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外壳:JEDEC DO-214AC模制塑料。引脚:轴向引线,可根据MIL-STD-750方法2026进行焊接。极性:色带表示阴极。安装位置:任意
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  • 5000+

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  • 10000+

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  • IZT(mA)4
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      ¥0.3577
    • 300+

      ¥0.3129
    • 1000+

      ¥0.2792
  • 有货
  • IZT(mA)15.5
    数据手册
    • 10+

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    • 100+

      ¥0.3548
    • 300+

      ¥0.308
    • 1000+

      ¥0.2729
  • 有货
  • SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
    数据手册
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      ¥0.4721
    • 100+

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    • 300+

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    • 1000+

      ¥0.3011
    • 5000+

      ¥0.2191
    • 10000+

      ¥0.2054
  • 有货
  • IZT(mA)9.5
    数据手册
    • 10+

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    • 100+

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      ¥0.3405
    • 1000+

      ¥0.3068
  • 有货
  • 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):18V 稳压值(范围):17.1V~18.9V 精度:±5% 功率:1.5W
    • 5+

      ¥0.478895 ¥0.5041
    • 50+

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      ¥0.26068 ¥0.2744
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      ¥0.245575 ¥0.2585
  • 有货
  • 1SMA5938B 1.5W 36V LGE 938B
    数据手册
    • 10+

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    • 100+

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      ¥0.2349
  • 有货
  • 特性:完整电压范围:3.3至200V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流
    数据手册
    • 5+

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  • SMAJ 系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计。
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    • 10+

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  • 有货
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    数据手册
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    数据手册
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    数据手册
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  • IZT(mA)66.9
    数据手册
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    • 500+

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    • 2500+

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  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片。内置应变消除。低电感。高峰值反向功率耗散。低反向泄漏。适用于高功率额定值的稳压和限幅。符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

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    • 5000+

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  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V至68V。 人体模型静电放电等级3级(>16kV)。 平坦的操作表面,便于精确放置。 封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。 低剖面封装。 是MELF封装的理想替代品。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 这些是无铅器件
    数据手册
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      ¥0.606
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  • 有货
  • SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6148
    • 50+

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  • 有货
  • 特性:完整电压范围:3.3至200 V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流。 封装:SMA (DO-214AC) 模压塑料。 环氧树脂:UL94V-0级阻燃。 引脚:表面贴装成型引脚。 极性:色带表示阴极。 安装位置:任意。 重量:0.093克
    • 5+

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  • 有货
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  • 有货
  • 特性:总功率 1.0V。 齐纳电压 3.0V-300V。 标记条指示阴极。应用:稳压
    数据手册
    • 5+

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  • 有货
  • 特性:低轮廓封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。10/1000 μs波形下具有400 W峰值脉冲功率能力,重复率(占空比):0.01%(78 V以上为300 W)。出色的钳位能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击在IC、MOSFET、消费、计算机、工业、汽车和电信传感器单元信号线上引起的电压瞬变。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6369
    • 50+

      ¥0.5002
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  • 有货
  • 车规品
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  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片。 内置应力消除。 低电感。 高峰值反向功率耗散。 低反向泄漏。 适用于高功率额定值的稳压和限幅。 符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

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    • 150+

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    • 5000+

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  • 有货
  • 特性:完整的电压范围:3.3至200伏。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性
    数据手册
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    • 5000+

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  • 有货
  • 特性:400W 峰值脉冲功率耗散。 玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6507
    • 50+

      ¥0.5072
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    • 500+

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  • 有货
  • IZT(mA)76
    数据手册
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    • 500+

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  • 有货
  • 特性:1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

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  • 有货
  • 特性:1.0W 功率耗散。 非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。 标准 VZ 公差为 ±5%。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

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    • 2500+

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    • 5000+

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  • 有货
  • IZT(mA)147
    数据手册
    • 5+

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    • 500+

      ¥0.4871
    • 2500+

      ¥0.4396
  • 有货
  • SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。
    数据手册
    • 5+

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    • 50+

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      ¥0.5619
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    • 2500+

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    • 5000+

      ¥0.3606
  • 有货
  • 特性:标准齐纳击穿电压范围:-3.3V 至 68V。 人体模型静电放电等级 3 级(>16kV)。 平整的操作表面,便于精确放置。 封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。 低轮廓封装。 是 MELF 封装的理想替代品。 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 提供无铅封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8325
    • 50+

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    • 150+

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