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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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1EDL8011栅极驱动IC凭借其强大的栅极电流能力,可实现高端N沟道MOSFET的快速导通和关断。它包含一个集成式电荷泵和一个外部电容器,以提供强劲的启动能力。当工作输入电压较低时,内部电荷泵可为MOSFET提供栅极电压
  • 10+

    ¥10.652306
  • 50+

    ¥9.869156
  • 100+

    ¥8.446918
  • 500+

    ¥7.611436
  • 1000+

    ¥7.030617
是一款基于SOI的160V栅极驱动器,专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为高端电源供电,对自举电容器进行充电。保护功能包括Vcc和VB引脚上的欠压锁定。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。
  • 1+

    ¥10.93
  • 10+

    ¥10.65
  • 30+

    ¥10.46
  • 有货
  • 是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或加强(2EDSx)输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力,特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC)。栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。它们针对温度和生产差异进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计,并提供了更高的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET,1A/2A适用于更高Rₒₙ的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)
    数据手册
    • 1+

      ¥11.32
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      ¥11.03
    • 30+

      ¥10.84
  • 有货
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      ¥11.91
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      ¥11.65
    • 30+

      ¥11.48
  • 有货
  • TLE 4206 - 2G 是一款受保护的 H 桥驱动器,专为汽车前照灯光束控制和工业伺服控制应用而设计。该器件采用英飞凌的双极高压功率技术 DOPL 制造。标准增强型功率 PG - DSO - 14 封装可满足应用需求,同时节省 PCB 板空间和成本
    数据手册
    • 1+

      ¥12.73
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      ¥12.42
    • 30+

      ¥12.21
  • 有货
  • 是一款受保护的四半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是更大系列产品的一部分,该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器,具有直接接口或SPI接口。半桥驱动器设计用于以顺序或并行操作方式驱动直流电机负载。正向(cw)、反向(cow)、制动和高阻抗等操作模式可通过直接接口控制。它提供诊断功能,如短路、电源故障和过温检测。结合其低静态电流,该器件在汽车应用中具有吸引力。小间距外露焊盘封装PG-TSDSO-14提供了良好的热性能,并减少了印刷电路板空间和成本。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.29
    • 10+

      ¥12.95
    • 30+

      ¥12.72
  • 有货
  • TLE94108ES是一款带保护功能的八路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载。正转(顺时针)、反转(逆时针)、制动和高阻抗等操作模式可通过16位SPI接口进行控制。它具备诊断功能,如短路、开路负载、电源故障和过温检测。结合其低静态电流特性,该器件在汽车应用领域颇具吸引力。小型细间距外露焊盘封装PG - TSDSO - 24具有良好的热性能,可减少PCB板空间和成本。
    • 1+

      ¥13.51
    • 10+

      ¥13.17
    • 30+

      ¥12.94
  • 有货
  • 刷式直流电动机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.71
    • 10+

      ¥14.35
    • 30+

      ¥14.11
  • 有货
  • IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥14.8
    • 10+

      ¥14.47
    • 30+

      ¥14.25
  • 有货
  • IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.51
    • 10+

      ¥15.17
    • 30+

      ¥14.94
  • 有货
  • IRS4426/IRS4427/IRS4428 是低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥15.94
    • 10+

      ¥13.6
    • 30+

      ¥12.13
  • 有货
  • TLE94110ES是一款带保护功能的十通道半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风与空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个产品系列的一部分,该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载
    • 1+

      ¥16.95
    • 10+

      ¥16.53
    • 30+

      ¥16.25
  • 有货
    • 1+

      ¥17.12
    • 10+

      ¥16.75
    • 30+

      ¥16.5
  • 有货
  • AUIRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥18.63
    • 10+

      ¥15.89
    • 30+

      ¥14.18
  • 有货
  • IRS2117、IRS21171 和 IRS2118 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥18.98
    • 10+

      ¥15.4
    • 30+

      ¥13.28
  • 有货
  • 是一款多功能系统IC,采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装,集成了电源、通信接口、多个半桥和支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,直流电机系统IC提供了主要功能,如5V低压差稳压器、一个支持CAN FD的HS-CAN收发器、四个用于直流电机控制的半桥,以及一个32位串行外设接口(SPI)。该器件包括诊断和监控功能,如漏源监控和开路负载检测、短路保护、可配置的超时和窗口看门狗、故障安全输出以及过温保护。
    • 1+

      ¥22.89
    • 10+

      ¥22.3
    • 30+

      ¥21.91
  • 有货
  • IR3553集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器,与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET封装在一起。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合,可在先进CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率
    数据手册
    • 1+

      ¥24.36
    • 10+

      ¥23.79
    • 30+

      ¥23.41
  • 有货
  • IRS2336xD 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,具备三个高端和三个低端参考输出通道,适用于三相应用。该集成电路设计用于搭配低成本自举电源;自举二极管功能已集成到该器件中,以减少元件数量和 PCB 尺寸。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术已应用于坚固的单片结构中
    数据手册
    • 1+

      ¥25.51
    • 10+

      ¥24.88
    • 30+

      ¥24.46
  • 有货
  • AUIRS211(0,3)S 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥28.97
    • 10+

      ¥28.24
    • 30+

      ¥27.75
  • 有货
  • TLE4207G是一款受保护的双半桥驱动器,专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件采用英飞凌双极高压功率技术DOPL制造。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.6
    • 10+

      ¥28.08
    • 30+

      ¥25.39
  • 有货
  • IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥33.39
    • 10+

      ¥28.79
    • 30+

      ¥25.03
  • 有货
    • 1+

      ¥35.26
    • 10+

      ¥34.47
    • 30+

      ¥33.94
  • 有货
  • IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥38.7
    • 10+

      ¥33.49
    • 30+

      ¥30.32
  • 有货
    • 1+

      ¥44.72
    • 10+

      ¥43.74
    • 30+

      ¥43.09
  • 有货
  • 典型应用包括风扇、泵和电动助力转向系统。TLE7181EM专为12V电源网络设计。
    • 1+

      ¥48.06
    • 10+

      ¥41.62
    • 30+

      ¥37.71
  • 有货
  • 英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器,用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件,最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术,该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此,在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制,逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况(欠压和过流)都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此,电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑,实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。
    • 1+

      ¥50.21
    • 10+

      ¥43.49
    • 30+

      ¥39.4
  • 有货
  • IRS2334是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于在高端配置中驱动耐压高达600 V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥66.97
    • 10+

      ¥64.92
  • 有货
  • 是单通道栅极驱动IC,针对驱动英飞凌CoolGaN肖特基栅HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET进行了优化。该栅极驱动器具备几个关键特性,可实现基于GaN SG HEMT的高性能系统设计,包括真差分输入、四种驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位。
    • 1+

      ¥5.07
    • 10+

      ¥4.06
    • 30+

      ¥3.55
    • 100+

      ¥3.05
    • 500+

      ¥2.75
    • 1000+

      ¥2.59
  • 订货
  • IR2108(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 10+

      ¥4.3335
    • 100+

      ¥4.173
    • 200+

      ¥3.852
    • 1000+

      ¥3.6915
    • 2000+

      ¥3.531
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