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首页 > 热门关键词 > 射频开关芯片
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PE42724是一种增强型反射式SPDT射频开关,专为电缆调制解调器、机顶盒和家庭网关等电缆应用设计。它提供高线性度和低插入损耗及高隔离性能。
数据手册
  • 1+

    ¥17.25
  • 200+

    ¥6.68
  • 500+

    ¥6.44
  • 1000+

    ¥6.33
  • 订货
  • MASWSS0202是一款宽带GaAsPHEMTMMICSPDT开关,采用无铅3mm12引脚PQFN封装。该开关适用于需要非常小尺寸和低成本的应用。
    • 1+

      ¥55.1286
    • 20+

      ¥52.8876
    • 100+

      ¥51.543
    • 200+

      ¥49.302
    • 500+

      ¥48.4056
    PE42822是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型50ΩSPDT射频保护开关,设计用于支持高达3.8GHz的频率。该开关具有高线性度,并且在全供电范围内保持不变。PE42822采用Peregrine的UltraCMOS?工艺制造,这是一种基于蓝宝石基底的专利SOI技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.95
    • 20+

      ¥16.272
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      ¥15.594
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      ¥15.1872
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      ¥14.916
    M/A-COM的MASW-007813是一款GaAspHEMTMMIC单刀四掷(SP4T)高功率射频开关,采用低成本、低轮廓、无铅3mmPQFN16引脚封装。适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。
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      ¥61.131
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      ¥58.646
    • 100+

      ¥57.155
    • 200+

      ¥54.67
    • 500+

      ¥53.676
    PE42723是一款基于HaRPTM技术的反射式SPDT射频开关,设计用于电缆应用,包括DOCSIS3.0/1电缆调制解调器、机顶盒和住宅网关。它在5-1794MHz频段内提供高线性和优异的谐波性能,并具有低插入损耗和高隔离度。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.5
    • 200+

      ¥8.32
    • 500+

      ¥8.03
    • 1000+

      ¥7.89
  • 订货
  • MACOM的MASW-008566是一款GaAsPHEMT单刀四掷(SP4T)高功率射频开关,采用低成本4mm16引脚PQFN封装。该开关适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。
    • 1+

      ¥72.041
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      ¥70.86
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      ¥67.9075
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      ¥64.955
    • 200+

      ¥63.774
    MASW-011184是一个单刀双掷(SPDT)开关,在TX路径上的插入损耗为0.35dB,在RX路径上的插入损耗为0.5dB。TX路径能够处理10W输入功率。输入和输出回波损耗在直通路径上通常为18dB。逻辑电平为标准1.8VCMOS。仅需+5V的单个正电源。
    • 1+

      ¥74.359
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      ¥73.14
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      ¥70.0925
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      ¥67.045
    • 200+

      ¥65.826
    M/A-COM的MASWSS0201是一款低成本、无铅的3mm12引脚PQFN封装的宽带GaAsPHEMTMMICSPDT终止开关。MASWSS0201适用于在单控制线上需要未供电开启状态的关键应用。
    • 1+

      ¥26.42
    • 200+

      ¥10.55
    • 500+

      ¥10.19
    • 1000+

      ¥10.02
  • 订货
  • 这些宽带单片PIN二极管射频开关使用串联和并联连接的硅PIN二极管设计,适用于高达26.5GHz的应用。它们提供了优于混合MIC设计的性能水平。
    • 1+

      ¥26.76
    • 200+

      ¥10.68
    • 500+

      ¥10.33
    • 1000+

      ¥10.15
  • 订货
  • MA4SW110是一种串联-并联结构的宽带PIN二极管开关,采用异质微波集成电路(HMIC)工艺制造。该工艺允许硅基座形成串联-并联二极管和通孔嵌入低损耗、低色散玻璃中。通过减少电路元件之间的间距,结果是一个在高达26.5GHz的频率下具有低插入损耗和高隔离度的HMIC芯片
    • 1+

