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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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半桥驱动器
型号：IRS2108STRPBF 编号：C538261
封装：SOIC-8
品牌：Infineon(英飞凌)
是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HViC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    快速、精确、高驱动能力且兼容性好的双通道驱动器
    型号：2EDN7523FXTMA1 编号：C2677076
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器，适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET，支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和GaN功率器件。
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    半桥驱动器
    型号：IRS2111SPBF 编号：C538274
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容
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    高低侧驱动器
    型号：IRS21064STRPBF 编号：C538254
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术，实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。
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    双通道隔离栅极驱动IC
    型号：2EDR8258XXUMA1 编号：C17613836
    封装：DSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    该产品是双路隔离栅极驱动器，用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，通过片上无芯变压器（CT）技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离，适用于更高母线电压或更高污染程度的应用，一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护（STP）和死区时间控制（DTC）功能，可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器，死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低器件间偏差和快速信号传播，非常适合用于快速开关电源转换系统。

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    650V半桥栅极驱动器，集成自举二极管
    型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。
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    快速、稳健的双通道功能性和增强型隔离式MOSFET栅极驱动器，具有精确稳定的时序
    型号：2EDS8165HXUMA2 编号：C1869518
    封装：DSO-16
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一系列快速双通道隔离式MOSFET栅极驱动IC，通过无芯变压器（CT）技术提供功能（2EDFx）或加强（2EDSx）输入到输出隔离。由于具有高驱动电流、出色的共模抑制和快速信号传播能力，特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET（CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC）。栅极驱动器专为具有MOSFET开关的快速开关、中高功率系统而设计。它们针对温度和生产差异进行了高定时精度优化。可靠准确的定时简化了系统设计，并提供了更高的功率转换效率。2EDSx、2EDFx双通道加强（安全）和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度：4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET，1A/2A适用于更高Rₒₙ的MOSFET或较慢的开关瞬变（EMI）
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    BTM9011EPXUMA1
    型号：BTM9011EPXUMA1 编号：C43860463
    封装：TSDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    受保护的四路半桥驱动器
    型号：TLE94004EPXUMA1 编号：C2653448
    封装：TSDSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款受保护的四半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风和空调（HVAC）风门直流电机控制。它是更大系列产品的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具有直接接口或SPI接口。半桥驱动器设计用于以顺序或并行操作方式驱动直流电机负载。正向（cw）、反向（cow）、制动和高阻抗等操作模式可通过直接接口控制。它提供诊断功能，如短路、电源故障和过温检测。结合其低静态电流，该器件在汽车应用中具有吸引力。小间距外露焊盘封装PG-TSDSO-14提供了良好的热性能，并减少了印刷电路板空间和成本。
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    高端和低端驱动器
    型号：IRS2001SPBF 编号：C538232
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容
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    半桥驱动器
    型号：IR2109SPBF 编号：C537553
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    高端和低端驱动器
    型号：IR2106PBF 编号：C537545
    封装：PDIP-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
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    十个半桥功率输出
    型号：TLE94110ES 编号：C2984889
    封装：TSDSO-24
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE94110ES是一款带保护功能的十通道半桥驱动器，专为汽车运动控制应用而设计，如加热、通风与空调（HVAC）风门直流电机控制。它是一个产品系列的一部分，该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器，具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载

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    6EDL04N065PRXUMA1
    型号：6EDL04N065PRXUMA1 编号：C41733442
    封装：TSSOP-25
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    单通道驱动器
    型号：IRS2118STRPBF 编号：C538287
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2117、IRS21171 和 IRS2118 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
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    单通道 IGBT 栅极驱动集成电路
    型号：1EDI05I12AFXUMA1 编号：C5242002
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：单通道隔离式IGBT驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200V。 适用于高压功率IGBT。 典型值高达10A

