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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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    ¥17.98
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    ¥16.18
  • 有货
  • AUIRS2191S是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道,专为汽车AC/DC和DC/DC转换器应用而设计。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3V逻辑电平。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.453 ¥37.62
    • 10+

      ¥20.691 ¥37.62
    • 30+

      ¥16.929 ¥37.62
  • 有货
  • 1ED34x1Mc12M系列(X3模拟)由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成,其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能,可简化高可靠性系统的设计
    • 1+

      ¥24.9
    • 10+

      ¥24.27
    • 30+

      ¥23.85
  • 有货
  • AUIR3241S 是一款适用于背对背拓扑结构的高端 MOSFET 驱动器,主要用于背对背开关。其特点是在开启和关断状态下均具有极低的静态电流。AUIR3241S 集成了一个使用外部电感的升压型 DC/DC 转换器和一个栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥25.79
    • 10+

      ¥21.92
    • 30+

      ¥19.62
  • 有货
  • 特性:极低输出电阻。 扩展电源电压范围:12.5V至24V。 TTL/CMOS兼容输入。 CMOS施密特触发输入。 双通道匹配传播延迟。 输出与输入同相。应用:汽车通用双低侧驱动器。 栅极变压器驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥26.5966 ¥37.46
    • 10+

      ¥19.6786 ¥32.26
    • 30+

      ¥14.8767 ¥29.17
    • 100+

      ¥13.2855 ¥26.05
    • 500+

      ¥12.5511 ¥24.61
    • 1000+

      ¥12.2196 ¥23.96
  • 有货
  • TLE7184F是一款用于无刷电机控制的系统IC。它集成了一个为微控制器(μC)供电的电压源、一个适用于B6配置的桥驱动器、一个典型应用的PWM接口以及其他一些小功能。其目标是减少典型无刷直流(BLDC)汽车应用中分立元件的数量,并为特定定制适配提供足够的灵活性
    数据手册
    • 1+

      ¥34.1217 ¥36.69
    • 10+

      ¥26.228 ¥31.6
    • 30+

      ¥20.8561 ¥28.57
    • 100+

      ¥18.6223 ¥25.51
    • 500+

      ¥17.593 ¥24.1
    • 1000+

      ¥17.1258 ¥23.46
  • 有货
  • IRSM005 - 301MH是一款通用半桥器件,集成了栅极驱动器,采用极具吸引力的7x8mm PQFN封装。它是一个通用构建模块,适用于各种对功率密度至关重要的低压应用。典型示例包括先进的电机驱动器、直流 - 交流和直流 - 直流转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥34.76
    • 10+

      ¥29.94
    • 30+

      ¥27.07
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出,逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能,可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。
    数据手册
    • 1+

      ¥42.33
    • 10+

      ¥40.34
  • 有货
  • 控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件,在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术,在瞬态电压下具有出色的耐用性,器件中不存在寄生晶闸管结构,在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制,低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平,支持集成的超快自举二极管。此外,离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时,为晶体管提供固有的保护,防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。
    • 1+

      ¥43.77
    • 10+

      ¥37.42
    • 30+

      ¥33.55
  • 有货
    • 1+

      ¥46.03
    • 10+

      ¥39.58
    • 30+

      ¥35.66
  • 有货
  • 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出,逻辑电压低至2.5V。独立的运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还可以提供电流跳闸功能,用于终止所有六个输出。关断功能可用于终止所有六个输出。提供开漏故障信号,用于指示发生过流或欠压关断。故障状态可通过 FLT-CLR 引脚清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。
    数据手册
    • 单价:

      ¥46.6 / 个
  • 有货
    • 1+

      ¥55.89
    • 10+

      ¥48.41
    • 30+

      ¥43.85
  • 有货
  • 1ED38x0Mc12M系列(X3数字)由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成,其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能,可简化高可靠性系统的设计
    数据手册
    • 1+

      ¥62.64
    • 10+

      ¥53.31
    • 30+

      ¥47.63
  • 有货
  • 采用8引脚DSO、TSSOP和WSON封装,以及小型通用的6引脚SOT23封装。高输出电流能力,结合有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使其成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥2.06
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.97
    • 100+

      ¥1.94
  • 有货
  • 是单通道栅极驱动IC,优化用于驱动英飞凌CoolGaN™ SG HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET。该栅极驱动器包含几个关键特性,可实现使用快速开关晶体管的高性能系统设计,包括真差分输入(TDI)、四种驱动强度选项、有源米勒钳位、自举电压钳位和可调电荷泵。
    • 1+

