射频开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：MASW-011087-DIE 编号：C20344455

封装：-

品牌：MACOM

MASW-011087是一款高功率、对称的SP4T开关。这款宽带反射式开关适用于Ka-Band应用，可在高达30dBm（1W）的功率处理能力下保持低插入损耗、高隔离度和快速切换速度。

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￥216.24
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￥86.28
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￥83.4
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￥81.98

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型号：MASW-004103-13655P 编号：C17626335

封装：SMD-5P

品牌：MACOM

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￥224.78
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￥89.69
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￥85.21

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型号：MASW2040 编号：C3303744

封装：-

品牌：MACOM

MACOM的MASW2040是一款GaAsMMICDPDT开关裸芯片。MASW2040特别适合在低功耗要求的应用中使用，典型应用包括发射/接收切换、开关矩阵和开关滤波器组，适用于无线电和蜂窝设备、PCM、GPS、光纤模块和其他电池供电的无线电设备。

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￥227.54
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￥88.06
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￥84.96
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型号：MA4SW310B-1 编号：C3303738

封装：-

品牌：MACOM

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￥492.44748
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￥471.03672
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￥462.472416

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型号：MASW-003102-13590W 编号：C3303742

封装：-

品牌：MACOM

MASW-003102(SP3T)是一款宽带射频开关，集成了偏置网络，采用MACOM的HMICTM工艺制造。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，形成串联和并联二极管或通孔。通过使用电路元件之间的微小间距，这种硅和玻璃的组合使HMIC器件具有低损耗和高隔离性能，并且在毫米波频率下表现出优异的重复性。

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￥230.5
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￥89.2
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￥86.07
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型号：MASW-003102-13590G 编号：C17403522

封装：-

品牌：MACOM

MASW-003102-13590设备是SP3T宽带开关，具有集成偏置网络，利用M/A-COMTechnologySolutionsHMICTM(HeterolithicMicrowaveIntegratedCircuit)工艺制造。

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￥236.56
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￥94.39
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型号：MASW6010G 编号：C17358576

封装：-

品牌：MACOM

MACOM的MASW6010G是一款GaAsMESFETMMIC，结合了小型化、低插入损耗和低功耗的特点，同时具有高隔离度。适用于多种应用和模块设计，最高工作频率可达6GHz。

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￥263.27
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￥105.05
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￥101.54
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￥99.8

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型号：MASW4030G 编号：C3303735

封装：-

品牌：MACOM

MASW4030G是一款吸收型或反射型GaAsMESFETMMICSPDT开关。该器件结合了小尺寸、低插入损耗和低功耗，并具有高隔离度。适用于许多应用和模块设计，尤其在4.0GHz以下的设计中表现良好。

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￥283.33
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￥109.65
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￥105.79
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￥103.89

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型号：MASW6020G 编号：C3303745

封装：-

品牌：MACOM

MASW6020G是一款GaAsMMICSPST开关裸片，适用于低功耗应用。

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￥283.34
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￥105.8
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型号：MASW-011041-TR0500 编号：C17611730

封装：HQFN-20(9x9)

品牌：MACOM

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￥295.59
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￥117.94
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￥114
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￥112.06

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型号：MASW-011197-TR0500 编号：C17211342

封装：QFN-12(2.25x2.25)

品牌：MACOM

超宽带反射式单刀双掷开关，频率范围从9kHz到44GHz，具有1.4dB的插入损耗和46dB的隔离度。适用于测试与测量、蜂窝基础设施（5G毫米波）、微波无线电和非常小的孔径终端（VSATs）。

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￥304.69
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￥121.58
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￥117.51
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￥115.51

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型号：MASW-011198-TR0500 编号：C17412753

封装：QFN-20(3x3)

品牌：MACOM

MASW-011198是一款超宽带单刀双掷(SPDT)吸收型射频开关，具有1.8dB的插入损耗（在44GHz）。RF输出端口在隔离路径上终止于50Ω。该开关的功率处理能力为26dBm，输入和输出的回波损耗通常为18dB。逻辑电平兼容标准1.8,2.5或3.3VCMOS。所需的偏置电源为+3.3V和-3.3V。

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￥313.27
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￥125
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￥120.82
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￥118.76

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型号：MASW-011052-14220W 编号：C3303740

封装：-

品牌：MACOM

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￥317.35
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￥122.81
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￥118.5
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￥116.36

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型号：MASW2000 编号：C3303750

封装：-

品牌：MACOM

GaAsSPDT射频开关，支持从直流到3GHz的频率范围，具有低插入损耗、快速切换速度和超低直流功耗的特点。

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￥324.65
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￥125.64
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￥121.22
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￥119.04

