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2EP100RXTMA1

型号：2EP100RXTMA1 编号：C22814662

封装：TSSOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是全桥变压器驱动器系列，可为开环隔离电源的输出提供高达13W的功率。针对多种开关（如TRENCHSTOP IGBT、OptiMOS MOSFET、CoolMOS超结MOSFET、CoolGaN高电子迁移率晶体管和CoolSiC MOSFET）的栅极驱动器进行了优化，可与EiceDRIVER栅极驱动器IC和其他类似产品配合使用。有41种可选的开关频率或可同步到外部PWM以适应变压器。有41种可选的占空比选项来调整输出电源电压。提供多种安全功能，如欠压锁定（UVLO）监控、过温保护、输出短路保护、平均过流保护、软启动和就绪输出。采用热增强型封装PG-TSSOP-8-1，引脚间距为0.65mm。

1+
￥7.75
10+
￥7.58
30+
￥7.46

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120V 自举，3 A/4 A，结隔离式高端和低端栅极驱动 IC

型号：2EDL8123GXUMA1 编号：C3655103

封装：VDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

1+
￥8.95
10+
￥7.47
30+
￥6.66

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集成自举二极管的650V高端和低端栅极驱动器

型号：2ED2101S06FXUMA1 编号：C3655605

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2101S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。该驱动器具有出色的耐用性和抗噪性能，即使在 VS 引脚 (VCC = 15 V) 的负电压高达 -11 VDC 的情况下，也能在瞬态电压下保持逻辑正常工作。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁效应。

1+
￥10.48
10+
￥8.75
30+
￥7.79
100+
￥6.72

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带钳位功能的单通道隔离式栅极驱动IC

型号：1EDI30I12MFXUMA1 编号：C17183214

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDIxxI12MF 是采用 DSO - 8 窄体封装的单通道电气隔离式栅极驱动器，可提供高达 6.2 A 的输出电流，还集成了具有相同额定电流的有源米勒钳位电路，以防止寄生导通。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

1+
￥10.56
10+
￥8.86
30+
￥7.79

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12V高性能栅极驱动器

型号：CHL8510CRT 编号：C534889

封装：DFN-10L(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3537/CHL8510是一款高效栅极驱动器，可在同步降压转换器中驱动高端和低端N沟道外部MOSFET。它旨在与国际整流器公司（International Rectifier）的数字PWM控制器配合使用，为当今的先进计算应用提供完整的电压调节器（VR）解决方案。IR3537/CHL8510低端驱动器能够快速切换低导通电阻（RDS(on)）、高输入电容的大型MOSFET，适用于高效设计

数据手册

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￥10.9956 ￥16.17
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￥8.004 ￥13.8
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￥5.9088 ￥12.31
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￥5.1792 ￥10.79
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￥4.8528 ￥10.11
1000+
￥4.7088 ￥9.81

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单通道 IGBT 栅极驱动集成电路

型号：1EDI05I12AFXUMA1 编号：C5242002

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式IGBT驱动器。输入到输出隔离电压高达1200V。适用于高压功率IGBT。典型值高达10A

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￥11.144 ￥19.9
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￥9.5984 ￥17.14
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￥8.68 ￥15.5
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￥7.7504 ￥13.84
500+
￥7.3192 ￥13.07
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￥7.1288 ￥12.73

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高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器

型号：IR2108PBF 编号：C537548

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥12.0475 ￥15.25
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￥10.2879 ￥14.91
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￥8.6671 ￥14.69
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￥8.5314 ￥14.46

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高端和低端驱动器

型号：IRS21867SPBF 编号：C538313

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。低VCC工作特性使其适用于电池供电应用

数据手册

1+
￥13.55
10+
￥11.39
30+
￥10.03

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120V 自举，3 A/4 A，结隔离式高端和低端栅极驱动 IC

