刀双掷(SPDT)低损耗反射式射频开关,具有良好的隔离度。该开关可以在+1.8到+5伏的直流控制信号下工作,支持100-6000MHz的宽带性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.94
    • 10+

      ¥6.78
    • 30+

      ¥6.67
  • 有货
  • 是一款pHEMT GaAs FET IC开关,采用2×2mm、8引脚裸露焊盘塑料封装,适用于低成本商业应用。使用VBIAS线可使该器件在低至1.8V的控制偏置电压下使用。此开关非常适合覆盖BG1和BG3的超宽带(UWB)应用。对于3.3V控制,不需要VBIAS,可在板上留空。
    • 1+

      ¥11.38
    • 10+

      ¥11.14
    • 30+

      ¥10.98
  • 有货
  • SKY13698-694LF是一款先进的CMOS、硅绝缘体(SOI)双刀双掷(DPDT)开关,提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。
    • 1+

      ¥16.56
    • 10+

      ¥16.21
    • 30+

      ¥15.97
  • 有货
  • Mini-Circuits的HSWA2-63DR+是一款MMICSPDT吸收式射频开关,内置驱动器,设计用于100MHz至6.0GHz的宽带操作。该型号提供优异的隔离度、快速切换速度和高线性度,采用4x4mm20引脚MCLP封装。
    • 1+

      ¥24.8
    • 10+

      ¥24.17
    • 30+

      ¥23.75
  • 有货
  • JSW6-33DR+是一款高功率反射式六位单刀多掷射频开关,采用绝缘体上硅工艺制造,具有非常高的IP3,内置CMOS驱动器和负电压布局。
    • 1+

      ¥25.02
    • 10+

      ¥24.39
    • 30+

      ¥23.97
  • 有货
  • 该器件是一个双单刀六掷(2xSP6T)的移动行业处理器接口(MIPI)控制的天线开关,适用于载波聚合应用。每个开关可以独立配置,具有单独的寄存器用于ANT_A和ANT_B频段。无需在RF路径上使用外部直流阻断电容器,只要不向这些路径施加直流电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.95
    • 10+

      ¥24.09
    • 30+

      ¥21.79
  • 有货
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