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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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650V半桥栅极驱动器，集成自举二极管
型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288
封装：SOIC-14
品牌：Infineon(英飞凌)
是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。
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    1EDI40I12AH
    型号：1EDI40I12AH 编号：C533023
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    单通道驱动器
    型号：IR2118PBF 编号：C152176
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
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    半桥驱动器
    型号：IR21094SPBF 编号：C537551
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    自振荡半桥驱动器
    型号：IR21531SPBF 编号：C537595
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本，结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比，提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能，因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外，一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到，栅极驱动器输出脉冲宽度就相同，从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V，显著提高了抗噪性。最后，特别注意最大化器件的抗闩锁能力，并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
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    自振荡半桥驱动器
    型号：IR2153SPBF 编号：C537596
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2153D(S) 是广受欢迎的 IR2155 和 IR2151 栅极驱动集成电路的改进版本，集成了一个高压半桥栅极驱动器，其前端振荡器类似于行业标准的 CMOS 555 定时器。与早期的集成电路相比，IR2153 功能更丰富，使用更便捷。CT 引脚被设计有关断功能，因此可以使用低压控制信号禁用两个栅极驱动器输出
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    高端和低端驱动器
    型号：IR2106PBF 编号：C537545
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
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    IR2301SPBF
    型号：IR2301SPBF 编号：C537624
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    半桥驱动器
    型号：IR2109PBF 编号：C537552
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    集成自举二极管的160V、4A/8A半桥SOI栅极驱动器
    型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744
    封装：VSON-10(3x3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

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    48V/24V桥接驱动器
    型号：TLE9140EQWXUMA1 编号：C6881204
    封装：TSDSO-32
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该设备是一款48 V MOSFET栅极驱动器，与通用微控制器和MOTIX™ MCU兼容，可在24 V/48 V平台上驱动最多3个半桥。它具备保护功能，并可使用MOTIX™ MCU中集成的诊断功能。

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    IR2112SPBF
    型号：IR2112SPBF 编号：C2972
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    600V，高低侧驱动IC，门驱动供应电压范围：10V to 20V
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    单通道5.7kV（rms）带两级压摆率控制（2L - SRC）的隔离栅极驱动IC
    型号：1ED3240MC12HXUMA1 编号：C17229782
    封装：SOIC-8-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该系列是一组采用DSO-8 300 mil封装的单通道驱动IC。驱动IC可提供高达18 A的典型峰值输出电流。该系列实现了两级压摆率控制（2L-SRC），此功能允许控制两个独立的栅极电阻，从而优化EMI和开关损耗。该系列包括标准输出配置和具有相同电流额定值的有源米勒钳位输出配置，以防止寄生导通

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    电流限制单通道驱动器
    型号：IR2125SPBF 编号：C537563
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，带有过流限制保护电路。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至2.5V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并限制栅极驱动电压。逐个周期关断由外部电容器编程，该电容器直接控制过流限制条件检测和锁存关断之间的时间间隔。浮动通道可用于驱动工作电压高达500V的高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    单通道隔离式IGBT驱动器
    型号：1EDI3021ASXUMA1 编号：C17492860
    封装：BFSOP-20-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    EiceDRIVER™ 栅极驱动器 1EDI3021AS 是一款高压 IGBT 驱动器，专为 5 kW 以上的汽车电机驱动设计。该器件基于无芯变压器（CT）技术，可在低压和高压域之间提供电气隔离。该器件旨在支持 400 V、600 V 和 1200 V 的 IGBT 技术

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    单通道5.7 kV（有效值）隔离式栅极驱动IC，具备可调节的过饱和检测（DESAT）和软关断功能
    型号：1ED3431MU12MXUMA1 编号：C17536183
    封装：DSO-16
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED34x1Mc12M系列（X3模拟）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

