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双通道、功能型和增强型隔离式MOSFET栅极驱动器停产

型号：2EDF7235KXUMA1 编号：C2677067

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或增强（2EDSx）输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4A/8A）结合用作PWM数据耦合器，该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置

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1+
￥15.32
10+
￥12.89
30+
￥11.36

有货

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自振荡半桥驱动器

型号：IR2153SPBF 编号：C537596

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出

数据手册

1+
￥16.23
10+
￥13.65
30+
￥12.04

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集成自举二极管的160V、4A/8A半桥SOI栅极驱动器

型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744

封装：VSON-10(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

1+
￥17.19
10+
￥14.41
30+
￥12.68

有货

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快速、稳健、双通道、功能性和加强型隔离的MOSFET栅极驱动器，具有精确稳定的时序

型号：2EDS7165HXUMA1 编号：C5496118

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVERTM 2EDi是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，2EDi特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOSTM、OptiMOSTM、CoolSICT、CoolGaNTM）。该产品系列的栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计，针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更好的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4 A/8 A用于低欧姆功率MOSFET，1 A/2 A用于更高Rₒₙ MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）。1 A/2 A加强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器（如1EDNx 4 A/8A）结合用作PWM数据耦合器，放置在超结功率开关附近

1+
￥18.19
10+
￥15.66
30+
￥14.08
100+
￥12.45

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250mA 无刷直流BLDC电机驱动芯片 28V

型号：TLE95633QXXUMA1 编号：C3681080

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款多功能系统IC，采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装，集成了电源、通信接口、多个半桥和支持功能。该设备专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用，提供了主要功能，如5V低压差稳压器、一个支持CAN FD和CAN部分网络（包括FD容错模式）的HS-CAN收发器、三个用于BDLC电机控制的半桥、一个电流检测放大器和一个32位串行外设接口（SPI）。该设备包括诊断和监控功能，如漏源监测和开路负载检测、短路保护、可配置的超时和窗口看门狗以及过温保护。

1+
￥18.88
10+
￥16.06
30+
￥14.39

有货

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高低侧驱动器

型号：IR2011PBF 编号：C537538

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200伏的N沟道功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。

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1+
￥19.31
10+
￥18.83
30+
￥18.51

有货

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单通道隔离式IGBT驱动器

型号：1EDI3021ASXUMA1 编号：C17492860

封装：BFSOP-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER™ 栅极驱动器 1EDI3021AS 是一款高压 IGBT 驱动器，专为 5 kW 以上的汽车电机驱动设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低压和高压域之间提供电气隔离。该器件旨在支持 400 V、600 V 和 1200 V 的 IGBT 技术

1+
￥25.48
10+
￥24.84
30+
￥24.41

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36V电机驱动芯片

型号：IFX9201SG 编号：C112633

封装：SO-12-EP-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是通用的6A H桥，用于控制直流电机或其他感性负载。输出可进行频率高达20kHz的脉冲宽度调制，PWM/DIR控制可减少微控制器端所需的PWM引脚数量。当负载电流超过电流限制阈值（典型值8A）时，H桥进入斩波电流限制模式。具备短路和过温保护功能，可通过SPI进行全面诊断或通过错误标志提供基本反馈。可在桥禁用或感性负载PWM运行期间检测开路负载。坚固的PG-DSO-12-17封装，由于厚铜散热片，具有出色的热性能。散热片的突出边缘使封装适合自动光学焊接检测。

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单价：
￥16.35 / 个

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高压三相栅极驱动IC

型号：IRS2336DSTRPBF 编号：C538332

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2336xD 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，具备三个高端和三个低端参考输出通道，适用于三相应用。该集成电路设计用于搭配低成本自举电源；自举二极管功能已集成到该器件中，以减少元件数量和 PCB 尺寸。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术已应用于坚固的单片结构中

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1+
￥35.02
10+
￥30.09
30+
￥27.15

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5A 有刷直流电机驱动芯片 5.5V

型号：TLE72093RAUMA1 编号：C1882555

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE7209 - 3R是一款智能全H桥，专为安全关键应用和极端环境条件下的直流和步进电机控制而设计。该H桥具备过温保护和短路保护功能，并且所有电源电压*VS*（主直流电源）均设有欠压锁定功能。所有故障都会使输出级进入三态。该器件可通过DMS引脚进行配置。当该引脚接地时，器件通过简单的错误标志提供诊断信息。当VCC = 5 V供电时，器件工作在SPI模式。在这种模式下，可通过串行接口进行详细的故障诊断。

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1+
￥38.96
10+
￥33.74
30+
￥30.57

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TLE9189QUWXUMA1

型号：TLE9189QUWXUMA1 编号：C44859037

封装：TQFP-48

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥44.72
10+
￥43.74
30+
￥43.09

有货

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集成自举二极管和过流保护（OcP）的1200V三相栅极驱动器