      ¥29.42
    • 200+

      ¥11.74
    • 500+

      ¥11.35
    • 1000+

      ¥11.15
  • 订货
  • MACOM的MASW-007587是一款宽带GaAsPHEMTMMIC分集开关,采用无铅3mm12引脚PQFN封装。适用于需要小型化和高线性功率的应用,典型应用包括2.5GHz和3.5GHzWiMax、WLANMESH网络、固定无线接入和其他高功率系统。
    • 1+

      ¥97.356
    • 10+

      ¥95.76
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      ¥91.77
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      ¥87.78
    • 200+

      ¥86.184
    MASW-000936是一款高功率、宽带、高线性度的PIN二极管T/R开关,适用于0.05-6.0GHz的应用,包括WiMAX&WiFi。该器件采用行业标准的无铅4mmPQFN塑料封装。
    • 1+

      ¥103.4194
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      ¥101.724
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      ¥97.4855
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      ¥93.247
    • 200+

      ¥91.5516
    MA4SW210是一种串联-并联、宽带、PIN二极管开关,采用异质微波集成电路(HMIC)工艺制造。这种工艺允许将形成串联-并联二极管和通孔的硅基座嵌入低损耗、低色散玻璃中。通过减小电路元件之间的间距,结果是具有低插入损耗和高隔离度的HMIC芯片,适用于高达26.5GHz的频率。
    • 1+

      ¥43.62
    • 200+

      ¥16.88
    • 500+

      ¥16.29
    • 1000+

      ¥16
  • 订货
  • 这些宽带单片PIN二极管射频开关使用串联和并联连接的硅PIN二极管设计,适用于高达26.5GHz的应用。它们提供了优于混合MIC设计的性能水平。
    • 1+

      ¥44.77
    • 200+

      ¥17.87
    • 500+

      ¥17.27
    • 1000+

      ¥16.97
  • 订货
  • MASW-000932是一款SPDT高功率宽带、高线性度PIN二极管T/R开关,适用于0.01-6.0GHz的应用,包括WiMAX和WiFi。该器件采用行业标准的无铅4mmPQFN塑料封装。
    • 1+

      ¥150.731
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      ¥148.26
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      ¥142.0825
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      ¥135.905
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      ¥133.434
    M/A-COM的MASW-007070-000100是一款具有集成TTL驱动器的吸收型pHEMT射频开关。该器件采用MLP塑料表面贴装封装,提供出色的宽带性能,从DC到4GHz,同时保持低直流功耗。适用于无线基础设施应用。
    • 1+

      ¥55.5
    • 200+

      ¥22.15
    • 500+

      ¥21.41
    • 1000+

      ¥21.04
  • 订货
  • MASW-011145是一款高功率单刀双掷(Ka-band)开关,具有1.4dB的插入损耗。功率处理能力为35dBm。输入和输出回波损耗在指定频率范围内通常大于18dB。隔离路径也有18dB的典型回波损耗。逻辑电平可以是标准的1.8V、2.5V或3.3VCMOS。所需偏置电源为3.3V。
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      ¥157.5874
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      ¥155.004
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      ¥148.5455
    • 100+

      ¥142.087
    • 200+

      ¥139.5036
    MACOM的MASWCC0009是一款GaAsMMIC吸收型SP4T射频开关,内置硅ASIC驱动器。该设备采用24引脚塑料封装,提供从DC到3GHz的优秀宽带性能和低直流功耗,适用于无线基础设施应用。
    • 1+

      ¥62.26
    • 200+

      ¥24.1
    • 500+

      ¥23.25
    • 1000+

      ¥22.83
  • 订货
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      ¥69.04
    • 200+

      ¥27.55
    • 500+

      ¥26.63
    • 1000+

      ¥26.17
  • 订货
  • MASWCC0006是一款GaAsSP6T吸收式单电源射频开关,内置TTL驱动器。该设备采用MLP塑料表面贴装封装,具有从DC到4GHz的优秀宽带性能和可重复性,同时保持低直流功耗。MASWCC0006适用于无线基础设施应用。
    • 1+

      ¥71.11
    • 200+

      ¥28.38
    • 500+

      ¥27.43
    • 1000+

      ¥26.96
  • 订货
  • MACOM的MASWCC0009是一款GaAsMMIC吸收型SP4T射频开关,内置硅ASIC驱动器。该设备采用24引脚塑料封装,提供从DC到3GHz的优秀宽带性能和低直流功耗,适用于无线基础设施应用。
    • 1+

