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GaAsSPDT非反射射频开关

型号：MASW-011102-TR0500 编号：C3312982

封装：PQFN-14(3x3)

MASW-011102是一种多功能、宽带、非反射、高隔离度SPDT开关，采用无铅3mm14引脚PQFN表面贴装塑料封装。该开关从DC到30GHz的频率范围内工作，提供<1.8dB的插入损耗和>40dB的隔离度。其宽带性能、快速切换和出色的稳定时间使其适用于多种应用，包括测试与测量、EW和宽带通信系统。

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￥325.88
200+
￥126.11
500+
￥121.68
1000+
￥119.49

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集成偏置网络的HMICTM硅SP4TPIN二极管开关

型号：MASW-004102-12760G 编号：C17518104

封装：-

MASW-004102-12760设备是一款集成偏置网络的宽带SP4T开关，采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造。

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￥330.36
200+
￥131.82
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￥127.41
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￥125.24

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20-44GHz高功率终止型SPDTPIN开关

型号：MASW-011148-TR0500 编号：C17558974

封装：PQFN-22(3x4)

MASW-011148是一款高功率SPDTPIN二极管开关，采用3x4mmPQFN封装。这款宽带、高线性度的SPDT开关具有50Ω终止的RF端口，适用于Ka波段应用，可处理高达13W的连续波功率，环境温度可达+85°C，同时保持低插入损耗和高隔离度。

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￥331.85
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￥132.41
500+
￥127.99
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￥125.8

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集成偏置网络的HMICTM硅SP4TPIN二极管开关

型号：MASW-004102-12760W 编号：C3303737

封装：-

MASW-004102-12760设备是一款集成偏置网络的宽带SP4T开关，采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造。

1+
￥334.73
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￥129.54
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￥124.99
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￥122.74

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20-55GHz高功率SP2T反射PIN二极管开关

型号：MASW-011173-DIE 编号：C20344460

封装：-

MASW-011173-DIE是一种高功率SP2T开关，具有集成的偏置网络。这款宽带反射开关适用于20-55GHz的应用，可处理高达30dBm的功率，同时保持低插入损耗、高隔离度和快速切换速度。

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￥339.38
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￥135.42
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￥130.89
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￥128.66

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带集成偏置网络的HMICTM硅SP5TPIN二极管开关

型号：MASW-005102-13600W 编号：C17642752

封装：-

MASW-005102-13600是一款采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造的宽带SP4T开关，具有集成偏置网络。该工艺允许在低损耗、低色散玻璃中嵌入硅基座，形成串联和并联二极管或通孔。通过使用小间距元件，这种硅和玻璃的组合使HMIC器件具有低损耗和高隔离性能。

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￥345.25
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￥137.76
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￥133.16
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￥130.88

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200W四刀单掷射频开关，0.05-1.0GHz

型号：MASW-011040-TR0500 编号：C17458999

封装：HQFN-20(9x9)

MASW-011040是一款高功率PIN二极管SP4T开关，采用公共阳极配置，工作频率从50MHz到1GHz。它具有低插入损耗和出色的线性度。包括两个高功率端口（可处理高达200瓦连续波）和两个低功率端口（可处理高达100瓦连续波）。

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￥373.13
200+
￥148.89
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￥143.91
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￥141.45

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超宽带AlGaAsPIN二极管射频开关

型号：MA4AGSW8-1 编号：C3303749

封装：-

M/A-COM的MA4AGSW8-1是一款铝镓砷单刀八掷（SP8T）PIN二极管开关。该开关采用M/A-COM专利的异质结技术制造的增强型AlGaAs阳极，与传统的GaAs工艺相比，具有更低的损耗。在50GHz时，插入损耗可降低0.3dB。

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￥384.96
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￥148.98
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￥143.74
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￥141.15

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超宽带SP4T吸收型射频开关

型号：MASW-011200-TR0500 编号：C17618007

封装：QFN-22(3x3)

MASW-011200是一款吸收型、超宽带单刀四掷（SP4T）射频开关，具有在44GHz时3.3dB的插入损耗。RF输出端口在隔离路径中终止于50Ω。功率处理能力为26dBm。输入和输出的回波损耗通常为16dB。兼容1.8、2.5和3.3VCMOS逻辑电平。

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￥392.28
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￥156.53
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￥151.3
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￥148.71

