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HMC550A是一款低成本、低插入损耗、低电流消耗的单刀单掷(SPST)安全开关，采用6引脚SOT26封装。适用于需要低插入损耗和低电流消耗的应用，如RFID、ISM、汽车和便携式标签等。

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型号：MMS008PP3/TR 编号：C1513112

封装：VFQFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MMS008PP3是一款DC至8GHz的非反射砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)单刀四掷(SP4T)微波单片集成电路(MMIC)开关，采用3mmx3mm表面贴装塑料无引脚封装。该开关在DC至8GHz频段内提供平均40dB的隔离度，同时保持1.8dB的低插入损耗。该开关包括一个片上二进制2:4解码电路，减少了所需的逻辑控制线。控制电压为0/-5V，固定偏置为-5V。

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￥225.126 / 个

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型号：PE42850B-X 编号：C2654728

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42850是基于HaRPTM技术增强的SP5T高功率射频开关，支持高达1GHz的无线应用。提供最大连续波功率处理能力42.5dBm，具有高线性和优异的谐波性能。

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型号：HMC270AMS8GE 编号：C1526256

封装：MSOP-8-EP

HMC270AMS8GE是一款宽带非反射型GaAsSPDT开关，适用于DC到8GHz的应用。它提供出色的隔离度，从70到35dB，并采用低成本的8引脚MSOP封装。

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型号：HMC1084LC4 编号：C1526248

封装：QFN-24(4x4)

HMC1084LC4是一款宽带反射式GaAsMESFETSP4T开关，封装在紧凑的4x4mm陶瓷SMT封装中。覆盖23-30GHz频段，提供高隔离度和低插入损耗。该开关通过0/-3V逻辑控制，具有快速切换速度和低直流电流消耗。

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￥180.16 / 个

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型号：ADRF5130BCPZ 编号：C579323

封装：LFCSP-24(4x4)

ADRF5130是一款高功率、反射式、单刀双掷（SPDT）射频开关，工作频率范围为0.7GHz至3.8GHz。该器件具有高功率处理能力（最大43dBm），低插入损耗（0.6dB@2GHz，0.7dB@3.5GHz），高隔离度（50dB@2GHz，46dB@3.5GHz），以及高线性度（0.1dB压缩点为46dBm，输入三阶截点为68dBm@2GHz）。它采用紧凑的24引脚4mm×4mmLFCSP封装，适用于蜂窝基础设施、无线基础设施、高可靠性应用以及测试设备。

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型号：HMC321ALP4E 编号：C1526237

封装：LFCSP-24(4x4)

GaAsMMICSP8T非反射式正控制开关，DC-8GHz

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型号：HMC427ALP3E 编号：C1558611

封装：SMT-16(3x3)

HMC427ALP3E是一款低损耗宽带正控传输开关，采用无引脚表面贴装封装。覆盖DC至8GHz，提供高隔离度和低插入损耗。开关使用0/+5V正控电压，固定偏置为+5V，电流小于20μA。

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￥353

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型号：HMC244AG16 编号：C605844

封装：SMT-16(5.8x5.8)

HMC244AG16是一款非反射型单刀四掷（SP4T）射频开关，采用16引脚玻璃/金属（密封）封装。其工作频率范围从直流到4GHz，提供30~50dB的隔离度和0.9dB的低插入损耗（3GHz以下）。集成2:4TTL/CMOS兼容解码器，仅需2条控制线和正5V偏置即可选择每条路径。

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型号：HMC8800 编号：C605911

封装：-

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￥3403.52
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￥3239.01

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型号：HMC-C583 编号：C605996

封装：-

0.1GHz至40GHzSPST开关

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￥25867.34
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￥24617.08

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型号：RFASWE660DTF03 编号：C2859383

封装：QFN-20-EP(2.4x2.4)

品牌：Walsin(华新科)

RFASWE660DTF03是一款单刀十掷（SP10T）天线开关，集成了移动行业处理器接口（MIPI）控制器。采用先进的开关技术，保持低插入损耗和高隔离度，适用于UMTS、CDMA2000、EDGE、GSM和LTE应用。

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￥0.3041
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型号：BAP65-03,115 编号：C2997934

封装：SOD-323

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型号：2081956-1 编号：C3302986

封装：SMD

品牌：TE Connectivity(泰科电子)

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￥0.6524
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￥0.518
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￥0.4508
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￥0.36
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型号：RFASWK694CTF09 编号：C20622901

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：Walsin(华新科)

