射频开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

是一款小型多功能单刀四掷 (SP4T) RF 开关，针对低 Cₒff 和低 Rₒₙ 进行了优化，可实现高达 6.0GHz 的应用。GPIO 数字控制线可采用 SP4T、SPDT 和 SPST 拓扑，在 RF 前端设计中实现最佳灵活性。适用于高 Q 调谐应用。这款单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑控制，可由 2 或 3 个 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。由于其高 RF 电压耐受性和关断 RF 端口反射短路特性，适用于在 RF 匹配电路中切换任何电抗器件（如电感和电容），且不会造成重大损耗，还能减轻甚至消除不需要的寄生 RF 谐振。

数据手册

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￥9.2208 ￥13.56
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￥6.7106 ￥11.57
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型号：BGSA 143ML10 E6327 编号：C534231

封装：XFLGA-10(1.1x1.5)

是一款多功能单刀四掷 (SP4T) RF 天线调谐开关，具有开放或短路反射端口，针对高达 6.0 GHz 的调谐应用进行了优化。包含一个 RFFE 数字控制接口，此开关可采用 SP4T、SP3T、SPDT 和 SPST 拓扑，为 RF 前端设计提供更高的灵活性。包含 4 个超低导通电阻 (Rₒₙ) 串联端口和 4 个可单独切换的并联开关，以实现开放反射和短路反射特性。因此，可以实现任何类型的天线调谐开关或调谐器电路

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型号：AS222-92LF 编号：C2649480

封装：SC-70-6

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￥12.45
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￥8.118 ￥8.2
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型号：HMC435AMS8GETR 编号：C208129

封装：MSOP-8-EP

SPDT非反射式开关，DC-4GHz

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￥15.12
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￥14.8
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￥14.59

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型号：HMC284AMS8GETR 编号：C459894

封装：MSOP-8-EP

HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE是低成本的单刀双掷(SPDT)开关，采用8引脚接地基底MSOP封装。设计优化了高隔离度和低插入损耗，适用于中低功率应用。内置电路允许正电压控制操作，控制输入与CMOS和大多数TTL逻辑系列兼容。在“关闭”状态下，RF1和RF2是非反射的。

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￥16.43
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￥16.07
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型号：SKYA21013 编号：C2654739

封装：QFN-12(2x2)

是一款CMOS绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SPDT）WCDMA频段开关。该器件实现的高线性性能和低插入损耗使其成为中高功率WCDMA手机和数据卡应用的理想选择。高0.1dB输入压缩点（IP0.1dB）和先进的专有制造工艺可实现出色的WCDMA谐波和邻道功率（ACP）性能。在WCDMA频段1至6和8至11上保持出色的插入损耗和隔离度。采用紧凑的方形扁平无引脚（QFN）2 x 2 mm封装，引脚间距为0.5 mm，便于制造。

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￥16.49
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￥9.8067 ￥10.11

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型号：HMC190BMS8E 编号：C1558619

封装：MSOP-8

GaAsMMICSPDT开关SMT，DC-3GHz

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￥24.8905 ￥37.15
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￥20.7081 ￥36.33
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￥16.8213 ￥35.79
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￥16.5628 ￥35.24

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型号：SKY13299-321LF 编号：C150899

封装：QFN-12-EP(3x3)

是一款高功率 GaAs pHEMT FET I/C 单刀双掷 (SPDT) 开关。采用 3×3mm、12 引脚方形扁平无引脚 (QFN) 封装。特别适用于低成本商业 WiMAX 和 WLAN 应用，这些应用需要低插入损耗、高隔离度和出色的线性度。

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￥27.92
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￥23.75
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￥21.28
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￥18.77
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型号：VSW2-33-10W+ 编号：C7394051

封装：SMD-6P

品牌：Mini-Circuits

VSW2-33-10W+是一款高功率反射型SPDT射频开关，具有正控制电压，典型工作电流为20μA。它设计用于50-3000MHz的宽频带操作，适用于50Ω系统。

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￥32.69
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￥31.86
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￥31.3

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型号：ADG918BCPZ-REEL7 编号：C207683

封装：LFCSP-8(3x3)

宽带、43dB隔离(1GHz)、CMOS1.65V至2.75V、2:1Mux/SPDT开关

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￥39.5
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￥38.56
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￥37.93

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型号：PE42482A-X 编号：C5121458

封装：QFN-24

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一款采用HaRP™技术增强的吸收式单刀八掷（SP8T）射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间的特点，非常适合用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口上没有直流电压，则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

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￥45.7
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￥39.93
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型号：ADRF5132BCPZN 编号：C659623

