射频开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

GPIO，SP4T

5+
￥0.6961
50+
￥0.6079
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￥0.5701
500+
￥0.5229
2500+
￥0.5019

有货

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型号：LX1022 编号：C42453808

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，DPDT

5+
￥0.7955
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￥0.6947
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￥0.6515
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￥0.5976
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￥0.5736
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￥0.5592

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型号：LX8545 编号：C42453928

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，SP4T

5+
￥0.841
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￥0.7276
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￥0.679
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￥0.6183
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￥0.5913

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型号：LX1694 编号：C42453815

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，SP4T

5+
￥0.895
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￥0.7816
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￥0.733
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￥0.6723
2500+
￥0.6453
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￥0.6291

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型号：LX1122 编号：C42453809

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，DPDT

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￥0.9944
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￥0.8684
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￥0.8144
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￥0.747
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￥0.717

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型号：LX86C0 编号：C42453805

封装：QFN-20-EP(2.5x2.5)

MIPI，SP12T

5+
￥1.3922
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￥1.2158
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￥1.1402
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￥1.0458

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型号：BGS13SN8E6327 编号：C3312946

封装：TSNP-8

是一款专为WLAN和蓝牙应用设计的射频MOS开关。3个端口中的任何一个都可用作分集天线的终端，可处理高达30 dBm的功率。该SP3T在天线端口处具有低插入损耗和高抗干扰信号能力，在终端模式下产生低谐波。片上控制器集成了CMOS逻辑和电平转换器，由1.35V至VDD的控制输入驱动。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸仅为1.1×1.1mm²，最大高度为0.4mm。在典型应用中，只要任何RF端口不施加直流，就不需要去耦电容。

5+
￥1.5543
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￥1.2333
150+
￥1.0956

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型号：BGS14PN10E6327 编号：C22438870

封装：LGA-10(1.5x1.1)

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￥4.58
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￥3.71
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￥3.28
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￥2.85

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型号：PE42424A-Z 编号：C470896

封装：DFN-6-EP(1.5x1.5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42424是一款采用HaRPTM技术增强的反射式50ΩSPDT射频开关，适用于高功率和高性能WLAN802.11a/b/g/n/ac应用，支持高达6GHz的带宽。

数据手册

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￥7.9
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￥6.45
30+
￥5.66
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￥4.76

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型号：SKY13374-397LF 编号：C2654738

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：SKYWORKS

是一款CMOS绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SPDT）WCDMA频段开关。该器件实现的高线性性能和低插入损耗使其成为中高功率WCDMA手机和数据卡应用的理想选择。高0.1dB输入压缩点（IP0.1dB）和先进的专有制造工艺，可实现出色的WCDMA谐波和邻道功率（ACP）性能。在WCDMA频段1至6和8至11上保持出色的插入损耗和隔离度。采用紧凑的四方扁平无引脚（QFN）2x2mm封装，引脚间距为0.5mm，便于制造。

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￥9.75
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￥8.13
30+
￥7.24
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￥6.23
500+
￥5.78
1000+
￥5.58

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型号：HMC284AMS8GETR 编号：C459894

封装：MSOP-8-EP

HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE是低成本的单刀双掷(SPDT)开关，采用8引脚接地基底MSOP封装。设计优化了高隔离度和低插入损耗，适用于中低功率应用。内置电路允许正电压控制操作，控制输入与CMOS和大多数TTL逻辑系列兼容。在“关闭”状态下，RF1和RF2是非反射的。

数据手册

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￥17.05
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￥16.69
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￥16.45

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型号：SKY13299-321LF 编号：C150899

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：SKYWORKS

是一款高功率 GaAs pHEMT FET I/C 单刀双掷 (SPDT) 开关。采用 3×3mm、12 引脚方形扁平无引脚 (QFN) 封装。特别适用于低成本商业 WiMAX 和 WLAN 应用，这些应用需要低插入损耗、高隔离度和出色的线性度。

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￥30.25
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￥26.08
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￥23.61
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￥21.1
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￥19.95
1000+
￥19.43

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型号：PE42462A-X 编号：C22419301

封装：QFN-24(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一款采用HaRP™技术增强的吸收式SP6T RF开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间，适用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和RF信号路由。如果RF端口上不存在直流电压，则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能，具有GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性。

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￥38.38
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￥32.98
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￥29.68

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型号：HMC245AQS16ETR 编号：C579532

封装：QSOP-16-150mil

GaAsMMICSP3T非反射式开关，DC-3.5GHz

数据手册

1+
￥45.62
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￥39.78

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型号：PE42540G-Z 编号：C17553633

封装：LGA-32(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42540是一款基于UltraCMOS技术的增强型吸收式SP4T射频开关，支持测试设备和ATE市场的要求。它具有四个对称的RF端口，非常高的隔离度，片上CMOS解码逻辑，低电压CMOS控制接口，可选的外部Vss功能。高ESD耐受性和无需阻塞电容器的要求使其在集成和坚固性方面表现出色。

