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PE42421UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用。该反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑，具有低电压CMOS兼容控制接口，支持单引脚或互补CMOS逻辑控制输入。

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型号：SKY13588-460LF 编号：C2151906

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：SKYWORKS

SKY13588-460LF是一款基于CMOS硅绝缘体(SOI)技术的单刀三掷(SP3T)射频开关。其高线性性能和低插入损耗使其成为WCDMA手机和数据卡应用的理想选择。

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型号：SKY13431-374LF 编号：C2151937

封装：DFN-6-EP(1.5x1.5)

品牌：SKYWORKS

SKY13431-374LF是一款GaAspHEMT单刀双掷(SPDT)高功率射频开关，具有50Ω终止输出。其高线性度和低插入损耗使其成为WiMAX和高功率WLAN应用的理想选择，例如接入点。

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型号：HMC284AMS8GE 编号：C208587

封装：MSOP-8-EP

SPDT、非反射开关SMT，DC-3.5GHz

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型号：PE42442A-Z 编号：C470913

封装：QFN-24-EP(4x4)

PE42442是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关，设计用于3G/4G无线基础设施和其他高性能射频应用。该开关具有四个对称的射频端口，最高工作频率可达6GHz，并且集成了CMOS解码器，支持1.8VCMOS控制接口。

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型号：HMC199AMS8ETR 编号：C579530

封装：MSOP-8

双通道单刀双掷开关，DC-2.5GHz

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型号：PE426482A-X 编号：C38744450

封装：QFN-24(4x4)

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型号：M3SWA-2-50DRB+ 编号：C3303718

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：Mini-Circuits

M3SWA-2-50DRB+是一款高隔离快速切换吸收式GaAsPHEMTSPDT开关，内置驱动器。它在+5V和-5V电源下工作，具有单个TTL兼容控制端口。设计用于宽带操作，封装在一个小巧的3.25mmx3.25mm、8引脚封装中。

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型号：WS7854QA-9/TR 编号：C2941912

封装：QFN-9(1.1x1.1)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS7854QA是单刀四掷(SP4T)开关，适用于3G/4G/5G路由和分集应用。高线性性能和低插入损耗使其成为WCDMA/LTE手机和数据卡的理想选择。提供紧凑的QFN1.1x1.1mm²封装。

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型号：MXD8680 编号：C285568

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Maxscend(卓胜微)

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型号：BAR6404WH6327XTSA1 编号：C5311586

封装：SOT-323-3(SC-70)

该RF PIN二极管专为需要承受大RF电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

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型号：LX8638 编号：C42453794

封装：LGA-9(1.2x1.2)

品牌：LingChip(灵芯微)

GPIO，SP3T

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型号：MXD86C0S 编号：C285571

封装：QFN-20-EP(2.5x2.5)

品牌：Maxscend(卓胜微)

MXD86C0S是一个低损耗、高隔离度的SP12T射频开关，适用于天线分集接收。它兼容MIPI控制，支持多频段操作（700MHz到3000MHz）。

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型号：BGS14M8U9E6327XUSA1 编号：C17322623

封装：ULGA-9(1.1x1.1)

是一款单刀四掷 (SP4T) 高功率开关，采用紧凑的 9 引脚封装。针对高达 7.125 GHz 的 5G 和其他蜂窝应用进行了优化。具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，适用于 5G 和 LTE 4G 应用，如 5G SRS、上行载波聚合、高功率用户设备 (HPUE Class 2)。

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型号：BGSA12UGL8E6327XTSA1 编号：C3304089

封装：TSLP-8

BGSA12UGL8是一款多功能单刀双掷（SPDT）射频天线孔径开关，针对低C₀FF和低R₀N进行了优化，适用于高达6.0 GHz的应用。这款单电源芯片集成了2位控制逻辑，还具备低电流待机模式。与砷化镓技术不同，该开关的0.1 dB压缩点超过其最大输入功率电平，可在所有信号电平下实现线性性能。仅当外部施加直流电压时，才需要在射频端口使用外部直流隔直电容。由于其极高的射频电压耐受性，它适用于切换射频匹配电路中的任何电抗元件，如电感和电容，且品质因数不会有显著损失。

