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3.0GHzGaAsSPDT射频开关

型号：MASW-007221-TR3000 编号：C17492491

封装：SC-70-6(SOT-363)

MACOM的MASW-007221是一款GaAs单片开关，采用无铅SC-70(SOT-363)表面贴装塑料封装。该开关具有低功耗、低插入损耗、体积小和成本低的特点，适用于双频系统中切换小信号组件的应用，例如滤波器组、单频带LNA、转换器等。MASW-007221可在最高0.25瓦的系统中使用，如蜂窝、PCS、DCS1800、GSM、CDMA、W-CDMA和其他模拟/数字无线通信系统。

1+
￥12.8125
20+
￥12.3
100+
￥11.7875
200+
￥11.48
500+
￥11.275

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GaAsSPDT终端射频开关，DC-3.0GHz

型号：MASW-007935-TR3000 编号：C3304464

封装：SOT-26

MASW-007935是一款采用低成本无铅SOT-26表面贴装塑料封装的GaAs单片开关。适用于低功耗、低插入损耗和非常小尺寸的应用。典型应用包括双频系统中的小信号组件切换，如滤波器组、单频LNA、转换器等。适用于CDMA、W-CDMA、PCS、DCS1800、GSM和其他模拟/数字无线通信系统。

1+
￥13.65
20+
￥13.104
100+
￥12.558
200+
￥12.2304
500+
￥12.012

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GaAsSPDT射频开关DC-3.0GHz

型号：MASWSS0166TR-3000 编号：C3304465

封装：SOT-363

MASWSS0166是一款采用GaAs单片技术的SPDT开关，采用无铅SOT-363表面贴装塑料封装。该开关适用于低功耗、低插入损耗、体积小且成本低的应用场景。

1+
￥14.1625
20+
￥13.596
100+
￥13.0295
200+
￥12.6896
500+
￥12.463

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3GHzGaAsSPDT射频开关

型号：MASWSS0151TR-3000 编号：C17297873

封装：SC-70-6(SOT-363)

MASWSS0151是一款低成本、无铅的SC70（SOT-363）表面贴装塑料封装的GaAsMMICSPDT开关。适用于蓝牙和WLAN设备的发射/接收切换。

1+
￥13.95
20+
￥13.392
100+
￥12.834
200+
￥12.4992
500+
￥12.276

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75Ω终止5-2200MHzSPDT射频开关

型号：PE42750MLAA-Z 编号：C2654713

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42750是一款SPDTUltraCMOS?开关，设计用于宽带应用，如CATV、DTV、多调谐数字视频记录器(DVR)、机顶盒和PC电视。它符合FCC15.115隔离规范，具有80dB的隔离度（在216MHz时）。

数据手册

1+
￥4.36
200+
￥1.69
500+
￥1.63
1000+
￥1.6

订货

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0.05-3GHzGaAsSPDT射频开关

型号：MASWSS0176TR-3000 编号：C3304463

封装：SOT-26

M/A-COM的MASWSS0176是一款基于GaAsPHEMT工艺的单刀双掷(SPDT)射频开关，采用低成本、无铅SOT-26表面贴装塑料封装。该开关适用于需要小型化和低成本的应用，如双频系统中的小信号组件切换，例如滤波器组、单频带低噪声放大器、转换器等。

1+
￥14.475
20+
￥13.896
100+
￥13.317
200+
￥12.9696
500+
￥12.738

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GaAsSPDT射频开关，DC至3.0GHz

型号：MASW-008899-TR3000 编号：C3304183

封装：SC-70-6(SOT-363)

MACOM的MASW-008899是一款采用无铅SC-70(SOT-363)表面贴装塑料封装的GaAsPHEMTMMICSPDT开关。MASW-008899适用于对小型化和低成本要求较高的应用。

1+
￥16.5375
20+
￥15.876
100+
￥15.2145
200+
￥14.8176
500+
￥14.553

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2.5VGaAsSPDT射频开关0.5-3.0GHz

型号：MASWSS0167TR-3000 编号：C17226768

封装：PQFN-6(1.2x1.5)

MASWSS0167是一款采用无铅1.2x1.5mm6引脚PQFN封装的GaAspHEMT单刀双掷（SPDT）开关。该器件适用于需要低控制电压、低插入损耗、适中隔离度、小型化和低成本的应用。

1+
￥5.03
200+
￥2.01
500+
￥1.94
1000+
￥1.91

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5MHz-2.2GHz射频开关

型号：PE4280MLIAA-Z 编号：C2151920

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE4280是一款UltraCMOS™射频开关，设计用于CATV应用，覆盖从DC到2.2GHz的宽频率范围。该单电源SPDT开关集成了两针CMOS控制接口，提供低插入损耗和极低的偏置要求。

