天线接口_厂家_价格_品牌_库存

型号：1SMA5919A 编号：C713639

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：LGE(鲁光)

特性：完整电压范围 3.3 至 200 伏。高反向峰值功率耗散。高可靠性。低漏电流

数据手册

5+
￥0.8083
50+
￥0.6544
150+
￥0.5775
500+
￥0.5198
2500+
￥0.3766
5000+
￥0.3536

有货

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型号：SMAZ5V1-13-F 编号：C154748

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8127
50+
￥0.6521
150+
￥0.5718
500+
￥0.5116
2500+
￥0.4506

有货

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型号：SMAZ10-13-F 编号：C500781

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：1.0W 功率耗散。非常适合自动组装。 5.1V-39V 标称齐纳电压范围。标准 VZ 公差为 ±5%。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.8308
50+
￥0.6774
150+
￥0.6008
500+
￥0.5433
2500+
￥0.4973

有货

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型号：SMAJ5.0CA-E3/61 编号：C91198

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：VISHAY(威世)

VBR=7V， Vc=9.2V， Ipp=43.5A 双向

数据手册

5+
￥0.8624
50+
￥0.7017
150+
￥0.6214
500+
￥0.5611
1800+
￥0.4599
5400+
￥0.4358

有货

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型号：SMAJ60CA 编号：C151247

封装：DO-214AC(SMA)

品牌：Littelfuse(美国力特)

SMAJ系列专门设计用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响。

数据手册

5+
￥0.8729
50+
￥0.6962
150+
￥0.6079
500+
￥0.5417
2500+
￥0.4166
5000+
￥0.3901

有货

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型号：SMAJ30CA-E3/61 编号：C335772

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装。适合自动贴装。玻璃钝化芯片结。有单向和双向可选。 10/1000 μs 波形下具有 400 W 峰值脉冲功率能力，重复率（占空比）：0.01 %（78 V 以上为 300 W）。出色的钳位能力。应用：用于保护敏感电子设备，防止因电感负载开关和雷击在消费、计算机、工业、汽车和电信领域的 IC、MOSFET、传感器单元信号线上产生的电压瞬变。

数据手册

5+
￥0.9294
50+
￥0.7272
150+
￥0.6261
500+
￥0.5502
1800+
￥0.4896
5400+
￥0.4592

有货

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型号：SMAJ6.0A-TR 编号：C132934

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

数据手册

5+
￥0.938
50+
￥0.7315
150+
￥0.643
500+
￥0.5325
2500+
￥0.4834

有货

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型号：SMAJ12A-13-F 编号：C134947

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：400W 峰值脉冲功率耗散。玻璃钝化芯片结构。提供单向和双向版本。出色的钳位能力。快速响应时间。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

5+
￥0.9415
50+
￥0.7827
150+
￥0.7033
500+
￥0.6437
2500+
￥0.5961
5000+
￥0.5723

有货

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型号：SMAJ5.0CA-TR 编号：C123776

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.9417
50+
￥0.73
150+
￥0.6393
500+
￥0.526
2500+
￥0.4756
5000+
￥0.4454

有货

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型号：1SMA5920BT3G 编号：C141342

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0014
50+
￥0.7773
150+
￥0.6812
500+
￥0.5613
2500+
￥0.508
5000+
￥0.4759

有货

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型号：1SMA5939BT3G 编号：C238874

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：3.3V 至 68V。人体模型 3 级 ESD 等级（> 16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是 MELF 封装的理想替代品。 SZ1SMA59xxBT3G 符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 SZ 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

数据手册

5+
￥1.0798
50+
￥0.8581
150+
￥0.763
500+
￥0.6444
2500+
￥0.5476
5000+
￥0.5159

有货

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型号：1SMA5917BT3G 编号：C72594

封装：SMA

品牌：onsemi(安森美)

特性：标准齐纳击穿电压范围：-3.3V至68V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平坦的操作表面，便于精确放置。封装设计适用于顶部滑动或底部电路板安装。低剖面封装。是MELF封装的理想替代品。符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力-SZ1SMA59xxBT3G。 SZ前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。这些是无铅器件

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