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型号：BGS15MU14E6327XTSA1 编号：C1518969

封装：ULGA-14

专为 LTE 和 5G 反馈接收应用而设计，在高达 6 GHz 的频率下提供高隔离度、低插入损耗和低谐波生成。它通过 MIPI RFFE 控制器进行控制。片上控制器允许电源电压范围为 1.65 至 1.95 V。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在 RF 端口使用外部直流阻隔电容器。采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，兼具 GaAs 的性能以及传统 CMOS 的经济性和集成度，包括固有的更高 ESD 鲁棒性。该器件尺寸非常小，仅为 1.9×1.5 mm²，最大厚度为 0.6 mm。

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型号：RFSW6042TR7 编号：C2761346

封装：QFN-12L-EP(1.8x1.8)

品牌：Qorvo

RFSW6042是一款低损耗、高隔离度的SP4T开关，优化用于蜂窝基站(CellularBTS)应用。它还非常适合用于CATV和SATV应用。该器件采用紧凑的1.8mmx1.8mm、12引脚QFN封装，无需外部直流阻塞电容器（当不向设备端口施加外部直流时）。

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型号：SKYA21013 编号：C2654739

封装：QFN-12(2x2)

品牌：SKYWORKS

是一款CMOS绝缘体上硅（SOI）单刀双掷（SPDT）WCDMA频段开关。该器件实现的高线性性能和低插入损耗使其成为中高功率WCDMA手机和数据卡应用的理想选择。高0.1dB输入压缩点（IP0.1dB）和先进的专有制造工艺可实现出色的WCDMA谐波和邻道功率（ACP）性能。在WCDMA频段1至6和8至11上保持出色的插入损耗和隔离度。采用紧凑的方形扁平无引脚（QFN）2 x 2 mm封装，引脚间距为0.5 mm，便于制造。

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型号：HMC221BE 编号：C1526247

封装：SOT-23-6

HMC221B是一款单刀双掷（SPDT）射频开关，工作频率范围为10kHz至3GHz，采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关在3GHz以下的插入损耗小于0.8dB，适用于要求低插入损耗和小型化的接收器和滤波器切换应用。

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型号：PE423422A-Z 编号：C2654727

封装：QFN-12-EP(2x2)

PE423422是一款基于HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关，支持100-6000MHz的频率范围，适用于恶劣的汽车环境。

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型号：HMC241AQS16E 编号：C207722

封装：QSOP-16-150mil

HMC241AQS16E是一款通用的低成本非反射型SP4T射频开关，采用16引脚QSOP封装。其工作频率范围为DC至3.5GHz，具有高隔离度和低插入损耗。

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型号：ADG919BCPZ-REEL7 编号：C657702

封装：LFCSP-8(3x3)

ADG919是一款采用CMOS工艺制造的宽带射频开关，提供高隔离度和低插入损耗。该器件在1GHz时具有43dB的隔离度和0.8dB的插入损耗，适用于无线通信和高速滤波器选择等应用。

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型号：F2972NEGK 编号：C1558621

封装：QFN-12-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

F2972是一款单刀双掷（SP2T）反射式射频开关，具有高线性和宽频带。该器件从5MHz到1.8GHz支持下游电缆调制解调器DOCSIS3.1应用，并可扩展至10GHz以支持多种无线RF应用。

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型号：HSWA4-63DR+ 编号：C7421700

封装：QFN-24(4x4)

品牌：Mini-Circuits

该器件是一款30MHz至6GHz宽带吸波射频开关，采用CMOS工艺制造，具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间。封装为4x4mm24引脚QFN，支持单电源供电。

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型号：HMC574AMS8ETR 编号：C579561

封装：MSOP-8

HMC574AMS8ETR是一款低成本、高性能的SPDT射频开关，适用于传输/接收应用，具有低失真和高功率处理能力。工作频率范围为DC至3GHz，典型插入损耗仅为0.3dB。

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型号：HMC536LP2ETR 编号：C209485

封装：DFN-6-EP(2x2)