射频开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：HMC1055LP2CETR 编号：C662393

封装：LFCSP-8(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC1055是一款低成本、砷化镓（GaAs）单刀单掷（SPST）射频开关，采用表面贴装LFCSP封装。该开关在单正电源电压下工作，具有低插入损耗、高隔离度和出色的三阶互调性能。

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1+
￥57.25
10+
￥49.43
30+
￥44.67

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型号：CSWA2-63DR+ 编号：C7501186

封装：SMD

品牌：Mini-Circuits

CSWA2-63DR+是一款50Ω高隔离度吸收型SPDT射频开关，适用于无线通信应用，覆盖500至6000MHz的宽带频率范围，具有低插入损耗。该开关在非吸收模式下也可使用，工作电压范围为+3V至+5V。内部包含CMOS驱动器，采用低剖面密封小型封装，尺寸为4mmx4mmx1.2mm。预期MTBF为373年，可在振动、加速度、机械冲击和HTOL条件下进行测试。

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￥138.79
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￥132.54
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型号：ARW3471L 编号：C49842519

封装：LGA-20(3x3)

品牌：Archiwave(安其威)

9K-44GHz高隔离毫米波开关SP4T

1+
￥176.05
30+
￥167.66

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型号：ADRF5045BCCZN-R7 编号：C659619

封装：LGA-24(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

9kHz至30GHz硅SP4T开关

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1+
￥786.137 ￥883.3
30+
￥760.149 ￥854.1

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型号：ADGM1001BCCZ 编号：C17339008

封装：LGA-24(5x4)

品牌：ADI(亚德诺)

ADGM1001是一款宽带单刀双掷(SP2T)开关，采用AnalogDevices公司的MEMS开关技术。这种技术使得该开关具有小尺寸、宽RF带宽、高线性度和低插入损耗的特点。

1+
￥1295.3962 ￥1335.46
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￥1248.8362 ￥1287.46

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型号：XA2188-AS79 编号：C50202048

封装：SOT-363

品牌：XINLUDA(信路达)

XA2188-AS79是单刀双掷射频开关。内部电路结构简单，推荐的工作频率范围为20MHz至4GHz，具有低插入损耗和超低直流功耗。提供6引脚超小型SOT-363封装，适用于高密度表面贴装应用。

10+
￥0.352
100+
￥0.28
300+
￥0.244

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型号：XA213-G4J 编号：C556294

封装：SOT-363

品牌：XINLUDA(信路达)

XA213-G4J是一种中功率ICFETSPDT开关，采用低成本微型SOT363塑料封装。这种通用开关可用于各种电信应用。

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5+
￥0.7936
50+
￥0.617
150+
￥0.5287
500+
￥0.4624

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型号：XA214-G4C 编号：C556293

封装：SOT-363

品牌：XINLUDA(信路达)

XA214-G4C是一款中等功率的ICFETSPDT开关，采用低成本微型SOT363塑料封装。该开关具有低插入损耗和正电压操作，且直流功耗非常低。这款通用开关可用于多种电信应用。

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5+
￥0.8431
50+
￥0.6665
150+
￥0.5782
500+
￥0.512
3000+
￥0.4588

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型号：LX8544A 编号：C42453929

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：LingChip(灵芯微)

GPIO，SP4T

5+
￥0.895
50+
￥0.7816
150+
￥0.733
500+
￥0.6723
2500+
￥0.6453

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型号：XA2214-S14 编号：C556296

封装：SOT-363

品牌：XINLUDA(信路达)

XA2214-S14是一款适用于移动电话和其他L,S-band应用的GaAsMMICSPDT开关。该设备可以在1.8到5.3V的控制电压下进行2个控制切换，工作频率范围为0.05到3.0GHz，具有低插入损耗和高隔离度。该设备采用6引脚SOT363封装，适合高密度表面贴装。

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5+
￥1.1167
50+
￥0.9022
150+
￥0.8103

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型号：LX8648M 编号：C42453811

封装：LGA-9(1.1x1.1)

品牌：LingChip(灵芯微)

