射频开关_厂家_价格_品牌_库存

型号：HMC190BMS8E 编号：C1558619

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

GaAsMMICSPDT开关SMT，DC-3GHz

数据手册

1+
￥37.15
10+
￥36.33
30+
￥35.79
100+
￥35.24

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型号：PE42562A-X 编号：C24834148

封装：QFN-24

品牌：pSemi(游隼半导体)

是一款采用HaRP™技术增强的吸收式SP6T射频开关，支持9 kHz至8 GHz的频率范围。外部VSS引脚可用于绕过内部负电压发生器，以实现无杂散性能。它具有高隔离度、低插入损耗和快速切换时间，适用于高达8 GHz的测试与测量以及无线应用中的滤波器组切换和射频信号路由。如果射频端口上不存在直流电压，则无需阻塞电容。采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的先进绝缘体上硅（SOI）技术。pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。

1+
￥77.05
10+
￥74.76

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型号：1SV308(TPH3,F) 编号：C22452384

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于VHF调谐器频段切换应用，小封装，低串联电阻，小总电容。

3000+
￥0.3105
9000+
￥0.3024

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型号：FM1022 编号：C2857393

封装：QFN-10(1.1x1.5)

品牌：FM(富满)

数据手册

5+
￥0.4283
50+
￥0.4188
150+
￥0.4125
500+
￥0.4061

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型号：XMSSJR6G0BA-093 编号：C5143732

封装：-

品牌：muRata(村田)

5+
￥1.16
50+
￥1.12
150+
￥1.09
500+
￥1.07

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型号：SGM72004BYURB14G/TR 编号：C5153365

封装：UTQFN-14L(2x2)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

1+
￥1.5509
10+
￥1.158
30+
￥0.9897
100+
￥0.7796

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型号：SGM72008YURB14G/TR 编号：C5153367

封装：UTQFN-14L(2x2)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM72008是一款单刀八掷(SP8T)天线开关，支持0.1GHz至3GHz的频率范围。该器件具有低插入损耗和高隔离度，适用于接收应用，并且具有高线性性能。SGM72008不受蜂窝干扰，适用于多模多频LTE移动电话。

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1+
￥1.5509
10+
￥1.158
30+
￥0.9897
100+
￥0.7796

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型号：SGM72006YURB14G/TR 编号：C5153366

封装：UTQFN-14L(2x2)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

SGM72006是一个单刀六掷（SP6T）射频开关，支持从0.1GHz到3GHz的频率范围。该设备具有低插入损耗和高隔离度，适合用于多模式和多频段的LTE手机。

数据手册

1+
￥1.5509
10+
￥1.158
30+
￥0.9897
100+
￥0.7796

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型号：XMSS1R6G0PA-001 编号：C910767

封装：SMD

品牌：muRata(村田)

1+
￥1.5532
10+
￥1.2407
30+
￥1.1068
100+
￥0.9397
500+
￥0.8653
1000+
￥0.8206

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型号：MMBF5103 编号：C463551

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

特性：该器件专为低电平模拟开关、采样保持电路和斩波稳定放大器而设计。采用工艺51制造。这是无铅和无卤化物器件

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单价：
￥0.59892 / 个

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型号：1SS351-TB-E 编号：C890109

封装：SC-59

品牌：onsemi(安森美)

1SS351 是一款肖特基势垒二极管，5V，30mA，0.69pF，双 CP，用于 UHF 检测器、混频器应用。

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单价：
￥0.9462 / 个

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型号：BGS 12PL6 E6327 编号：C534199

封装：XFDFN-6(0.7x1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

通用射频MOS功率开关旨在覆盖30 MHz至4 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。单刀双掷配置的对称设计提供了高设计灵活性。该单电源芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单输入CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。0.1 dB压缩点超过了开关35 dBm的最大输入功率水平，在所有信号电平下都具有线性性能。射频开关插入损耗非常低。

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