封装：LFCSP-16(3x3)

ADRF5132是一款高功率、反射式、0.7GHz至5.0GHz的硅单刀双掷（SPDT）开关，采用无引脚表面贴装封装。该开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进（LTE）基站。ADRF5132具有高功率处理能力（35dBmLTE平均典型值在105°C下）、低插入损耗（2.7GHz时为0.6dB）、输入三阶截点65dBm（典型值）和0.1dB压缩点42.5dBm。

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￥48.01
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￥41.03
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￥36.77
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￥31.8816 ￥33.21

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型号：HMC536MS8G 编号：C17271830

封装：MSOP-8-EP

HMC536MS8G和HMC536MS8GE是从DC到6GHz的GaAsMMICT/R开关，采用8引脚MSOP封装，具有暴露的接地焊盘。这些开关适用于蜂窝/PCS/3G基站应用，具有低0.5dB插入损耗和+55dBm输入IP3。功率处理能力在6GHz以下非常出色，开关在+3伏控制下提供+29dBm的P0.1dB压缩点。

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￥114.17
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￥108.0058 ￥110.21

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型号：LX1630 编号：C42453792

封装：DFN-6(0.7x1.1)

GPIO，SPDT

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￥0.2344
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￥0.1854
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￥0.1609
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￥0.1426

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型号：RFASWCM0624ATF09 编号：C20622908

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：Walsin(华新科)

RFASWCM0624ATF09是一款SOI（绝缘体上硅）单刀双掷（SPDT）差分开关，工作频率为0.7-2.7GHz，采用QFN-10(1.1x1.5x0.47mm³)封装。该开关具有高隔离度和低直流功耗。

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￥0.488
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￥0.4772
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￥0.47
500+
￥0.4628

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型号：LX8648 编号：C42453795

封装：LGA-9(1.1x1.1)

GPIO，SP4T

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￥0.6049
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￥0.4782
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￥0.4148
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￥0.3673
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￥0.3293

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型号：LX8625EH 编号：C42453806

封装：DFN-6(0.7x1.1)

GPIO，SPDT

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￥0.8248
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￥0.652
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￥0.5656
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￥0.5008
2500+
￥0.449

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型号：LX3585 编号：C42453933

封装：DFN-6(1x1)

GPIO，SPDT

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￥0.8248
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￥0.652
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￥0.5656
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￥0.5008
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￥0.449

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型号：LX1022 编号：C42453808

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，DPDT

5+
￥1.1264
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￥0.8845
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￥0.6514
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￥0.5938
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￥0.5592

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型号：LX1694 编号：C42453815

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，SP4T

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￥1.2672
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￥0.995
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￥0.8784
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￥0.7328
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￥0.668
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￥0.6291

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型号：LX8544A 编号：C42453929

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，SP4T

5+
￥1.2672
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￥0.995
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￥0.8784
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￥0.7328
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￥0.668

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型号：SKY13489-001 编号：C429943

封装：WLCSP-6(0.7x1.1)

单刀双掷（SPDT）射频开关，适用于LTE/WCDMA/GSM发射。通过集成的GPIO接口进行控制，控制引脚的逻辑电平决定天线端口与两个射频输出端口之一的连接。

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￥1.289119 ￥2.4323
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￥0.83119 ￥1.933
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￥0.56727 ￥1.719
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￥0.47916 ￥1.452
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￥0.439923 ￥1.3331
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￥0.416394 ￥1.2618

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型号：BAP64LX,315 编号：C5196176

封装：SOD-882D

品牌：NXP(恩智浦)

平面 PIN 二极管,采用 SOD882D 无引脚超小型塑料贴片封装。

数据手册

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￥1.53
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￥1.49
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￥1.47
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￥1.4355 ￥1.45

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型号：LX86C0 编号：C42453805

封装：QFN-20-EP(2.5x2.5)

MIPI，SP12T

5+
￥1.9711
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￥1.5478
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￥1.3663
500+
￥1.1399

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型号：BGS14M8U9E6327XUSA1 编号：C17322623

封装：ULGA-9(1.1x1.1)

是一款单刀四掷 (SP4T) 高功率开关，采用紧凑的 9 引脚封装。针对高达 7.125 GHz 的 5G 和其他蜂窝应用进行了优化。具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，适用于 5G 和 LTE 4G 应用，如 5G SRS、上行载波聚合、高功率用户设备 (HPUE Class 2)。

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￥2.86
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￥2.79
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￥2.74

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型号：BGS13SN8E6327 编号：C3312946

封装：TSNP-8