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  • A77 RF放大器是一种离散混合设计,使用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出色。TO-8和表面贴装封装均为气密封装,并提供MIL-STD-883环境筛选。
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  • A5-6 RF放大器是一种离散混合设计,使用薄膜制造工艺,确保高性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计适用于宽频率范围。提供TO-8和表面贴装两种封装,密封性能良好,并可进行MIL-STD-883环境筛选。
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  • A101 RF放大器是一种离散混合设计,采用薄膜制造工艺,确保精确性能和高可靠性。这种推挽级联设计提供了低噪声系数和高线性度。表面贴装和TO-8封装均为气密封装,并可提供MIL-STD-883环境筛选。
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  • SMA611 RF放大器是一种离散薄膜混合设计,采用薄膜制造工艺,确保高性能和高可靠性。单级双极晶体管反馈放大器设计,适用于5到700 MHz的频率范围。内置有源直流偏置网络,用于温度稳定性能,并配有RF扼流圈,用于电源去耦。表面贴装封装为气密封装,可提供MIL-STD-883环境筛选。
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  • A45 RF放大器是一种离散混合设计,使用薄膜制造工艺,具有精确的性能和高可靠性。这种单级GaAs FET反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出色。RF扼流圈用于直流电源去耦。表面贴装和TO-8封装均为气密封装,并可提供MIL-STD-883环境筛选。
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  • SMA1 RF放大器是一款离散混合设计,使用高可靠性单级双极晶体管反馈放大器设计。提供TO-8和表面贴装两种封装,均为密封封装,并可进行MIL-STD-883环境筛选。
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  • SMA35 RF放大器是一种离散薄膜混合设计,采用了薄膜制造工艺,具有精确的性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出色。使用了主动直流偏置网络,确保温度稳定性能,并使用了RF扼流圈进行电源去耦。
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  • SMA78 RF放大器是一款离散薄膜混合设计,采用薄膜制造工艺,具有高精度性能和高可靠性。这款单级双极晶体管反馈放大器在宽带频率范围内表现出色。温度稳定的主动直流偏置网络和用于电源去耦的RF扼流圈也用于提高性能。
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  • A79 RF放大器是一种离散薄膜混合设计,采用薄膜制造工艺,具有精确的性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出色。使用主动直流偏置网络实现温度稳定的性能,并使用RF扼流圈进行电源去耦。
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  • SMA28 RF放大器是一款离散薄膜混合设计,采用了薄膜制造工艺,确保精确的性能和高可靠性。这款单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出色。使用主动直流偏置网络以实现温度稳定的性能,并使用RF扼流圈进行电源去耦。表面贴装和TO-8封装均密封,可提供MIL-STD-883环境筛选。
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  • A87 RF放大器是一款离散混合设计,使用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出色。使用阻抗变压器提供高动态范围和高效率。TO-8和表面贴装封装均为气密封装,并可进行MIL-STD-883环境筛选。
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  • A17 RF放大器是一款离散混合设计,使用薄膜制造工艺,确保高性能和高可靠性。这款单级双极晶体管反馈放大器在宽带频率范围内表现出色。提供TO-8和表面贴装两种封装,均为密封封装,并可进行MIL-STD-883环境筛选。
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  • A59 RF放大器是一种离散混合设计,使用薄膜制造工艺,确保高性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计具有宽频率范围。主动直流偏置网络确保温度稳定的性能。提供TO-8和表面贴装两种封装,且均为气密封装,可进行MIL-STD-883环境筛选。
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  • A73 RF放大器是一款离散混合设计,采用薄膜制造工艺,确保一致的性能和高可靠性。这款两级双极晶体管反馈放大器在宽带频率范围内表现出色。主动直流偏置网络确保温度稳定的性能。表面贴装和TO-8封装均为气密封装,并可提供MIL-STD-883环境筛选。
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