型号：2EDL8124GXUMA1 编号：C3655208

封装：VDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL8x2x是一款专为电信和数据通信应用等先进开关转换器设计的高端-低端驱动器。2EDL802x采用带内置迟滞的独立输入，以增强抗噪能力；而2EDL812x采用带内置迟滞的差分输入，以增强抗噪能力。2EDL812x固有的直通保护确保了系统的稳定性

1+
￥13.88
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￥11.78
30+
￥10.47

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结合 CoolSiC、CoolMOS 和 EiceDRIVER，用于工业应用中的节能型开关电源（SMPS）设计

型号：1EDB9275FXUMA1 编号：C1870162

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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1+
￥14.79
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￥12.56
30+
￥11.17

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650V半桥栅极驱动器，内置自举二极管

型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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1+
￥15.27
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￥12.86
30+
￥11.35

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高性能无传感器电机控制集成电路

型号：IRMCF171TY 编号：C538204

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

IRMCF171 是一款基于高性能闪存的运动控制 IC，主要为家电应用而设计。IRMCF171 旨在为先进的变频家电电机控制提供低成本、高性能的控制解决方案。IRMCF171 包含两个集成在单芯片上的计算引擎

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1+
￥15.953 ￥22.79
10+
￥13.368 ￥22.28
30+
￥10.975 ￥21.95
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￥10.805 ￥21.61

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60A集成PowlRstage

型号：IR3555MTRPBF 编号：C537670

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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1+
￥16.23
10+
￥13.67
30+
￥12.07

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半桥驱动器

型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥16.75
10+
￥16.36
30+
￥16.1

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单通道电流检测驱动器

型号：IRS2127PBF 编号：C538290

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥17.48 ￥18.4
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￥15.2915 ￥17.99
30+
￥13.29 ￥17.72
90+
￥13.0875 ￥17.45

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TDA21490 高频低轮廓DC-DC转换器电压调节器

型号：TDA21490AUMA1 编号：C3654867

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型 DC-DC 转换器，适用于 CPU、GPU 和大电流轨的电压调节器。TDA21490 功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，与高端和低端 MOSFET 共封装。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的组合，可在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。TDA21490 内部带有温度补偿的 MOSFET 电流检测算法，与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。保护功能包括具有可编程阈值的逐周期过流保护、VCC/VDRV 欠压锁定 (UVLO) 保护、自举电容欠压保护、相位故障检测、IC 温度报告和热关断。TDA21490 还具有自举电容自动补充功能，以防止过放电。TDA21490 具有深度睡眠节能模式，当多相系统进入 PS3/PS4 模式时，可大大降低功耗。高达 1.5 MHz 的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，在保持行业领先效率的同时，允许降低输出电感和输出电容值。TDA21490 针对服务器应用中的 CPU 核心电源传输进行了优化。能够满足服务器市场的严格要求，也使 TDA21490 非常适合为 GPU 和 DDR 内存设计供电。

1+
￥19.22
10+
￥16.33
30+
￥14.62

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十二通道半桥功率输出驱动

型号：TLE94112ESXUMA1 编号：C3655680

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE94112ES是一款带保护功能的12通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分，该系列提供从3路输出到12路输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器可用于顺序或并行驱动直流电机负载。正转（顺时针）、反转（逆时针）、制动和高阻抗等运行模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备短路、开路负载、电源故障和过温检测等诊断功能。结合其低静态电流特性，该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的散热性能，可减少PCB板空间和成本。

1+
￥21.33
10+
￥18.1
30+
￥16.18

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50A 集成式 PowlRstage

型号：IR3556MTRPBF 编号：C537671

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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1+
￥21.4959 ￥27.21
10+
￥18.354 ￥26.6
30+
￥15.458 ￥26.2
100+
￥15.222 ￥25.8

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三相栅极驱动器高压集成电路

型号：IRS2334SPBF 编号：C538321

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2334是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V

数据手册

1+
￥23.7318 ￥32.07
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￥20.5248 ￥32.07
30+
￥17.3178 ￥32.07