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宽带SP4T射频PIN二极管开关

型号：MA4SW410B-1 编号：C17491739

封装：-

MA4SW410B-1是一款具有集成偏置网络的宽带SP4T开关，采用MACOM的HMICTM(HeterolithicMicrowaveIntegratedCircuit)工艺制造。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，形成串联和并联二极管或通孔。这种组合使器件在高频下表现出低损耗和高隔离性能。

1+
￥394.32
200+
￥157.34
500+
￥152.08
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￥149.49

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20-40GHz高功率反射式SPDTPIN开关裸片

型号：MASW-011144-DIE 编号：C17515896

封装：-

MASW-011144-DIE是一款高功率SPDT反射式宽带高线性度铝镓砷（AlGaAs）PIN二极管开关，适用于K-和Ka-Band应用，包括点对点无线电。

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￥427.52
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￥170.59
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￥164.89
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￥162.07

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44GHzSP4T反射开关

型号：MASW-011199-TR0500 编号：C17294180

封装：QFN-22(3x3)

MASW-011199是一款反射式超宽带单刀四掷（SP4T）开关，具有2.6dB的插入损耗（在44GHz时）。其功率处理能力为26dBm，输入和输出返回损耗通常为16dB。逻辑电平兼容1.8V、2.5V和3.3VCMOS。封装为3mm，22引脚层压封装。

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￥428.78
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￥171.09
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￥165.37
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￥162.55

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2-22GHz带集成偏置网络的AlGaAsSP2T射频开关

型号：MASW-011129-DIE 编号：C17407527

封装：-

MASW-011129-DIE是一款带有集成偏置网络的单刀双掷(SPDT)PIN二极管开关，提供裸芯片形式。这款宽带反射式开关在2-22GHz范围内工作，插入损耗小于1dB，隔离度为35dB。

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￥434.88
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￥173.52
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￥167.72
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￥164.86

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MASL-011023-TR0500

型号：MASL-011023-TR0500 编号：C17516909

封装：HQFN-32(7x7)

1+
￥457.58
200+
￥182.58
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￥176.48
1000+
￥173.47

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宽带SP6TPIN二极管射频开关

型号：MA4SW610B-1 编号：C17622524

封装：-

MA4SW610B-1是一款宽带SP6T射频开关，采用MACOM的SHMICTM工艺制造，具有集成偏置网络。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，形成串联和并联二极管或通孔。这种组合使HMIC设备在高频下具有低损耗和高隔离性能。

1+
￥463.96
200+
￥185.13
500+
￥178.94
1000+
￥175.88

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MASWSS0148TR-3000

型号：MASWSS0148TR-3000 编号：C20344462

封装：PQFN-12(3x3)

1+
￥466.51
200+
￥186.15
500+
￥179.93
1000+
￥176.85

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带集成偏置网络的宽带射频PIN二极管开关

型号：MA4SW510B-1 编号：C3303741

封装：-

MA4SW510B-1是一款SP4T宽带射频开关，采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造，具有集成偏置网络。该工艺允许在低损耗、低色散玻璃中嵌入硅基台，形成串联和并联二极管或通孔。通过使用小间距元件，这种硅和玻璃的组合使HMIC设备具有低损耗和高隔离性能。

1+
￥467.54
200+
￥180.94
500+
￥174.58
1000+
￥171.43

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6-18GHz高功率反射式SPDTPIN二极管开关

型号：MASW-011108-DIE 编号：C17423553

封装：-

MASW-011108-DIE是一种高功率对称的PIN二极管开关，具有宽带、反射和高线性度的特点。适用于6-18GHz的高频应用，可处理高达14W的连续波功率，同时保持低插入损耗和高隔离度。

1+
￥468.96
200+
￥187.12
500+
￥180.87
1000+
￥177.78

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2-22GHzAlGaAsSP3T射频开关

型号：MASW-011130-DIE 编号：C17671969

封装：-

MASW-011130是一款集成偏置网络的AlGaAsSP3TPIN二极管开关，提供裸晶片形式。该宽带反射开关在2-22GHz范围内工作，插入损耗小于1dB，隔离度为35dB。

1+
￥470.71
200+
￥187.82
500+
￥181.54
1000+
￥178.44

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MA8334-013

型号：MA8334-013 编号：C3303599

封装：-

1+
￥499.71
200+
￥193.38
500+
￥186.59
1000+
￥183.23

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超宽带反射式SPDT射频开关

型号：MASW-011151-TR0500 编号：C17543602

封装：QFN-12(2.25x2.25)

