射频开关_厂家_价格_品牌_库存

型号：SGM12033AYULR16G/TR 编号：C5153351

封装：ULGA-16(2x2)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM12033A是一款支持0.4GHz至5.8GHz频率范围的三极三掷（3P3T）射频开关，具有低插入损耗和高隔离度性能。

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￥9.26
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￥7.39
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￥6.36
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￥5.2

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型号：HMC595AE 编号：C208532

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

HMC595AE是一种低成本、高性能的单刀双掷(SPDT)射频开关，适用于高功率传输/接收应用。该器件可在DC至3GHz的频率范围内控制信号，并具有非常低的失真。典型应用场景包括蜂窝/3G基础设施、WLAN、WiMAX和WiBro等。

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型号：SGM72003YURK9G/TR 编号：C5153358

封装：UTQFN-9L(1.1x1.1)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM72003是一款单刀三掷(SP3T)射频开关，支持从0.1GHz到3GHz的频率范围。该器件具有低插入损耗和高隔离度，适用于高线性度接收应用。它还具有高线性度性能，不受蜂窝干扰，适用于多模和多频段LTE手机。

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型号：SGM72004AYULA9G/TR 编号：C5153355

封装：ULGA-9L(1.1x1.1)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM72004A是一个单刀四掷(SP4T)射频开关，支持从0.1GHz到3GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度，适用于高线性度接收应用。它还具有高线性度性能，不受蜂窝干扰，适用于多模和多频段LTE手机。

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型号：SGM72002YUEC6G/TR 编号：C5153357

封装：UTDFN-6L(0.7x1.1)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM72002是一款单刀双掷(SPDT)射频开关，支持从0.1GHz到3GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度，适用于高线性和3G/4G传输/接收(TRx)应用。此外，它还具有高线性性能，不受蜂窝干扰，适用于多模和多频带LTE手机。

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型号：BGSA403ML10E6327XTSA1 编号：C3303384

封装：TSLP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BGS 18MA12 E6327 编号：C534216

封装：QFN-12(1.1x1.9)

品牌：Infineon(英飞凌)

这一SP8T RF开关是基于LTE、WCDMA和TDCDMA的多模式手机的理想解决方案。具有出色的RF性能。超低插入损耗有助于客户实现高系统灵敏度，对LTE Tx功率和6 GHz的覆盖实现了非常广泛的应用。其特点是无直流RF端口，仅当外部施加直流电压时，才需要在RF端口使用外部直流阻隔电容。其片上MIPI RFFE 2.0控制器与行业标准完全兼容。

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￥14.8
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￥12.57
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￥8.82

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型号：BGSX44MU18E6327XUSA1 编号：C3304091

封装：WLGA-18

品牌：Infineon(英飞凌)

RF CMOS开关专为LTE和5G FR1四天线应用而设计。这款4P4T交叉开关具有低插入损耗和低谐波产生的特点。该开关通过MIPI RFFE控制接口进行控制。片上控制器允许电源电压为1.65至1.95V。该开关具有直接连接电池的功能和无直流的RF端口。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要在RF端口使用外部直流阻断电容。该器件尺寸非常小，仅为2.0mm×2.4mm，厚度为0.63mm。

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￥14.98
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￥12.57
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￥11.05
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型号：ADG918BRMZ-500RL7 编号：C207406

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADG918/ADG919是使用CMOS工艺制造的宽带开关，提供高隔离度和低插入损耗，适用于1GHz以下的频率范围。ADG918是吸收型（匹配）开关，具有50Ω终止的分流腿，而ADG919是反射型开关。

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单价：
￥22.3992 / 个

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型号：ADG901SCPZ-EP 编号：C657692

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADG901-EP是一款宽带射频开关，采用CMOS工艺制造，提供高达1GHz的高隔离度和低插入损耗。该开关具有50Ω匹配的分流腿，可在直流到1GHz的频率范围内保持高隔离度。内置CMOS控制逻辑，无需外部控制电路。低功耗使其非常适合无线应用。