RFASWK694CTF09是一款适用于天线调谐应用的单刀四掷(SP4T)开关，具有非常低的导通电阻和关断电容。该开关提供强大的功率处理能力和简单的2位GPIO控制，并且具有非常低的直流功耗。

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￥0.6885
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￥0.6628
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型号：RFASWHH1416ATF09 编号：C127624

封装：QFN-14-EP(2x2)

品牌：Walsin(华新科)

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￥2.56
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￥2.05
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￥1.84
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型号：BAP50-05,215 编号：C2687972

封装：SOT-23

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型号：BAP64-02,115 编号：C2687847

封装：SOD-523

平面PIN二极管,采用SOD523超小型塑料贴片封装。

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￥2.3316

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型号：UPG2179TB-E4-A 编号：C3312585

封装：TSSOP-6

μPG2179TB是一款适用于L、S波段的GaAsMMIC单刀双掷（SPDT）射频开关，设计用于移动电话和其他L、S波段应用。该器件可以通过2.5至5.3V的控制电压进行切换操作，工作频率范围为0.05至3.0GHz，具有低插入损耗和高隔离度。

50+
￥9.67836
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￥6.485329
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型号：BFU730LXZ 编号：C5196272

封装：SOT-883C

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型号：F2910NBGP8 编号：C17343532

封装：VFQFPN-8(2x2)

F2910是一款高可靠性、低插入损耗的50Ω吸收型单刀单掷（SPST）射频开关，设计用于多种无线和RF应用。该设备覆盖从30MHz到8000MHz的广泛频率范围。除了提供低插入损耗外，F2910还提供了出色的线性和隔离性能，并在隔离模式下提供50Ω的终端。F2910包括一项专利待决的恒定阻抗Kz功能，用于RF2端口。Kz在切换RF端口时保持近似恒定的阻抗，提高了热切换的坚固性。Kz最小化了VSWR瞬变，并减少了相位和幅度变化。

50+
￥8.952732
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￥7.345831
500+
￥5.999096
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￥5.142082

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型号：F2912NCGI8 编号：C1511998

封装：TQFN-20-EP(4x4)

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￥9.41
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￥9.24
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￥9.08

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型号：F2977NEGK8 编号：C1512005

封装：QFN-12-EP(2x2)

F2977是一款高线性度、宽带单刀双掷（SP2T）反射式射频开关，支持从30MHz到6GHz的多种无线射频应用。该设备使用单一正供电电压（+3.3V或+5.0V），兼容1.8V或3.3V控制逻辑。

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￥11.62
200+
￥4.5
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￥4.26

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型号：F2911NBGP 编号：C1558618

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

F2911是一款高可靠性、低插入损耗的单刀单掷（SPST）射频开关，适用于多种无线和射频应用。该设备覆盖1MHz到3500MHz的宽频率范围，提供低插入损耗、高隔离度和出色的线性度。

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￥20.69
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￥17.71
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型号：F2923NCGI 编号：C1526242

封装：TQFN-20-EP(4x4)

F2923是一款低插入损耗的50ΩSP2T吸收式常阻抗射频开关，适用于多种无线和其他射频应用。该设备覆盖300kHz至8000MHz的频率范围，提供低插入损耗、高隔离度和优秀的线性度。

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￥32.81
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￥32.05
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￥31.55
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型号：F2933NBGP 编号：C17328790

封装：QFN-16(4x4)

F2933是一款高可靠性、低插入损耗的50ΩSP2T吸收型射频开关，设计用于多种无线和其他RF应用。该设备覆盖从50MHz到8000MHz的宽频率范围。

1+
￥38.26
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￥33.15
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￥30.05
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￥27.44

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型号：F2933NBGP8 编号：C1511999

封装：QFN-16-EP(4x4)

F2933是一款高可靠性、低插入损耗的50ΩSP2T吸收式射频开关，适用于多种无线和其他射频应用。该设备覆盖从50MHz到8000MHz的广泛频率范围。

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￥41.13
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￥40.18
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￥39.55
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￥38.92

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型号：F2915NBGK 编号：C440650

封装：QFN-24-EP(4x4)

F2915是一款高可靠性、低插入损耗的五端射频开关，适用于多种射频应用，包括无线通信。该器件覆盖了从50MHz到8000MHz的宽频率范围，提供低插入损耗、优秀的线性和隔离性能，并且在未使用的射频输入端口提供50Ω终端。

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￥50.18
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￥49.08
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￥48.34
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￥47.6

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型号：F2914NBGK 编号：C258003

封装：VFQFPN-24(4x4)