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型号：MA4SW410 编号：C17621309

封装：-

MA4SW410是一种SP4T系列并联宽带PIN二极管开关，采用MACOM专利的HMICTM工艺制造。该工艺允许将形成串联-并联二极管和通孔的硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中。通过缩小电路元件之间的间距，实现了在高达26.5GHz频率下的低插入损耗和高隔离度。

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￥117.48
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￥46.88
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￥45.31
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型号：MASW-011120 编号：C20344458

封装：HQFN-20(5x5)

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型号：MASW-002103-13630G 编号：C17692577

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MASW-002103-1363是一款单刀双掷（SPDT）、宽带、单片开关，使用两组串联和并联连接的PIN二极管。该器件设计用于高达20GHz的宽带、低至中等信号、高性能开关应用。

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￥229.473704
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￥225.71184
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￥203.140656

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型号：MASWCC0010TR 编号：C20344461

封装：PQFN-36,CSP(4x7)

MASWCC0010是一款GaAsSP4T吸收式单电源射频开关，集成TTL驱动器。该设备在MLP塑料表面贴装封装中提供出色的宽带性能和可重复性，从DC到4GHz，同时保持低直流功耗。MASWCC0010适用于无线基础设施应用。

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￥123.54
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￥49.3
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￥47.65
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型号：MASW-003103-13640G 编号：C17294807

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MASW-003103-1364是一款单刀三掷(SP3T)的宽带单片射频开关，采用串联和并联连接的硅PIN二极管。该设备设计用于高达20GHz的宽带、中等信号、高性能开关应用。

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型号：PE42851MLBA-X 编号：C2151898

封装：QFN-32-EP(5x5)

PE42851是一种增强型HaRPTM技术的SP5T高功率射频开关，支持高达1GHz的无线应用。它提供高达42.5dBm的连续波功率处理能力，具有高线性和优秀的谐波性能。

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型号：MASW-011055-TR0500 编号：C17318711

封装：HQFN-12(5x5)

MASW-011055是一款高功率PIN二极管SP2T射频开关，采用公共阳极配置，工作频率范围从30MHz到3GHz。它具有低插入损耗和优良的线性度，能够处理100瓦连续波功率，基板温度为85°C。

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￥289.202
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型号：MA4AGSW4 编号：C3303732

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MA4AGSW4是一款基于铝镓砷（AlGaAs）技术的单刀四掷（SP4T）PIN二极管开关。该开关具有增强的AlGaAs阳极，采用MACOM的异质结技术制造。与传统的GaAs工艺相比，AlGaAs技术可减少0.3dB的插入损耗。该器件在50GHz频率下表现出优异的性能。

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￥136.02
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￥52.64
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型号：MASW-000553-13220G 编号：C20344443

封装：-

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￥54.85
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型号：MASW-002102-13580G 编号：C3303539

封装：-

MASW-002102-13580设备是SP2T宽带开关，具有集成偏置网络，利用M/A-COMTechnologySolutionsHMICTM(HeterolithicMicrowaveIntegratedCircuit)工艺制造。

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￥55.42
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型号：MASW-002102-13580W 编号：C17300143

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MASW-002102和MASW-003102是采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造的宽带开关，具有集成偏置网络。这些开关适用于ISM等应用。

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￥146.07
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￥58.29
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型号：PE42020A-X 编号：C2151910

封装：QFN-20-EP(4x4)

PE42020是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT真直流射频开关，工作频率从零赫兹到8GHz，集成了射频、模拟和数字功能。它可以处理高达±10V的输入直流电压，并可以通过单个LZ引脚配置为50Ω吸收型或开反射型真直流开关。PE42020真直流射频开关在处理复杂的直流、射频/模拟和数字信号方面表现出色，特别适用于测试与测量(T&M)和自动测试设备(ATE)应用。

数据手册

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型号：MASW-007071-0001TR 编号：C20344449

封装：PQFN-32(4x6)

MASW-007071是一款单刀双掷(SPDT)吸收型pHEMT开关，内置TTL驱动器。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。该开关提供从DC到4GHz的宽带性能和可重复性，同时保持低直流功耗。

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￥154.15
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型号：MASW-007073-000100 编号：C20344450

封装：-

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型号：MASWCC0010 编号：C3304126

封装：PQFN-36(4x7)