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单价：
￥45.3816 / 个

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型号：HMC536LP2TR 编号：C662623

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC536LP2(E)是一款从DC到6GHz的GaAsMMICT/R开关，采用无引脚2x2mmDFN表面贴装封装，带接地焊盘。该开关适用于蜂窝、WiMAX和WiBro接入点及订户应用，具有低0.6dB插入损耗和高+54dBm输入IP3。其功率处理能力在6GHz以下表现出色，开关控制电压为+3V或+5V。

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单价：
￥64.4544 / 个

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型号：ADG901BCPZ-500RL7 编号：C657690

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADG901/ADG902是宽带开关，采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺，提供高达1GHz的高隔离度和低插入损耗。ADG901是吸收型（匹配）开关，具有50Ω终端分流腿，而ADG902是反射型开关。

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单价：
￥22.1616 / 个

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型号：JSW6-33DR+ 编号：C5157091

封装：SMD-16P

品牌：Mini-Circuits

JSW6-33DR+是一款高功率反射式六位单刀多掷射频开关，采用绝缘体上硅工艺制造，具有非常高的IP3，内置CMOS驱动器和负电压布局。

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￥35.85942
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￥34.40172
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￥33.5271
200+
￥32.65248
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￥32.0694

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型号：SKY13377-313LF 编号：C105630

封装：DFN-6(2x3)

品牌：SKYWORKS

SKY13377-313LF是一款GaAspHEMT单刀双掷(SPDT)高功率射频开关，具有50Ω终端输出。该开关具有高线性度和低插入损耗，适用于WiMAX和WLAN应用。

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10+
￥39.934548
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￥34.453334
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￥31.712729

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型号：HMC596LP4E 编号：C1558585

封装：TQFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

CMOS4x2开关矩阵，采用SMT封装，0.2-3.0

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￥25.74
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￥22.07
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￥17.67
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￥16.65
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￥16.2

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型号：HMC546LP2E 编号：C879522

封装：DFN-6(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC546LP2E是一种高可靠性SPDT射频开关，采用无引脚DFN封装，适用于窄带应用。该开关在传输和接收路径中提供非常低的失真和高达10W的功率处理能力。

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￥30.97
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￥26.55
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￥23.92
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￥21.26
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￥20.04
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￥19.48

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型号：HMC550AE 编号：C208300

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

HMC550AE是一款低成本、低插入损耗、低电流消耗的单刀单掷(SPST)安全开关，采用6引脚SOT26封装。适用于需要低插入损耗和低电流消耗的应用，如RFID、ISM、汽车和便携式标签等。

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单价：
￥43.7184 / 个

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型号：HMC646LP2E 编号：C1558584

封装：WDFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC646LP2(E)是一种适用于传输/接收和LNA保护应用的GaAsMMICSPDT开关，具有低失真和高功率处理能力，最高可达40瓦，占空比小于10%。

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￥34.67
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￥29.88
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￥26.96
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￥24.52

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型号：ADG918BCPZ-500RL7 编号：C657700

封装：LFCSP-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

ADG918/ADG919是使用CMOS工艺制造的宽带开关，提供高隔离度和低插入损耗，适用于1GHz以下的频率范围。ADG918是吸收型（匹配）开关，具有50Ω终止的分流腿，而ADG919是反射型开关。

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100+
￥45.54
1000+
￥44.298

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型号：HMC197BE 编号：C207689

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

HMC197BE是一款低成本的单刀双掷(SPDT)开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适用于需要非常低的插入损耗和非常小尺寸的通用切换应用。该器件可控制从直流到3GHz的信号，特别适合900MHz、1.8-2.2GHz和2.4GHzISM应用，插入损耗小于1dB。

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1+
￥36.09
10+
￥35.34
50+
￥34.84
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￥34.34

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型号：M3SWA-2-50DRA+ 编号：C7501178

封装：SMD

品牌：Mini-Circuits

M3SWA-2-50DRA+是一款高隔离快速切换吸收型SPDT开关，集成了CMOS驱动器，可在单正电源电压下工作，同时消耗50μA的典型电流。它设计用于宽带操作，封装在一个小巧的3.25mmx3.25mm、8引脚封装中，通过250VESD(HBM)测试。