MIPI，SP4T

5+
￥1.1933
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￥1.0421
150+
￥0.9773
500+
￥0.8964
2500+
￥0.8604

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型号：BAP64-03,115 编号：C90279

封装：SOD-323

品牌：NXP(恩智浦)

平面PIN二极管，采用SOD323超小型塑料贴片封装。

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3+
￥2.1801
30+
￥1.7455
90+
￥1.5593

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型号：RFSW1012TR7 编号：C5439727

封装：QFN-12(2x2)

品牌：Qorvo

1+
￥5.8
10+
￥4.72
30+
￥4.18
100+
￥3.65
500+
￥3.33

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型号：PE42423B-Z 编号：C2654718

封装：TQFN-16-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42423是一款采用HaRP技术增强的50ΩSPDT射频开关，支持802.11a/b/g/n/ac标准，带宽高达6GHz。

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1+
￥12.22
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￥10.27
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￥9.04
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￥7.79

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型号：ADG901BRMZ-REEL7 编号：C206802

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

宽带、43dB隔离(1GHz)、CMOS1.65V至2.75V、吸收式/反射式开关

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1+
￥19.94
10+
￥19.43
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￥19.09

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型号：MG-MASW-000825 编号：C52139913

封装：SMD

品牌：MEGSINE(兆讯)

射频开关,50~6000MHz SPDT LORA

1+
￥20.5105 ￥21.59
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￥17.613 ￥18.54
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￥15.884 ￥16.72
100+
￥14.1455 ￥14.89
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￥13.338 ￥14.04
1000+
￥12.977 ￥13.66

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型号：HMC595AETR 编号：C662651

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

GaAsMMIC3WT/R开关DC-3GHz

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1+
￥24.12
10+
￥20.78
30+
￥18.8

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型号：HMC349ALP4CE 编号：C207982

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC349ALP4CE是一款高隔离度非反射DC至4GHzGaAsMESFETSPDT开关，采用低成本无引脚表面贴装封装。该开关适用于蜂窝/PCS/3G基站应用，提供60到65dB的隔离度，0.9dB的插入损耗和+53dBm的输入IP3。其功率处理能力在3.5GHzWLL频段内表现优秀，压缩点为+31dBm。片上电路允许单个正电压控制（0/+5V）在非常低的直流电流下工作。启用输入（EN）设置为逻辑高电平时，开关将处于“全部关闭”状态。

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1+
￥26.22
10+
￥22.59
30+
￥20.43

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型号：PE42521C-Z 编号：C3304153

封装：QFN-16(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42521SPDT吸收式射频开关设计用于测试/ATE和其他高性能无线应用。这款宽带通用开关在9kHz到13GHz范围内保持出色的射频性能和线性度。该开关是PE42552的引脚兼容升级版，具有快速切换时间和更高的功率处理能力。

1+
￥42.49
10+
￥36.62
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￥33.05

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型号：PE42482A-X 编号：C5121458

封装：QFN-24

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一款采用HaRP™技术增强的吸收式单刀八掷（SP8T）射频开关，支持10 MHz至8 GHz的频率范围。它具有高隔离度、低插入损耗和快速开关时间的特点，非常适合用于无线基础设施和高达8 GHz的无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口上没有直流电压，则不需要隔直电容。采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。Peregrine的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

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￥47.37
10+
￥41.6
30+
￥38.09

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型号：HMC194AMS8E 编号：C209369

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

SPDT高隔离开关SMT，DC-3GHz

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1+
￥54.19
10+
￥47.75
30+
￥37.94

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型号：HMC536MS8G 编号：C17271830

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

HMC536MS8G和HMC536MS8GE是从DC到6GHz的GaAsMMICT/R开关，采用8引脚MSOP封装，具有暴露的接地焊盘。这些开关适用于蜂窝/PCS/3G基站应用，具有低0.5dB插入损耗和+55dBm输入IP3。功率处理能力在6GHz以下非常出色，开关在+3伏控制下提供+29dBm的P0.1dB压缩点。