      ¥2.74
    • 10+

      ¥2.68
    • 30+

      ¥2.64
    • 100+

      ¥2.6
  • 有货
  • EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动 IC 的新系列产品。由于采用了独特的全差分输入电路,具备出色的共模抑制能力,逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制,完全独立于驱动器的参考(接地)电位。这消除了误触发的风险,因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势,这是采用 4 引脚封装(开尔文源极连接)、高寄生 PCB 电感(长距离、单层 PCB)和双极栅极驱动的系统常见的问题
    数据手册
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.74
  • 有货
  • EiceDRIVER 1EDNx550 是单通道高端和低端栅极驱动器 IC 的 TDI 系列产品。TDI 系列具备全差分输入电路。真正的差分输入(TDI)提供出色的共模抗扰度(CMR),并消除误触发风险
    • 1+

      ¥2.88
    • 10+

      ¥2.81
    • 30+

      ¥2.76
  • 有货
  • 是单通道高端和低端栅极驱动器IC的TDI系列的一部分。TDI系列具有全差分输入电路。真正的差分输入(TDI)提供出色的共模抗扰度(CMR),并消除误触发的风险。小封装尺寸可在低端和高端驱动中实现灵活布局。适用于驱动器和系统接地之间存在不需要的电压偏移的任何应用,以及在允许的静态共模范围内(最大±200 V)的高端驱动。还可以轻松操作需要双极驱动电压的开关,利用TDI的共模电压处理能力。
    • 1+

      ¥5.41
    • 10+

      ¥4.31
    • 30+

      ¥3.76
  • 有货
    • 1+

      ¥6.94
    • 10+

      ¥5.76
    • 30+

      ¥5.11
  • 有货
  • IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.07
    • 10+

      ¥5.96
    • 30+

      ¥5.35
    • 100+

      ¥4.66
  • 有货
  • 2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通,防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,最高工作电压可达 650 V。
    • 1+

      ¥7.6
    • 10+

      ¥6.34
    • 30+

      ¥5.65
    • 100+

      ¥4.66
  • 有货
  • 是全桥变压器驱动器系列,可为开环隔离电源的输出提供高达13W的功率。针对多种开关(如TRENCHSTOP IGBT、OptiMOS MOSFET、CoolMOS超结MOSFET、CoolGaN高电子迁移率晶体管和CoolSiC MOSFET)的栅极驱动器进行了优化,可与EiceDRIVER栅极驱动器IC和其他类似产品配合使用。有41种可选的开关频率或可同步到外部PWM以适应变压器。有41种可选的占空比选项来调整输出电源电压。提供多种安全功能,如欠压锁定(UVLO)监控、过温保护、输出短路保护、平均过流保护、软启动和就绪输出。采用热增强型封装PG-TSSOP-8-1,引脚间距为0.65mm。
    • 1+

      ¥7.75
    • 10+

      ¥7.58
    • 30+

      ¥7.46
  • 有货
  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚上高达 -11 V的负电压 (VCC = 15 V) 瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,工作电压高达650 V。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.62
    • 10+

      ¥7.07
    • 30+

      ¥6.21
  • 有货
  • 是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚负电压高达 -11V DC(VCC = 15V)的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,其工作电压高达650V。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.38
    • 10+

      ¥9.16
    • 30+

      ¥9.02
  • 有货
  • IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥7.9
    • 30+

      ¥6.95
  • 有货
  • 2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入,以增强抗噪能力;而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入,以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性
    • 1+

      ¥10.66
    • 10+

      ¥9.02
    • 30+

      ¥8
    • 100+

      ¥6.95
  • 有货
  • 是一款双通道隔离栅极驱动IC,用于驱动Si MOSFET、SiC MOSFET和GaN功率开关。通过英飞凌无芯变压器(CT)技术实现隔离,保证了稳健的操作和行业基准共模抑制(CMTI)。高传播延迟精度和低通道间失配使其非常适合用于快速开关电源系统。此外,高CMTI、高反向电流能力和低于欠压锁定(UVLO)的快速输出钳位保证了应用中的可靠运行。
    • 1+

      ¥10.82
    • 10+

      ¥10.55
    • 30+

      ¥10.38
  • 有货
  • 2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC,旨在驱动硅(Si)MOSFET、碳化硅(SiC)MOSFET 和氮化镓(GaN)功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器(CT)技术实现隔离,此技术可确保稳定运行,并具备业界领先的共模抑制能力(CMTI)。
    • 1+

      ¥12.49
    • 10+

      ¥10.49
    • 30+

      ¥9.24
    • 100+

      ¥7.95
  • 有货
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