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￥29.994042
20+
￥28.774772
100+
￥28.04321
200+
￥27.311648
500+
￥26.82394

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型号：HMC596LP4ETR 编号：C661874

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC596LP4和HMC596LP4E是低成本的4x2射频开关矩阵，采用无引脚QFN4x4mm表面贴装封装，适用于200至3000MHz的卫星/DBS、LNB和多切换系统。集成CMOS兼容4位解码器，单正电源Vdd=+5V。

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单价：
￥41.5908 / 个

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型号：PE42441E-Z 编号：C3312869

封装：LGA-32(5x5)

品牌：pSemi(游隼半导体)

PE42441是一款基于HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关，适用于多种市场，包括无线基础设施、宽带和无线连接。

1+
￥27.52002
20+
￥26.40132
100+
￥25.7301
200+
￥25.05888
500+
￥24.6114

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型号：HMC536LP2E 编号：C879521

封装：TDFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC536LP2(E)是一款从DC到6GHz的GaAsMMICT/R开关，采用无引脚2x2mmDFN封装，具有暴露的接地焊盘。该开关适用于蜂窝、WiMAX和WiBro接入点及订阅者应用，具有低0.6dB的插入损耗和高+54dBm的输入IP3。在高达6GHz的频率范围内，该开关的功率处理能力优秀。

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1+
￥46.54
10+
￥43.2
50+
￥42.48
100+
￥41.76

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型号：ADG936BRUZ 编号：C657707

封装：TSSOP-20

品牌：ADI(亚德诺)

宽带4GHz、36dB隔离(1GHz)、CMOS1.65V至2.75V、双SPDT开关

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单价：
￥32.8212 / 个

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型号：HMC199AMS8E 编号：C1526245

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

HMC199AMS8E是一款集成双SPDT开关的低成本组件，采用8引脚MSOP封装，覆盖DC到2.5GHz的频率范围。该组件提供低插入损耗，适用于蜂窝、ISM基站和PCS等应用。

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1+
￥51.16
10+
￥44.61
50+
￥36.93
100+
￥33.58

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型号：HMC536MS8GE 编号：C1558628

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

HMC536MS8G和HMC536MS8GE是从DC到6GHz的GaAsMMICT/R开关，采用8引脚MSOP封装，具有暴露的接地焊盘。这些开关适用于蜂窝/PCS/3G基站应用，具有低0.5dB插入损耗和+55dBm输入IP3。功率处理能力在6GHz以下非常出色，开关在+3伏控制下提供+29dBm的P0.1dB压缩点。

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单价：
￥39.096 / 个

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型号：HMC574MS8ETR 编号：C208241

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

HMC574MS8和HMC574MS8E是低成本的8引脚MSOP封装SPDT开关，适用于高功率水平下的低失真传输/接收应用。这些设备可以控制从DC到3GHz的信号，特别适合于蜂窝/3G基础设施、WiMAX和WiBro应用，具有0.3dB的典型插入损耗。

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5+
￥56.167152
10+
￥53.046756
100+
￥45.765828
1000+
￥42.125364

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型号：HMC1055LP2CE 编号：C1526252

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC1055是一款低成本、砷化镓（GaAs）单刀单掷（SPST）射频开关，采用表面贴装LFCSP封装。该开关在单正电源电压下工作，具有低插入损耗、高隔离度和出色的三阶互调性能。

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1+
￥74.01
10+
￥64.14
50+
￥52.56
100+
￥47.52

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型号：HMC322ALP4E 编号：C1558622

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

HMC322ALP4E是一款宽带非反射式GaAsMESFETSP8T射频开关，采用低成本无引脚表面贴装封装。覆盖DC至8GHz的频率范围，提供高隔离度和低插入损耗。该开关还集成了一个3:8TTL解码电路，减少了所需的逻辑控制线到三条。开关使用-5V控制电压，并需要固定的-5V偏置。适用于50-Ohm或75-Ohm系统。

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￥80.05
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