型号：6ED2230S12TXUMA1 编号：C1849479

封装：DSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED2230S12T 是一款高压、高速 IGBT，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 TTL 输出兼容，低至 3.3V。

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1+
￥44.91
10+
￥38.74
30+
￥34.97

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单通道隔离式IGBT/SiC-MOSFET驱动器

型号：1EDI3050ASXUMA1 编号：C20189638

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式 IGBT/SiC 驱动器，采用无芯变压器技术。适用于高达 1200 V 的 IGBT/SiC-MOSFET。集成 SPI。共模瞬态抗扰度（CMTI）高达 150 V/ns（最高 1000 V）。应用：混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的牵引逆变器。高功率 DC/DC 转换器

1+
￥50.11
10+
￥42.65
30+
￥38.1

有货

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汽车应用高压IGBT驱动器，适用于逆变器系统的单通道隔离驱动器

型号：1EDI2002AS 编号：C530953

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥57.32
10+
￥55.37

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单路 IGBT 驱动 IC

型号：1ED020I12FTA 编号：C530920

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED020I12FTA是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT驱动器，具有电气隔离功能，典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容，可直接连接到微控制器。电气隔离的数据传输通过集成的无芯变压器技术实现

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1+
￥76.04
10+
￥72.2
30+
￥65.56

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单通道低端驱动器IC

型号：IRS44273LTRPBF 编号：C126909

封装：SOT-23-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS44273L是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。采用专有的抗闭锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

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10+
￥1.67805
100+
￥1.6159
200+
￥1.4916
1000+
￥1.42945
2000+
￥1.39216

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2EDN8533FXTMA1

型号：2EDN8533FXTMA1 编号：C3655592

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥2.72
10+
￥2.66
30+
￥2.62

有货

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单通道低端栅极驱动IC

型号：1ED44171N01BXTSA1 编号：C5876775

封装：SOT-23-5

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED44171N01B是一款低压、用于功率器件（如：IGBT、MOSFET）的同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容

1+
￥2.92
10+
￥2.85
30+
￥2.8

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200V 高端 TDI 栅极驱动 IC，适用于 GaN SG HEMT 和 MOSFET

型号：1EDN7126UXTSA1 编号：C6984478

封装：PG-TSNP-7-11

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道栅极驱动IC，针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性，可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计，包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。

1+
￥6.16
10+
￥4.99
30+
￥4.4

有货

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600V半桥栅极驱动器，带集成自举二极管

型号：2ED28073J06F 编号：C533056

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。

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1+
￥6.24
10+
￥6.1
30+
￥6

有货

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高、低端驱动器

型号：IRS2106STRPBF 编号：C538256

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2106/IRS21064是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥7.25
10+
￥6.01
30+
￥5.34

有货

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2EDL8124G3CXTMA1

型号：2EDL8124G3CXTMA1 编号：C5502862

封装：VDSON-10

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥7.3
10+
￥7.14
30+
￥7.04

有货

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带保护功能的三路半桥驱动器

型号：TLE94103EPXUMA1 编号：C2653457

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如后视镜x-y调节）而设计。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载

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1+
￥8.01
10+
￥7.8
30+
￥7.67

有货

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半桥驱动器

型号：IR25606STRPBF 编号：C537639

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR25606是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥8.46
10+
￥8.27
30+
￥8.15

有货

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120V 自举，3 A/4 A，结隔离式高端和低端栅极驱动 IC

型号：2EDL8123GXUMA1 编号：C3655103

封装：VDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

1+
￥8.6
10+
￥7.13
30+
￥6.32

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2EDN7533RXTMA1

型号：2EDN7533RXTMA1 编号：C3655599

封装：MSOP-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥10.21
10+
￥8.67
30+
￥7.7
100+
￥6.72

有货

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半桥驱动器

型号：IRS2304PBF 编号：C538317

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥10.27
10+
￥10.04
30+
￥9.89

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集成自举二极管的650V高端和低端栅极驱动器

型号：2ED2101S06FXUMA1 编号：C3655605

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2101S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。该驱动器具有出色的耐用性和抗噪性能，即使在 VS 引脚 (VCC = 15 V) 的负电压高达 -11 VDC 的情况下，也能在瞬态电压下保持逻辑正常工作。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁效应。

1+
￥10.48
10+
￥8.75
30+
￥7.79

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用于高压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的单通道功能型和强化型隔离栅极驱动集成电路（IC）

型号：1EDF5673F 编号：C530947

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolGaN™ 及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求，但其开关动态特性存在占空比依赖性，且在特定情况下缺乏负栅极驱动

数据手册

1+
￥11.22
10+
￥10.94
30+
￥10.75

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结合 CoolSiC、CoolMOS 和 EiceDRIVER，用于工业应用中的节能型开关电源（SMPS）设计

型号：2EDS9265HXUMA1 编号：C1870163

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

数据手册

1+
￥11.22
10+
￥10.93
30+
￥10.74

有货

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