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    250mA 有刷直流电机驱动芯片 28V
    型号：TLE9561QXXUMA1 编号：C3681206
    封装：VQFN-48
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款多功能系统IC，采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装，集成了电源、通信接口、多个半桥和支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用，直流电机系统IC提供了主要功能，如5V低压差稳压器、一个支持CAN FD的HS-CAN收发器、四个用于直流电机控制的半桥，以及一个32位串行外设接口（SPI）。该器件包括诊断和监控功能，如漏源监控和开路负载检测、短路保护、可配置的超时和窗口看门狗、故障安全输出以及过温保护。

    • 1+

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    电流限制单通道驱动器
    型号：IR2125SPBF 编号：C537563
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，带有过流限制保护电路。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至2.5V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器交叉导通。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并限制栅极驱动电压。逐个周期关断由外部电容器编程，该电容器直接控制过流限制条件检测和锁存关断之间的时间间隔。浮动通道可用于驱动工作电压高达500V的高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    40A集成PowlRstage
    型号：IR3553MTRPBF 编号：C386327
    封装：QFN-25-EP(4x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR3553集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET封装在一起。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在先进CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率
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      ￥24.36

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      ￥23.41
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    单通道隔离式IGBT驱动器
    型号：1EDI3020ASXUMA1 编号：C17228976
    封装：BFSOP-20-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是高压 IGBT 驱动器，专为 5 kW 以上的汽车电机驱动器设计。基于无芯变压器 (CT) 技术，在低压和高压域之间提供电流隔离。支持 400 V、600 V 和 1200 V IGBT 技术。

    • 1+

      ￥25.65

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      ￥25

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      ￥24.56
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    高、低端驱动器
    型号：AUIRS2113STR 编号：C533504
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    AUIRS211(0,3)S 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
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    • 1+

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    8.6A 无刷直流BLDC电机驱动芯片 5.25V
    型号：TLE82092SAAUMA1 编号：C2150693
    封装：DSO-20
    品牌：Infineon(英飞凌)
    设计用于安全关键型汽车应用中的直流电机控制。具有四个可选电流范围、两个可选压摆率设置，并可通过SPI进行广泛诊断。该设备监控数字电源电压VDD，在VDD过压或欠压时关闭输出级，从而在数字控制电路发生故障时提供安全的关断路径。为了在极端热条件下降低功耗，当结温超过165℃时，电流限制阈值会线性降低。SPI中会设置一个热警告位。两个半桥也可独立用于驱动两个单独的负载，如螺线管或单向直流电机。
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    • 1+

      ￥29.41

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    • 30+

      ￥26.87
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    三相栅极驱动器高压集成电路
    型号：IRS2334SPBF 编号：C538321
    封装：SOIC-20-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2334是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
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      ￥32.07 / 个
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    800mA 有刷直流电机驱动芯片 18V
    型号：TLE4207GXUMA2 编号：C2653558
    封装：DSO-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE4207G是一款受保护的双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。该器件采用英飞凌双极高压功率技术DOPL制造。
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      ￥32.6

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    AUIRS2336STR
    型号：AUIRS2336STR 编号：C533516
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
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      ￥33.87

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    高低侧驱动器
    型号：IRS21864SPBF 编号：C538311
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
    数据手册

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    H桥和双半桥驱动IC
    型号：TLE7181EMXUMA1 编号：C2676921
    封装：SSOP-24-4-EP-150mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    典型应用包括风扇、泵和电动助力转向系统。TLE7181EM专为12V电源网络设计。

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    200V和600V三相带过流保护的门极驱动器
    型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021
    封装：DSO-28
    品牌：Infineon(英飞凌)
    英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

    • 1+

      ￥50.21

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    IRMCF341TY
    型号：IRMCF341TY 编号：C538212
    封装：LQFP-64(10x10)
    品牌：Infineon(英飞凌)
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    3A 交流电机驱动芯片 16.5V
    型号：IRSM836-035MA 编号：C538424
    封装：PQFN-36L-EP(12x12)
    品牌：Infineon(英飞凌)
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