数据手册

1+
￥5.21
200+
￥2.02
500+
￥1.95
1000+
￥1.91

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10MHz至3GHzSPDTUltraCMOS射频开关

型号：PE42359SCAA-Z 编号：C2654744

封装：SC-70-6

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42359UltraCMOS射频开关设计用于10MHz至3GHz的广泛应用。该反射式开关集成了板载CMOS控制逻辑，具有单引脚或互补CMOS逻辑控制输入，支持单引脚或互补控制模式。使用+3伏电源电压时，可实现+33.5dBm的典型输入1dB压缩点。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准，并已获得AEC-Q100Grade2认证。

数据手册

1+
￥5.76
200+
￥2.23
500+
￥2.15
1000+
￥2.11

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GaAsSPDT2.7V高功率射频开关，DC-3.0GHz

型号：MASWSS0204TR-3000 编号：C17224365

封装：SC-70-6

MASWSS0204是一款基于GaAspHEMT工艺的单刀双掷（SPDT）高功率射频开关，采用低成本的六引脚SC70封装。该开关适用于需要高功率、低控制电压、低插入损耗和高隔离度的应用。

1+
￥19.85
20+
￥19.056
100+
￥18.262
200+
￥17.7856
500+
￥17.468

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GaAsSP2T1.8V射频开关，DC-6.0GHz

型号：MASW-009444-TR3000 编号：C17182710

封装：PDFN-6(1x1)

M/A-COM的MASW-009444是一款GaAsPHEMTMMIC单刀双掷（SP2T）开关，采用1x1mm6引脚PDFN封装。该开关适用于需要低控制电压、低插入损耗、适中隔离度和小型化设计的应用。

1+
￥20.575
20+
￥19.752
100+
￥18.929
200+
￥18.4352
500+
￥18.106

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2.5V高功率射频开关，DC至3GHz

型号：MASWSS0181TR-3000 编号：C17286639

封装：SOT-26

MASWSS0181是一款GaAsPHEMTMMIC单刀双掷(SPDT)高功率射频开关，采用无铅SOT-26封装。适用于高功率、低控制电压、低插入损耗、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。

1+
￥25.3257
20+
￥24.2962
100+
￥23.6785
200+
￥22.649
500+
￥22.2372

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GaAs宽带高功率SP3T射频开关

型号：MASW-009482-TR3000 编号：C3304491

封装：UFQFN-12(2x2)

MASW-009482是一种行业领先的GaAspHEMT单刀三掷(SP3T)开关，采用无铅2mm12引脚STQFN封装，引脚间距为0.5mm。该开关设计对称，可在所有三条路径中提供出色的交调性能，同时保持优异的插入损耗和隔离度。

1+
￥26.5434
20+
￥25.4644
100+
￥24.817
200+
￥23.738
500+
￥23.3064

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3瓦蜂窝T/R和天线切换开关，直流至3.0GHz

型号：MASWSS0143TR-3000 编号：C17430039

封装：SOT-26

MASWSS0143是一款采用无铅SOT-26表面贴装塑料封装的GaAs单片开关。该器件适用于低功耗、低互调产物和非常小尺寸的应用，典型应用包括便携电话和数据无线电的内部/外部天线选择开关，以及作为常规T/R开关或天线分集开关。

1+
￥25.3257
20+
￥24.2962
100+
￥23.6785
200+
￥22.649
500+
￥22.2372

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10-3000MHz反射式SPDT射频开关

型号：PE4250MLI-Z 编号：C3303973

封装：MSOP-8

品牌：pSemi(游隼半导体)

10-3000MHz反射式单刀双掷(RFSPDT)射频开关，适用于通用切换应用和移动基础设施。提供灵活的3.3/5V电源电压，单引脚或互补引脚控制输入，4000VESD耐受能力。

1+
￥8.57
200+
￥3.42
500+
￥3.31
1000+
￥3.25

订货

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GaAsSPDT射频开关，DC-3.0GHz

型号：MASWSS0192TR-3000 编号：C3304185

封装：SC-70-6(SOT-363)

MASWSS0192是一款GaAsPHEMTMMICSPDT开关，采用无铅SC-70(SOT-363)表面贴装塑料封装。该器件适用于要求体积小和成本低的应用。

1+
￥29.1879
20+
￥28.0014
100+
￥27.2895
200+
￥26.103
500+
￥25.6284

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GaAsSPDT射频开关DC-2.5GHz

型号：MASWSS0157TR-3000 编号：C3304454

封装：SOIC-8

MASWSS0157是一款GaAsMMICSPDT开关，采用无铅SOIC8引脚表面贴装塑料封装。该器件适用于低功耗要求的应用。

1+
￥31.2297
20+
￥29.9602
100+
￥29.1985
200+
￥27.929
500+
￥27.4212

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MASWSS0144TR-3000

型号：MASWSS0144TR-3000 编号：C7424544

封装：PQFN-12_3X3

1+
￥26.7525
20+
￥25.665
100+
￥25.0125
200+
￥23.925
500+
￥23.49

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10MHz-3.0GHz高隔离度射频开关

型号：4257-52 编号：C17421551

封装：QFN-20(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE4257是一款高隔离度UltraCMOS™开关，设计用于无线应用，覆盖从近10MHz到3000MHz的广泛频率范围。这款单电源SPDT开关集成了两针CMOS控制接口，并提供低插入损耗和极低的偏置要求，同时在单个+3伏电源下工作。

