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  • MASWCC0010是一款集成TTL驱动的GaAsSP4T吸收型单电源射频开关。该设备在MLP塑料表面贴装封装中提供,具有从DC到4GHz的优秀宽带性能和重复性,同时保持低直流功耗。MASWCC0010适用于无线基础设施应用。
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  • MACOM的MASW-007075-000100是一种GaAsMMIC吸收式SPDT开关,带有集成的硅ASIC驱动器。该设备采用24引脚塑料封装。此开关提供从DC到3GHz的宽带性能和重复性,同时保持低直流功耗。MASW-007075-000100适用于无线基础设施应用,也提供陶瓷封装版本,性能更优。
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  • MASW-004103-1365是一种SP4T表面贴装、宽带、单片开关,使用四组串联和并联连接的PIN二极管。该设备设计用于宽带、低到中等信号强度的高性能开关应用,最高可达20GHz。
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  • MA4SW510是一款采用MACOM专利HMIC技术制造的SP5T系列-并联PIN二极管开关,具有宽带宽、低插入损耗和高隔离度的特点。
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  • MASW-005100-1194是一种SP5T系列-并联PIN二极管开关,采用MACOM的专利HMICTM工艺制造。该工艺允许将形成系列-并联二极管和通孔的硅基座嵌入到低损耗、低色散玻璃中。通过在电路元件之间设置小间距,结果是具有低插入损耗和高隔离度的HMIC芯片,最高工作频率可达26.5GHz。该开关适用于多频段ECM、仪器控制电路,要求高隔离度与插入损耗比。
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  • MASW-004103-1365是一种SP4T表面贴装、宽带、单片开关,使用四组串联和并联连接的PIN二极管。该设备设计用于宽带、低到中等信号强度的高性能开关应用,最高可达20GHz。
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  • MASW-007074是一款带有集成硅ASIC驱动器的GaAsMMIC吸收式SP3T开关。该器件采用24引脚塑料封装,提供从DC到3GHz的宽带性能和低直流功耗。
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  • PE42522是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型SPDT射频开关,支持从9kHz到26.5GHz的宽带频率性能,并具有出色的稳定时间,使其适用于许多宽带无线应用。PE42522采用pSemi的UltraCMOS工艺制造,这是一种在蓝宝石基底上的专利SOI技术。
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  • PE42821是一款增强型高反射SPDT射频开关,适用于移动无线电、继电器替代和其他高性能无线应用。它具有高线性和高功率处理能力,频率范围从100MHz到2.7GHz。PE42821还具有低插入损耗和快速切换时间。
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  • PE42851是采用HaRPTM技术增强的SP5T高功率射频开关,支持高达1GHz的无线应用。提供最大连续波功率处理能力为42.5dBm,具有高线性和出色的谐波性能。
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  • MASW-010350是一款行业领先的高隔离度单刀四掷(SP4T)开关。该设备设计优化,采用独立的GaAspHEMT开关晶粒和CMOS驱动器晶粒。开关电路设计对称,并结合独立的CMOS解码器,使其在所有状态下保持优异的插入损耗和隔离度。这款设备非常适合多通道和多模式基站应用以及其他需要紧凑、高隔离度的SP4T开关的应用。
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      ¥181.400779
    MASW-011087是一款高功率、对称的SP4T开关。这款宽带反射式开关适用于Ka-Band应用,可在高达30dBm(1W)的功率处理能力下保持低插入损耗、高隔离度和快速切换速度。
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  • MACOM的MASW2040是一款GaAsMMICDPDT开关裸芯片。MASW2040特别适合在低功耗要求的应用中使用,典型应用包括发射/接收切换、开关矩阵和开关滤波器组,适用于无线电和蜂窝设备、PCM、GPS、光纤模块和其他电池供电的无线电设备。
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      ¥89.2
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      ¥86.07
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      ¥84.52
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  • MASW-003102(SP3T)是一款宽带射频开关,集成了偏置网络,采用MACOM的HMICTM工艺制造。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中,形成串联和并联二极管或通孔。通过使用电路元件之间的微小间距,这种硅和玻璃的组合使HMIC器件具有低损耗和高隔离性能,并且在毫米波频率下表现出优异的重复性。
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  • MASW-003102-13590设备是SP3T宽带开关,具有集成偏置网络,利用M/A-COMTechnologySolutionsHMICTM(HeterolithicMicrowaveIntegratedCircuit)工艺制造。
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  • MACOM的MASW6010G是一款GaAsMESFETMMIC,结合了小型化、低插入损耗和低功耗的特点,同时具有高隔离度。适用于多种应用和模块设计,最高工作频率可达6GHz。
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  • MASW4030G是一款吸收型或反射型GaAsMESFETMMICSPDT开关。该器件结合了小尺寸、低插入损耗和低功耗,并具有高隔离度。适用于许多应用和模块设计,尤其在4.0GHz以下的设计中表现良好。
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      ¥103.89
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  • MASW6020G是一款GaAsMMICSPST开关裸片,适用于低功耗应用。
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      ¥112.06
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  • 超宽带反射式单刀双掷开关,频率范围从9kHz到44GHz,具有1.4dB的插入损耗和46dB的隔离度。适用于测试与测量、蜂窝基础设施(5G毫米波)、微波无线电和非常小的孔径终端(VSATs)。
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  • MASW-011198是一款超宽带单刀双掷(SPDT)吸收型射频开关,具有1.8dB的插入损耗(在44GHz)。RF输出端口在隔离路径上终止于50Ω。该开关的功率处理能力为26dBm,输入和输出的回波损耗通常为18dB。逻辑电平兼容标准1.8,2.5或3.3VCMOS。所需的偏置电源为+3.3V和-3.3V。
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      ¥120.82
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    • 1000+

      ¥116.36
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  • GaAsSPDT射频开关,支持从直流到3GHz的频率范围,具有低插入损耗、快速切换速度和超低直流功耗的特点。
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