1+
￥60.81
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￥52.7
30+
￥47.76

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型号：HMC784AMS8GETR 编号：C662119

封装：MSOP-8-EP

HMC784AMS8GE是一款高功率单刀双掷(SPDT)射频开关，采用8引脚MSOP封装，适用于传输接收应用。该器件在高输入信号功率水平下具有非常低的失真性能。

数据手册

1+
￥116.7
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￥102.98
30+
￥94.38

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型号：HMC345ALP3E 编号：C1526238

封装：QFN-16-EP(3x3)

GaAsMMICSP4T非反射式正控制开关，DC*-8GHz

数据手册

1+
￥241.56
30+
￥229.68

有货

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型号：LX1630 编号：C42453792

封装：DFN-6(0.7x1.1)

GPIO，SPDT

10+
￥0.2337
100+
￥0.1848
300+
￥0.1603
1000+
￥0.1419

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型号：MXD8626C 编号：C462326

封装：QFN-6(0.8x1.2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD8626C是一款单刀双掷（SPDT）宽带射频开关，适用于3G/4G应用。通过单个GPIO控制引脚进行切换。

数据手册

10+
￥0.439296 ￥0.4576
100+
￥0.31304 ￥0.364
300+
￥0.241072 ￥0.3172
1000+
￥0.214396 ￥0.2821
6000+
￥0.193116 ￥0.2541
12000+
￥0.1824 ￥0.24

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型号：LX3418H 编号：C42453799

封装：QFN-14-EP(2x2)

GPIO，SP8T

5+
￥0.5117
50+
￥0.4493
150+
￥0.4181
500+
￥0.3947
2500+
￥0.376

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型号：DAN235UT106 编号：C703607

封装：SOT-323

品牌：ROHM(罗姆)

特性：高可靠性。小尺寸封装。低高频正向电阻。应用：高频开关

数据手册

5+
￥0.5947
50+
￥0.4747
150+
￥0.4147
500+
￥0.3697

有货

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型号：WS7872DE-6/TR 编号：C2939864

封装：DFN-6-EP(1x1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7872DE-6/TR是一个单刀双掷（SPDT）开关，具有高线性性能和低插入损耗，适用于WLAN应用，如802.11a/b/g/n。提供紧凑的无引脚扁平封装（DFN）1.0x1.0mm²。

数据手册

5+
￥0.6072
50+
￥0.4733
150+
￥0.4063

有货

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型号：LX1022C 编号：C42453810

封装：QFN-10(1.1x1.5)

GPIO，DPDT

5+
￥0.6961
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￥0.6079
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￥0.5701
500+
￥0.5229
2500+
￥0.5019

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型号：ARW3222 编号：C49842509

封装：SC-70-6

品牌：Archiwave(安其威)

0.1-4GHz射频开关SPDT

5+
￥0.9649
50+
￥0.7633
150+
￥0.6769
500+
￥0.5691

有货

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型号：SKY13489-001 编号：C429943

封装：WLCSP-6(0.7x1.1)

品牌：SKYWORKS

单刀双掷（SPDT）射频开关，适用于LTE/WCDMA/GSM发射。通过集成的GPIO接口进行控制，控制引脚的逻辑电平决定天线端口与两个射频输出端口之一的连接。

数据手册

5+
￥1.094535 ￥2.4323
50+
￥0.67655 ￥1.933
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￥0.42975 ￥1.719
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￥0.363 ￥1.452
2500+
￥0.333275 ￥1.3331
5000+
￥0.31545 ￥1.2618

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型号：BAR66E6327 编号：C439778

封装：SOT-23

浪涌保护装置，专为反并联连接中的浪涌过电压钳位而设计。无铅（符合 RoHS 标准）封装

数据手册

5+
￥1.6995
50+
￥1.3621
150+
￥1.2175

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型号：BGS 12WN6 E6327 编号：C534203

封装：DFN-6(0.7x1.1)

RF CMOS开关专为无线局域网（WLAN）和蓝牙应用而设计。两个端口中的任何一个都可以用作分集天线的终端，处理高达26 dBm的功率。该芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与砷化镓（GaAs）技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。采用专利MOS技术制造，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度，包括固有的更高静电放电（ESD）鲁棒性。尺寸仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.375 mm。

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5+
￥1.997
50+
￥1.5761
150+
￥1.3958

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型号：BAR6304E6327HTSA1 编号：C5310871

封装：SOT-23