1+
￥9.51
200+
￥3.8
500+
￥3.67
1000+
￥3.61

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2.5GHzGaAsSPST射频开关

型号：MASWSS0162TR-3000 编号：C3304455

封装：SOIC-8

MASWSS0162是一种采用无铅SOIC-8引脚表面贴装塑料封装的GaAsMMICSPST开关。适用于低功耗要求的应用，如收发切换、开关矩阵和切换滤波器组系统，例如无线电和蜂窝设备、PCM、GPS、光纤模块和其他电池供电的无线电设备。

1+
￥32.9517
20+
￥31.6122
100+
￥30.8085
200+
￥29.469
500+
￥28.9332

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GaAs宽带DPDT分集开关0.5-3.0GHz

型号：MASWSS0130TR-3000 编号：C17613733

封装：PQFN-12(3x3)

M/A-COM的MASWSS0130是一款宽带GaAsPHEMTMMICDPDT分集开关，采用低成本、无铅3mm12引脚PQFN塑料封装。MASWSS0130非常适合要求非常小尺寸和低成本的应用。典型应用包括采用两根天线进行发射和接收分集的WLANIEEE802.11b/g系统。该DPDT开关设计用于高功率，优化了在2.4GHz下的高线性度。

1+
￥34.5876
20+
￥33.1816
100+
￥32.338
200+
￥30.932
500+
￥30.3696

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5MHz-3GHzUltraCMOS射频开关

型号：PE4256MLIAA-Z 编号：C2654722

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

5MHz-3GHzUltraCMOS射频开关，适用于CATV应用，集成75Ω终端，提供低插入损耗和高隔离度。

数据手册

1+
￥10.28
200+
￥3.98
500+
￥3.84
1000+
￥3.77

订货

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高隔离度CATV射频开关

型号：MASWSS0103TR 编号：C17583198

封装：PQFN-20(4x4)

MASWSS0103是一款采用GaAsPHEMT工艺制造的单刀双掷(SPDT)射频开关，封装在无铅4mm20引脚PQFN中。该开关适用于需要低控制电压、高隔离度、小尺寸和低成本的应用。

1+
￥11.42
200+
￥4.56
500+
￥4.41
1000+
￥4.33

订货

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5-6000MHz高性能SPDT射频开关

型号：PE42426A-Z 编号：C2654725

封装：QFN-12-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42426是一款基于HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关，适用于陆地移动无线电（LMR）和其他通用切换应用。该开关采用Peregrine的UltraCMOS工艺制造，提供GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性。

数据手册

1+
￥12.95
200+
￥5.01
500+
￥4.84
1000+
￥4.75

订货

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高隔离度CATV射频开关

型号：4270-52 编号：C2654763

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE4270是一款高隔离度SPSTCATV开关，设计用于CATV应用，覆盖1至3000MHz的宽频带。这款单电源SPST开关提供单针CMOS控制接口，具有行业领先的CTB性能。

数据手册

1+
￥13.55
200+
￥5.25
500+
￥5.06
1000+
￥4.97

订货

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5MHz-3GHzUltraCMOS射频开关

型号：4256-52 编号：C2151899

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：pSemi(游隼半导体)

5MHz-3GHzUltraCMOS射频开关，适用于CATV应用，集成75Ω终端，提供低插入损耗和高隔离度。

数据手册

1+
￥14.15
200+
￥5.48
500+
￥5.29
1000+
￥5.19

订货

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50-3000MHzSP4T射频开关

型号：PE423641MLAA-Z 编号：C2151907

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE423641是一款基于HaRPTM技术增强的反射式SP4T射频开关，支持50-3000MHz的频率范围，适用于多种无线应用，如蜂窝天线频段切换、汽车信息娱乐和交通安全应用。

数据手册

1+
￥14.34
200+
￥5.55
500+
￥5.36
1000+
￥5.26

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GaAs高隔离度射频开关，DC-3.0GHz

型号：MASWSS0169TR-3000 编号：C3303963

封装：MSOP-10

MASWSS0169是一个GaAsMMICSPDT开关，采用无铅MSOP-10表面贴装塑料封装。该部件适用于高隔离度、宽带切换要求，典型应用包括合成器切换、发射/接收切换、开关矩阵和滤波器组等系统，如无线电和蜂窝设备、PCM、GPS和光纤模块。

1+
￥48.9294
20+
￥46.9404
100+
￥45.747
200+
￥43.758
500+
￥42.9624

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0.01-3.0GHz高隔离度终止SPDT射频开关

型号：MASWSS0178TR-3000 编号：C17534598

封装：MSOP-8-EP

MASWSS0178GaAs单片开关提供高隔离度，采用无铅塑料表面贴装封装。

1+
￥45.7683
20+
￥43.9078
100+
￥42.7915
200+
￥40.931
500+
￥40.1868

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