MASW-011151是一款反射式超宽带单刀双掷（SPDT）射频开关，具有1.7dB的插入损耗（55GHz）。功率处理能力为26dBm。输入和输出回波损耗在通路中通常为16dB。逻辑电平与标准1.8V、2.5V和3.3VCMOS兼容。所需的偏置电源为+3.3V和-3.3V。

1+
￥505.62
200+
￥201.75
500+
￥195.01
1000+
￥191.67

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超宽带SPDT吸收型射频开关

型号：MASW-011152-TR0500 编号：C17693754

封装：QFN-20(3x3)

超宽带SPDT吸收型射频开关，支持9kHz至67GHz的频率范围，具有2.2dB的插入损耗（50GHz）。RF输出端口在隔离路径中终止于50Ω。功率处理能力为26dBm。

1+
￥517.56
200+
￥206.51
500+
￥199.61
1000+
￥196.2

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MA8334-014

型号：MA8334-014 编号：C3303601

封装：-

1+
￥521.4
200+
￥201.78
500+
￥194.69
1000+
￥191.18

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GaAsSPDT非反射射频开关

型号：MASW-011128-DIE 编号：C20344459

封装：-

MASW-011128-DIE是一款多功能、宽带、非反射SPDT开关，提供裸片形式。该开关的工作频率范围为0.05至26.5GHz，具有低插入损耗和高隔离度。

1+
￥526.26
200+
￥209.98
500+
￥202.97
1000+
￥199.5

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10MHz-40GHz超宽带反射式SPDT射频开关

型号：PE42524B-X 编号：C17312557

封装：-

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42524是一款采用HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关芯片，支持从10MHz到40GHz的宽频带。这款宽频带翻转芯片开关提供高隔离性能，适用于雷达。在30GHz时，PE42524表现出17dB的活动端口回波损耗，47dB的隔离度和2.2dB的插入损耗。如果RF端口上没有直流电压，则无需阻塞电容器。

1+
￥568.92
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￥227.01
500+
￥219.42
1000+
￥215.67

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超宽带吸收式四掷开关

型号：MASW-011154-TR0500 编号：C17180604

封装：QFN-22(3x3)

MASW-011154是一款超宽带吸收式单刀四掷(SP4T)开关，具有从9kHz到57GHz的超宽频带。在57GHz时，插入损耗为4.0dB。RF输出端口在隔离路径中终止于50欧姆。该开关具有26dBm的功率处理能力，输入和输出回波损耗在通路中通常为16dB。逻辑电平兼容1.8V、2.5V和3.3VCMOS。所需的偏置电源为+3.3V和-3.3V。

1+
￥579.26
200+
￥231.13
500+
￥223.41
1000+
￥219.59

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MASW-011098-TR0500

型号：MASW-011098-TR0500 编号：C20344456

封装：-

1+
￥602.71
200+
￥240.49
500+
￥232.45
1000+
￥228.48

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2.7-3.5GHzSPDT射频开关及限幅器

型号：MASL-011023 编号：C17327960

封装：HQFN-32(7x7)

MASL-011023是一种高功率射频开关-限幅器，集成了偏置网络。这种表面贴装的小型配置设计具有最小寄生效应，适用于混合MIC设计，采用引线键合PIN二极管，支持芯片和线键合组装。标准HQFN封装可实现可靠的高产量制造，最大化塑料封装中的散热。

1+
￥606.71
200+
￥242.08
500+
￥233.99
1000+
￥230

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宽带非反射式SPDT射频开关

型号：MASW-011107-DIE 编号：C17688812

封装：-

MASW-011107-DIE是一款多功能、宽带、非反射式SPDT开关，提供裸片形式。该开关从DC到26.5GHz运行，并提供<2.0dB的插入损耗和>40dB的隔离度。其结合了宽带性能、快速切换和出色的稳定时间，使其非常适合多种应用，包括测试与测量、宽带通信系统。

1+
￥680.88
200+
￥271.68
500+
￥262.6
1000+
￥258.11

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400MHz至4GHzSP2TPIN二极管开关

型号：MSW2001-200-R 编号：C20344494

封装：-

MSW200x-200系列表面贴装硅PIN二极管SP2T开关处理从400MHz到4GHz的高功率信号，适用于发射-接收（TR）、主动接收保护和其他应用。这些低轮廓、紧凑的表面贴装组件在QFN封装中提供了优于MMIC设备的小信号和大信号性能。

1+
￥685.86
200+
￥273.67
500+
￥264.52
1000+
￥260

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