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型号：MASW-011102-TR0500 编号：C3312982

封装：PQFN-14(3x3)

品牌：MACOM

MASW-011102是一种多功能、宽带、非反射、高隔离度SPDT开关，采用无铅3mm14引脚PQFN表面贴装塑料封装。该开关从DC到30GHz的频率范围内工作，提供<1.8dB的插入损耗和>40dB的隔离度。其宽带性能、快速切换和出色的稳定时间使其适用于多种应用，包括测试与测量、EW和宽带通信系统。

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￥543.191
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￥519.574
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￥510.1272

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型号：MASW-004102-12760G 编号：C17518104

封装：-

品牌：MACOM

MASW-004102-12760设备是一款集成偏置网络的宽带SP4T开关，采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造。

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￥330.36
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￥131.82
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￥127.41
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￥125.24

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型号：MASW-011148-TR0500 编号：C17558974

封装：PQFN-22(3x4)

品牌：MACOM

MASW-011148是一款高功率SPDTPIN二极管开关，采用3x4mmPQFN封装。这款宽带、高线性度的SPDT开关具有50Ω终止的RF端口，适用于Ka波段应用，可处理高达13W的连续波功率，环境温度可达+85°C，同时保持低插入损耗和高隔离度。

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￥331.85
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￥132.41
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￥127.99
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￥125.8

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型号：MASW-004102-12760W 编号：C3303737

封装：-

品牌：MACOM

MASW-004102-12760设备是一款集成偏置网络的宽带SP4T开关，采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造。

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￥334.73
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￥129.54
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￥124.99
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￥122.74

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型号：MASW-011173-DIE 编号：C20344460

封装：-

品牌：MACOM

MASW-011173-DIE是一种高功率SP2T开关，具有集成的偏置网络。这款宽带反射开关适用于20-55GHz的应用，可处理高达30dBm的功率，同时保持低插入损耗、高隔离度和快速切换速度。

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￥339.38
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￥135.42
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￥130.89
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￥128.66

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型号：MASW-005102-13600W 编号：C17642752

封装：-

品牌：MACOM

MASW-005102-13600是一款采用MACOM的HMICTM（异质微波集成电路）工艺制造的宽带SP4T开关，具有集成偏置网络。该工艺允许在低损耗、低色散玻璃中嵌入硅基座，形成串联和并联二极管或通孔。通过使用小间距元件，这种硅和玻璃的组合使HMIC器件具有低损耗和高隔离性能。

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￥345.25
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￥137.76
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￥133.16
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￥130.88

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型号：MASW-011040-TR0500 编号：C17458999

封装：HQFN-20(9x9)

品牌：MACOM

MASW-011040是一款高功率PIN二极管SP4T开关，采用公共阳极配置，工作频率从50MHz到1GHz。它具有低插入损耗和出色的线性度。包括两个高功率端口（可处理高达200瓦连续波）和两个低功率端口（可处理高达100瓦连续波）。

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￥373.13
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￥148.89
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￥143.91
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￥141.45

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型号：MA4AGSW8-1 编号：C3303749

封装：-

品牌：MACOM

M/A-COM的MA4AGSW8-1是一款铝镓砷单刀八掷（SP8T）PIN二极管开关。该开关采用M/A-COM专利的异质结技术制造的增强型AlGaAs阳极，与传统的GaAs工艺相比，具有更低的损耗。在50GHz时，插入损耗可降低0.3dB。

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￥384.96
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￥148.98
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￥143.74
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￥141.15

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型号：MASW-011200-TR0500 编号：C17618007

封装：QFN-22(3x3)

品牌：MACOM

MASW-011200是一款吸收型、超宽带单刀四掷（SP4T）射频开关，具有在44GHz时3.3dB的插入损耗。RF输出端口在隔离路径中终止于50Ω。功率处理能力为26dBm。输入和输出的回波损耗通常为16dB。兼容1.8、2.5和3.3VCMOS逻辑电平。

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￥885.2125
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￥846.725
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￥831.33

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型号：MA4SW410B-1 编号：C17491739

封装：-

品牌：MACOM

MA4SW410B-1是一款具有集成偏置网络的宽带SP4T开关，采用MACOM的HMICTM(HeterolithicMicrowaveIntegratedCircuit)工艺制造。该工艺允许将硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中，形成串联和并联二极管或通孔。这种组合使器件在高频下表现出低损耗和高隔离性能。