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    具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器
    型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965
    封装：TSSOP-28
    品牌：Infineon(英飞凌)
    6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
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    8.6A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 5.25V
    型号：TLE82092SAAUMA1 编号：C2150693
    封装：DSO-20
    品牌：Infineon(英飞凌)
    设计用于安全关键型汽车应用中的直流电机控制。具有四个可选电流范围、两个可选压摆率设置，并可通过SPI进行广泛诊断。该设备监控数字电源电压VDD，在VDD过压或欠压时关闭输出级，从而在数字控制电路发生故障时提供安全的关断路径。为了在极端热条件下降低功耗，当结温超过165℃时，电流限制阈值会线性降低。SPI中会设置一个热警告位。两个半桥也可独立用于驱动两个单独的负载，如螺线管或单向直流电机。
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    5A 有刷直流电机驱动芯片 5.5V
    型号：TLE72093RAUMA1 编号：C1882555
    封装：DSO-20
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE7209 - 3R是一款智能全H桥，专为安全关键应用和极端环境条件下的直流和步进电机控制而设计。 该H桥具备过温保护和短路保护功能，并且所有电源电压*VS*（主直流电源）均设有欠压锁定功能。所有故障都会使输出级进入三态。 该器件可通过DMS引脚进行配置。当该引脚接地时，器件通过简单的错误标志提供诊断信息。当VCC = 5 V供电时，器件工作在SPI模式。在这种模式下，可通过串行接口进行详细的故障诊断。
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      ￥47.12

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    单通道隔离式IGBT/SiC-MOSFET驱动器
    型号：1EDI3050ASXUMA1 编号：C20189638
    封装：DSO-36
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：单通道隔离式 IGBT/SiC 驱动器，采用无芯变压器技术。 适用于高达 1200 V 的 IGBT/SiC-MOSFET。 集成 SPI。 共模瞬态抗扰度（CMTI）高达 150 V/ns（最高 1000 V）。应用：混合动力汽车（HEV）和电动汽车（EV）的牵引逆变器。 高功率 DC/DC 转换器

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    4A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 16.5V
    型号：IMM101T046MXUMA1 编号：C1854967
    封装：PQFN-38-EP(12x12)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一系列完全集成、可编程或可配置的高压电机驱动模块，专为高性能、高效率的永磁同步电机（PMSM）或无刷直流电机（BLDC）驱动应用而设计，如风扇、泵和压缩机。它集成了控制器、栅极驱动器和六个功率MOSFET。有“A”型和“T”型两种变体。“A”型包括一个完全可编程的ARM Cortex-M0控制器，而“T”型则采用了英飞凌专利的运动控制引擎（MCE）
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    • 1+

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    三相桥式驱动器
    型号：IR2130JPBF 编号：C537570
    封装：PLCC-32(16.6x16.6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。
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    IRS2108STRPBF
    型号：IRS2108STRPBF 编号：C538261
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    1EDN7146GXTMA1
    型号：1EDN7146GXTMA1 编号：C3654847
    封装：VSON-10
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    600V半桥栅极驱动器，带集成自举二极管
    型号：2ED28073J06F 编号：C533056
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。
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    带保护功能的三路半桥驱动器
    型号：TLE94103EPXUMA1 编号：C2653457
    封装：TSDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE94103EP是一款受保护的三路半桥驱动器，专为汽车运动控制应用（如后视镜x-y调节）而设计。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从三路输出到十二路输出、具有直接接口或SPI接口的半桥驱动器。这些半桥驱动器用于在顺序或并行操作中驱动直流电机负载
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    2EDN7533RXTMA1
    型号：2EDN7533RXTMA1 编号：C3655599
    封装：MSOP-8-EP
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    IRS2304PBF
    型号：IRS2304PBF 编号：C538317
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
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    结合 CoolSiC、CoolMOS 和 EiceDRIVER，用于工业应用中的节能型开关电源（SMPS）设计
    型号：2EDS9265HXUMA1 编号：C1870163
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相
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    AUIRS2118STR
    型号：AUIRS2118STR 编号：C533506
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
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