      ¥81.68
    • 200+

      ¥31.61
    • 500+

      ¥30.5
    • 1000+

      ¥29.95
  • 订货
  • MASW-010351是一款行业领先的高隔离度单刀五掷(SP5T)射频开关。该设备设计优化,采用独立的GaAspHEMT开关芯片和CMOS驱动芯片。开关电路设计对称,并与独立的CMOS解码器结合,使其在所有状态下都能保持优异的插入损耗和隔离度。这款设备非常适合多通道和多模式基站应用,以及其他需要紧凑、高隔离度SP4T开关的应用。
    • 1+

      ¥82.51
    • 200+

      ¥31.93
    • 500+

      ¥30.81
    • 1000+

      ¥30.26
  • 订货
  • MASWCC0006是一款GaAsSP6T吸收式单电源射频开关,内置TTL驱动器。该设备采用MLP塑料表面贴装封装,具有从DC到4GHz的优秀宽带性能和可重复性,同时保持低直流功耗。MASWCC0006适用于无线基础设施应用。
    • 1+

      ¥86.5
    • 200+

      ¥33.48
    • 500+

      ¥32.3
    • 1000+

      ¥31.72
  • 订货
  • MASW-002103-1363是一款单刀双掷(SPDT)、宽带、单片开关,使用两组串联和并联连接的PIN二极管。该器件设计用于高达20GHz的宽带、低至中等信号、高性能开关应用。
    • 1+

      ¥233.8525
    • 10+

      ¥223.685
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      ¥219.618
    MASW-003100-11920G是一款系列并联的宽带PIN二极管开关,采用MACOM的HMICTM(异质微波集成电路)工艺制造。这种工艺允许将形成串联并联二极管和通孔的硅基座嵌入到低损耗、低色散玻璃中,并通过电路元件之间的紧密间距实现低插入损耗和高隔离度,最高可达26.5GHz。
    • 1+

      ¥91.09
    • 200+

      ¥35.25
    • 500+

      ¥34.01
    • 1000+

      ¥33.4
  • 订货
  • 这些宽带单片PIN二极管射频开关使用串联和并联连接的硅PIN二极管设计,适用于高达26.5GHz的应用。它们提供了优于混合MIC设计的性能水平。
    • 1+

      ¥91.65
    • 200+

      ¥35.47
    • 500+

      ¥34.22
    • 1000+

      ¥33.61
  • 订货
    • 1+

      ¥104.35
    • 200+

      ¥40.38
    • 500+

      ¥38.96
    • 1000+

      ¥38.26
  • 订货
  • MA4SW310是一款系列-并联结构的宽带PIN二极管开关,采用异质微波集成电路(HMICTM)工艺制造。该工艺允许将形成串联-并联二极管和通孔的硅基座嵌入到低损耗、低色散玻璃中。通过减小电路元件之间的间距,结果是一个具有低插入损耗和高隔离度的HMICTM芯片,最高工作频率可达26.5GHz。
    • 1+

      ¥106.1
    • 200+

      ¥41.06
    • 500+

      ¥39.62
    • 1000+

      ¥38.91
  • 订货
  • PE42522是一款增强型HaRPTM技术吸收式SPDT射频开关,支持广泛的频率性能,并具有卓越的稳定时间,适用于许多宽带无线应用。如果RF端口上没有直流电压,则不需要阻塞电容器。
    数据手册
    • 1+

      ¥114.66
    • 200+

      ¥44.37
    • 500+

      ¥42.82
    • 1000+

      ¥42.04
  • 订货
  • MASW-004100-1193是一种采用MACOM专利HMICTM技术制造的SP4T系列并联宽带PIN二极管开关。该技术允许将形成串联并联二极管和通孔的硅基座嵌入到低损耗、低色散玻璃中。通过在电路元件之间使用小间距,结果是在高达26.5GHz的频率下具有低插入损耗和高隔离度的HMIC芯片
    • 1+

      ¥115.89
    • 200+

      ¥44.85
    • 500+

      ¥43.27
    • 1000+

      ¥42.5
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