射频开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：F2913NLGK8 编号：C2151927

封装：VFQFPN-20(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

F2913是一款高隔离度、低插入损耗的50ΩSP2T吸收式射频开关，适用于多种无线和射频应用。该设备覆盖50MHz至6000MHz的广泛频率范围，提供低插入损耗和高隔离度性能，并在所有RF端口提供50Ω终止。

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型号：JSW2-63VHDRG+ 编号：C3304141

封装：QFN-12(2x2)

品牌：Mini-Circuits

Mini-Circuits的JSW2-63VHDRG+是一款反射对称MMICSPDT开关，内置CMOS驱动器，设计用于5到6000MHz的宽带操作。该模型提供高达2.5W的功率处理能力，低插入损耗，高动态范围和快速切换速度，采用2x2mm12引脚MCLP封装。

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型号：F2914NBGK8 编号：C3304616

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高可靠性、低插入损耗、50Ω的单刀四掷（SP4T）吸收式射频开关，适用于包括无线通信在内的多种射频应用。该设备覆盖50MHz至8000MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外，还具有出色的线性度和隔离性能，同时为未使用的射频输入端口提供50Ω端接。还包括一项正在申请专利的恒定阻抗（KZ）功能，可提高系统热切换的耐用性，最大限度减少压控振荡器（VCO）中的本振牵引，并降低分配网络中的相位和幅度变化

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型号：MSWA-2-20+ 编号：C3303520

封装：SOIC-8

品牌：Mini-Circuits

50ΩSPDT吸收型射频开关，工作频率范围从DC到2.0GHz，具有非常快的切换速度（5ns典型）和低视频泄漏（8mVp-p典型）。

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型号：MASW-008322-TR1000 编号：C3304131

封装：PQFN-24(4x4)

品牌：MACOM

MASW-008322是一款多功能、宽带、高隔离度的SPDT射频开关，采用无铅4mm24引脚PQFN表面贴装塑料封装。设计结合了串联和并联电路元素，位置优化以实现20GHz的出色宽带性能。快速切换时间和出色的稳定时间使其适用于多种应用，包括测试与测量、宽带通信系统。

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型号：RSW-2-25PA+ 编号：C3301900

封装：SMD-14P

品牌：Mini-Circuits

RSW-2-25PA+是一款50Ω高隔离度、反射式SPDT射频开关，设计用于无线应用，覆盖从DC到2500MHz的宽带频率范围。它提供非常快的切换时间（14ns）并可在单个正供电压下工作。

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型号：MASW-011105-TR0500 编号：C17594111

封装：PQFN-14(3x3)

品牌：MACOM

MASW-011105是一种多功能、宽带、高隔离度的SPDT射频开关，采用无铅3mm14引脚PQFN表面贴装塑料封装。

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型号：RFASWH416PTF0G 编号：C20622902

封装：QFN-14(2x2)

品牌：Walsin(华新科)

RFASWH416PTF0G是一种基于绝缘体上硅(SOI)技术的单刀六掷(SP6T)射频开关，工作频率为0.1-2.7GHz。该开关具有非常高的隔离度和非常低的直流功耗。

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型号：AW13112DNR 编号：C5125902

封装：WBDFN-6(1x1)

品牌：AWINIC(艾为)

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型号：TPG113S6 编号：C521978

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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型号：SKY85605-11 编号：C2654765

封装：QFN-16(2.3x2.3)

品牌：SKYWORKS

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型号：SKY13373-460LF 编号：C150853

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：SKYWORKS

SKY13373-460LF是一款CMOS绝缘体上硅(SOI)单刀三掷(SP3T)射频开关。高线性性能和低插入损耗使其成为WCDMA手机和数据卡应用的理想选择。

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型号：TQP4M0008 编号：C470911

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：Qorvo

TQP4M0008是一款基于GaAsFET技术的单刀双掷（SPDT）低损耗反射式射频开关，具有良好的隔离度。该开关可以在+1.8到+5伏的直流控制信号下工作，支持100-6000MHz的宽带性能。

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型号：SKY13298-360LF 编号：C2654717

封装：QFN-8-EP(2x2)

品牌：SKYWORKS

是一款pHEMT GaAs FET IC开关，采用2×2mm、8引脚裸露焊盘塑料封装，适用于低成本商业应用。使用VBIAS线可使该器件在低至1.8V的控制偏置电压下使用。此开关非常适合覆盖BG1和BG3的超宽带（UWB）应用。对于3.3V控制，不需要VBIAS，可在板上留空。

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型号：MASW-008955-TR3000 编号：C3312915

封装：DFN-8(2x2)

品牌：MACOM

MASW-008955是一款基于GaAspHEMT技术的单刀三掷(SP3T)射频开关，采用无铅2mm8引脚PDFN封装。该器件适用于要求低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。

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型号：SKY13698-694LF 编号：C2151938

封装：QFN-12(1.8x1.8)

品牌：SKYWORKS

SKY13698-694LF是一款先进的CMOS、硅绝缘体(SOI)双刀双掷(DPDT)开关，提供高线性性能、低插入损耗和高隔离度。

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型号：QPC1022TR7 编号：C22405219

封装：LGA-9(1.1x1.5)

品牌：Qorvo

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型号：SKY13552-669LF 编号：C2654757

封装：QFN-18(2x2.4)

品牌：SKYWORKS

该器件是一个双单刀六掷（2xSP6T）的移动行业处理器接口（MIPI）控制的天线开关，适用于载波聚合应用。每个开关可以独立配置，具有单独的寄存器用于ANT_A和ANT_B频段。无需在RF路径上使用外部直流阻断电容器，只要不向这些路径施加直流电压。

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型号：SKY13347-360LF 编号：C2151928

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：SKYWORKS

SKY13347-360LF是一款pHEMTGaAs单刀单掷（SPST）射频开关，具有50Ω终止输出。其高线性度、低插入损耗和高隔离度使其成为许多蜂窝和无线基础设施应用的理想选择。

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型号：PE42451MLIAA-Z 编号：C2151903

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

高隔离度射频开关，工作频率为450-4000MHz，采用UltraCMOS工艺，具有五个对称的射频端口和非常高的隔离度。内置CMOS解码逻辑支持三针低电压CMOS控制接口和可选外部Vss控制功能。

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型号：PE42540F-Z 编号：C2151924

封装：LGA-32(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42540是一种采用HaRP技术增强的SP4T射频开关，支持测试设备和ATE市场的需求。它包含四个对称的RF端口，具有非常高的隔离度。非芯片CMOS解码逻辑简化了两针低电压CMOS控制接口，并提供可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无阻塞电容器要求使其具有高度集成性和坚固性。

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型号：MASW-008543-TR3000 编号：C3303976

封装：MSOP-8-EP

品牌：MACOM

MASW-008543是一款采用无铅塑料表面贴装封装的砷化镓单片开关，提供高隔离度，适用于广泛频率范围内的应用。

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型号：PE42020A 编号：C726157

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42020是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT真直流射频开关，工作频率从零赫兹到8GHz，集成了射频、模拟和数字功能。它可以处理高达±10V的输入直流电压，并可以通过单个LZ引脚配置为50Ω吸收型或开反射型真直流开关。PE42020真直流射频开关在处理复杂的直流、射频/模拟和数字信号方面表现出色，特别适用于测试与测量(T&M)和自动测试设备(ATE)应用。

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