MASWCC0010是一款集成TTL驱动的GaAsSP4T吸收型单电源射频开关。该设备在MLP塑料表面贴装封装中提供，具有从DC到4GHz的优秀宽带性能和重复性，同时保持低直流功耗。MASWCC0010适用于无线基础设施应用。

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型号：MASW-007075-000100 编号：C3304393

封装：SOIC-24-300mil

MACOM的MASW-007075-000100是一种GaAsMMIC吸收式SPDT开关，带有集成的硅ASIC驱动器。该设备采用24引脚塑料封装。此开关提供从DC到3GHz的宽带性能和重复性，同时保持低直流功耗。MASW-007075-000100适用于无线基础设施应用，也提供陶瓷封装版本，性能更优。

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￥163.85
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￥63.41
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￥60.08

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型号：MASW-004103-13650P 编号：C3304703

封装：-

MASW-004103-1365是一种SP4T表面贴装、宽带、单片开关，使用四组串联和并联连接的PIN二极管。该设备设计用于宽带、低到中等信号强度的高性能开关应用，最高可达20GHz。

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￥164.31
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￥60.25

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型号：MA4SW210B-1 编号：C3303730

封装：-

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￥225.175683
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￥187.646403

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型号：MASW-007076-000100 编号：C20344451

封装：SOIC-24

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￥164.9
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￥65.8
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￥62.52

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型号：MA4SW510 编号：C3312618

封装：-

MA4SW510是一款采用MACOM专利HMIC技术制造的SP5T系列-并联PIN二极管开关，具有宽带宽、低插入损耗和高隔离度的特点。

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￥166.11
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￥64.28
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￥62.03
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￥60.91

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型号：MASW-005100-11940W 编号：C17347178

封装：-

MASW-005100-1194是一种SP5T系列-并联PIN二极管开关，采用MACOM的专利HMICTM工艺制造。该工艺允许将形成系列-并联二极管和通孔的硅基座嵌入到低损耗、低色散玻璃中。通过在电路元件之间设置小间距，结果是具有低插入损耗和高隔离度的HMIC芯片，最高工作频率可达26.5GHz。该开关适用于多频段ECM、仪器控制电路，要求高隔离度与插入损耗比。

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￥169.43
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￥67.61
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￥64.23

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型号：MASW-004103-13650G 编号：C17654621

封装：-

MASW-004103-1365是一种SP4T表面贴装、宽带、单片开关，使用四组串联和并联连接的PIN二极管。该设备设计用于宽带、低到中等信号强度的高性能开关应用，最高可达20GHz。

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￥174.34
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￥69.57
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￥67.24
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￥66.09

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型号：MASW-007074-000100 编号：C3304394

封装：SOIC-24-300mil

MASW-007074是一款带有集成硅ASIC驱动器的GaAsMMIC吸收式SP3T开关。该器件采用24引脚塑料封装，提供从DC到3GHz的宽带性能和低直流功耗。

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￥175.21
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￥67.81
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￥65.42
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型号：PE42522C-X 编号：C20590642

封装：LGA-29(4x4)

PE42522是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SPDT射频开关，支持从9kHz到26.5GHz的宽带频率性能，并具有出色的稳定时间，使其适用于许多宽带无线应用。PE42522采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种在蓝宝石基底上的专利SOI技术。

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￥180.03
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￥71.84
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￥69.44
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型号：MASW-007071-000100 编号：C3304133

封装：PQFN-32(4x6)

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￥184.83
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￥71.53
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￥69.02
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￥67.78

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型号：MASW-011053-47300G 编号：C20344453

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￥76.32
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￥73.77
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型号：PE42821MLBA-X 编号：C2654731

封装：QFN-32(5x5)

PE42821是一款增强型高反射SPDT射频开关，适用于移动无线电、继电器替代和其他高性能无线应用。它具有高线性和高功率处理能力，频率范围从100MHz到2.7GHz。PE42821还具有低插入损耗和快速切换时间。

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￥192.24
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￥74.4
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￥71.78
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￥70.49

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型号：PE42851B-X 编号：C17236041

封装：QFN-32(5x5)

PE42851是采用HaRPTM技术增强的SP5T高功率射频开关，支持高达1GHz的无线应用。提供最大连续波功率处理能力为42.5dBm，具有高线性和出色的谐波性能。

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￥198.15
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￥79.07
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￥76.42
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￥75.12

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型号：MASW-010350-TR3000 编号：C17456263

封装：PQFN-24(4x4)