英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2118PBF 编号：C152176

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动

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型号：1EDB9275FXUMA1 编号：C1870162

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相

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型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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型号：IRS2184SPBF 编号：C1549306

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR3555MTRPBF 编号：C537670

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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型号：IR21364STRPBF 编号：C537592

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能，可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号，指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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型号：IR2109PBF 编号：C537552

封装：PDIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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型号：IR2010SPBF 编号：C537537

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.0V逻辑。

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型号：TLE92104232QXXUMA1 编号：C3655597

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款多MOSFET驱动IC，专用于控制多达八个n沟道MOSFET。包括四个半桥，用于直流电机控制应用，如汽车电动座椅控制或其他应用。采用24位串行外设接口（SPI）来配置和控制半桥，还可读取状态寄存器以进行诊断。提供广泛的诊断功能，如监控电源电压、电荷泵电压、温度警告和过温关断。每个栅极驱动器独立监控其外部MOSFET的漏源电压以检测故障。采用带有外露焊盘的VQFN-48封装，支持引脚检查，该封装具有良好的热性能，并最小化所需的PCB空间。

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￥18.95
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型号：TDA21490AUMA1 编号：C3654867

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型 DC-DC 转换器，适用于 CPU、GPU 和大电流轨的电压调节器。TDA21490 功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，与高端和低端 MOSFET 共封装。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的组合，可在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。TDA21490 内部带有温度补偿的 MOSFET 电流检测算法，与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 检测方法相比，可实现卓越的电流检测精度。保护功能包括具有可编程阈值的逐周期过流保护、VCC/VDRV 欠压锁定 (UVLO) 保护、自举电容欠压保护、相位故障检测、IC 温度报告和热关断。TDA21490 还具有自举电容自动补充功能，以防止过放电。TDA21490 具有深度睡眠节能模式，当多相系统进入 PS3/PS4 模式时，可大大降低功耗。高达 1.5 MHz 的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，在保持行业领先效率的同时，允许降低输出电感和输出电容值。TDA21490 针对服务器应用中的 CPU 核心电源传输进行了优化。能够满足服务器市场的严格要求，也使 TDA21490 非常适合为 GPU 和 DDR 内存设计供电。

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￥19.86
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型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667

封装：PQFN-32(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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型号：2EDF7175FXUMA2 编号：C1869517

封装：DSO-16

品牌：Infineon(英飞凌)

双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟，结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺，可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和（安全）次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度，适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET，也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。

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￥22.7
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型号：IR21363STRPBF 编号：C537591

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可从外部电流检测电阻得出，用于终止所有六个输出。使能功能可同时终止所有六个输出。提供漏极开路FAULT信号，指示过流或欠压关断已发生。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

1+
￥25.05
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￥24.47
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￥24.08

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型号：IR2184SPBF 编号：C537610

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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￥26.12
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30+
￥25.05

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型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥19.92

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型号：IMC301AF048XUMA1 编号：C3681339

封装：LQFP-48

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：2ED1324S12PXUMA1 编号：C20189643

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件，在半桥配置中，其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在整个工作温度和电压范围内，该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力

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￥36.11
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型号：TLE9180D21QKXUMA1 编号：C1854987

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC，专门用于控制6个外部N沟道MOSFET，这些MOSFET构成一个逆变器，适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用，电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压

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￥42.53
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￥36.58
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￥32.95

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型号：IR2133SPBF 编号：C537584

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥46.1
10+
￥44.96
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￥44.19

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型号：2ED4820EMXUMA2 编号：C3654997

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED4820-EM是一款专为48V大电流汽车应用设计的栅极驱动器，具有强大的栅极输出，可并联驱动多个MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。由于具备两个栅极输出，它支持背靠背配置，包括共源和共漏结构。在共源配置中，一个栅极输出可用于对高容性负载进行预充电

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￥52.95
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￥46.09
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￥41.91

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型号：2EDN7533FXTMA1 编号：C3655020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

EiceDRIVER 2EDN 系列采用 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装，以及小型多功能 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间，使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。

1+
￥6.35
10+
￥6.22
30+
￥6.13

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型号：IRS2302SPBF 编号：C538315

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

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1+
￥6.88
10+
￥6.72
30+
￥6.62

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型号：IRS2001STRPBF 编号：C495819

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2001是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V

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1+
￥7.16
10+
￥6.99
50+
￥6.88

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型号：IRS2005SPBF 编号：C1549355

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达200V。传播延迟匹配，简化了HVIC在高频应用中的使用。

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1+
￥7.89
10+
￥6.55
30+
￥5.81

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型号：IRS2308SPBF 编号：C538319

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥9.69
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￥9.46
30+
￥9.3

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型号：IRS44262SPBF 编号：C538357

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥9.96
10+
￥9.73
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￥9.58

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型号：1EDI40I12AH 编号：C533023

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥11.66
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￥11.39
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￥11.22

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型号：1ED3121MC12HXUMA1 编号：C17497486

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

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￥11.76
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￥11.45
30+
￥11.25

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型号：IR21094SPBF 编号：C537551

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。

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1+
￥13.6
10+
￥11.15
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型号：1EDI60I12AHXUMA1 编号：C7430259

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 隔离驱动器，在独立输出引脚处可提供高达 10 A 的输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 微控制器。通过无芯变压器技术实现跨隔离屏障的数据传输。每个驱动器系列成员均具备逻辑输入和驱动器输出欠压锁定 (UVLO) 以及主动关断功能。

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