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低静态电流背对背MOSFET驱动器

型号：AUIR3241STR 编号：C533197

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIR3241S 是一款适用于背对背拓扑结构的高端 MOSFET 驱动器，主要用于背对背开关。其特点是在开启和关断状态下均具有极低的静态电流。AUIR3241S 集成了一个使用外部电感的升压型 DC/DC 转换器和一个栅极驱动器

数据手册

1+
￥25.79
10+
￥21.92
30+
￥19.62

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带集成驱动器的大电流PN半桥

型号：BTN9970LVAUMA1 编号：C3655537

封装：HSOF-7

品牌：Infineon(英飞凌)

BTN9970LV是一款用于电机驱动应用的集成大电流半桥。它属于集成半桥NovalithIC+系列，在一个封装中包含一个p沟道高端MOSFET和一个n沟道低端MOSFET以及一个集成驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需电荷泵，从而将电磁干扰（EME）降至最低。集成驱动IC使与微控制器的接口变得简单，其具有逻辑电平输入、带电流检测的诊断功能、压摆率调整、死区时间生成以及针对过温、欠压、过流和短路的保护功能。BTN9970LV为受保护的大电流PWM电机驱动提供了一种成本优化的解决方案，且电路板空间占用极小。

1+
￥26.05
10+
￥22.03
30+
￥19.64

有货

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高功率、高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器

型号：AUIRS2191STR 编号：C533514

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

AUIRS2191S是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道，专为汽车AC/DC和DC/DC转换器应用而设计。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。

数据手册

1+
￥27.8388 ￥37.62
10+
￥24.0768 ￥37.62
30+
￥20.3148 ￥37.62

有货

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双路低端驱动器

型号：AUIRB24427STR 编号：C533205

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低输出电阻。扩展电源电压范围：12.5V至24V。 TTL/CMOS兼容输入。 CMOS施密特触发输入。双通道匹配传播延迟。输出与输入同相。应用：汽车通用双低侧驱动器。栅极变压器驱动器

数据手册

1+
￥29.5934 ￥37.46
10+
￥22.2594 ￥32.26
30+
￥17.2103 ￥29.17
100+
￥15.3695 ￥26.05
500+
￥14.5199 ￥24.61
1000+
￥14.1364 ￥23.96

有货

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高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器

型号：IR2181SPBF 编号：C537604

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

数据手册

1+
￥36.01
10+
￥30.96
30+
￥26.83

有货

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三相桥式驱动器

型号：IR2130SPBF 编号：C537572

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能，可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。

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1+
￥38.07
10+
￥36.09

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IR2233JTRPBF

型号：IR2233JTRPBF 编号：C537616

封装：PLCC-32(16.6x16.6)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥46.03
10+
￥39.58
30+
￥35.66

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IR2133SPBF

型号：IR2133SPBF 编号：C537584

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥46.52
10+
￥45.38
30+
￥44.61

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单通道5.7kV(rms)隔离式栅极驱动IC，具备I2C可配置性，用于退饱和检测（DESAT）、软关断、欠压锁定（UVLO）、米勒钳位以及可选的两级关断功能

型号：1ED3890MU12M 编号：C17229542

封装：SOP-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED38x0Mc12M系列（X3数字）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

1+
￥54.73
10+
￥46.73
30+
￥41.86

有货

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汽车应用高压IGBT驱动器，适用于逆变器系统的单通道隔离驱动器

型号：1EDI2002AS 编号：C530953

封装：DSO-36

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥57.32
10+
￥55.37

有货

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单通道5.7kV(rms)隔离式栅极驱动IC，具备I2C可配置性，用于退饱和检测（DESAT）、软关断、欠压锁定（UVLO）、米勒钳位以及可选的两级关断功能

型号：1ED3890MC12MXUMA1 编号：C5311595

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED38x0Mc12M系列（X3数字）由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成，其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能，可简化高可靠性系统的设计

数据手册

1+
￥62.64
10+
￥53.31
30+
￥47.63

有货

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