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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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该系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使该系列成为许多快速开关应用的首选。
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    ¥2.44
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    ¥2.38
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    ¥2.34
  • 有货
  • 1ED44171N01B是一款低压、用于功率器件(如:IGBT、MOSFET)的同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
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      ¥2.92
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      ¥2.85
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      ¥2.8
  • 有货
  • 采用8引脚DSO、TSSOP和WSON封装,以及小型通用的6引脚SOT23封装。高输出电流能力,结合有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使其成为许多快速开关应用的首选。
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      ¥6.19
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      ¥4.48
  • 有货
  • IRS2106/IRS21064是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
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      ¥6.92
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      ¥5.68
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      ¥5
  • 有货
  • 是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达200V。传播延迟匹配,简化了HVIC在高频应用中的使用。
    数据手册
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      ¥7.89
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      ¥5.81
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      ¥8.59
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      ¥8.4
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      ¥8.28
  • 有货
  • 是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚负电压高达 -11V DC(VCC = 15V)的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,其工作电压高达650V。
    数据手册
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      ¥8.68
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      ¥8.32
  • 有货
  • IR2302(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.44
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      ¥8.79
    • 30+

      ¥7.75
  • 有货
  • CoolGaN™ 及类似的氮化镓(GaN)开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外,由于阈值电压较低且开关瞬态极快,可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求,但其开关动态特性存在占空比依赖性,且在特定情况下缺乏负栅极驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥11.22
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      ¥10.94
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      ¥10.75
  • 有货
  • 是一款双通道隔离栅极驱动IC,用于驱动Si MOSFET、SiC MOSFET和GaN功率开关。通过英飞凌无芯变压器(CT)技术实现隔离,保证了稳健的操作和行业基准共模抑制(CMTI)。高传播延迟精度和低通道间失配使其非常适合用于快速开关电源系统。此外,高CMTI、高反向电流能力和低于欠压锁定(UVLO)的快速输出钳位保证了应用中的可靠运行。
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      ¥12.72
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      ¥12.41
    • 30+

      ¥12.2
  • 有货
  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.96
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      ¥12.64
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      ¥12.43
  • 有货
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      ¥14.48
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      ¥12.17
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      ¥10.73
    • 100+

      ¥9.26
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道,适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可通过外部电流检测电阻终止所有六个输出。具有使能功能,可同时终止所有六个输出。提供开漏FAULT信号,指示过流或欠压关断。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.33
    • 10+

      ¥16.88
    • 30+

      ¥16.59
  • 有货
  • IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.58
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      ¥18.14
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      ¥16.93
  • 有货
  • 是一款多MOSFET驱动IC,专用于控制多达八个n沟道MOSFET。包括四个半桥,用于直流电机控制应用,如汽车电动座椅控制或其他应用。采用24位串行外设接口(SPI)来配置和控制半桥,还可读取状态寄存器以进行诊断。提供广泛的诊断功能,如监控电源电压、电荷泵电压、温度警告和过温关断。每个栅极驱动器独立监控其外部MOSFET的漏源电压以检测故障。采用带有外露焊盘的VQFN-48封装,支持引脚检查,该封装具有良好的热性能,并最小化所需的PCB空间。
    • 1+

      ¥18.95
    • 10+

      ¥18.48
    • 30+

      ¥18.17
  • 有货
  • 是一款多功能系统IC,采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装,集成了电源、通信接口、多个半桥和支持功能。该设备专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,提供了主要功能,如5V低压差稳压器、一个支持CAN FD和CAN部分网络(包括FD容错模式)的HS-CAN收发器、三个用于BDLC电机控制的半桥、一个电流检测放大器和一个32位串行外设接口(SPI)。该设备包括诊断和监控功能,如漏源监测和开路负载检测、短路保护、可配置的超时和窗口看门狗以及过温保护。
    • 1+

      ¥19.03
    • 10+

      ¥16.21
    • 30+

      ¥14.54
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.64
    • 10+

      ¥19.16
    • 30+

      ¥18.84
  • 有货
  • 双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟,结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺,可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和(安全)次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度,适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET,也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.7
    • 10+

      ¥19.3
    • 30+

      ¥17.28
  • 有货
  • 控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术,在瞬态电压下具有出色的耐用性,器件中不存在寄生晶闸管结构,设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。 两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制,低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。 具有对称的欠压锁定电平,有力支持集成的超快自举二极管。此外,离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时,为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥26.61
    • 30+

      ¥26.15
  • 有货
    • 1+

      ¥30.64
    • 10+

      ¥29.92
    • 30+

      ¥29.44
  • 有货
  • 2ED132x系列器件可控制IGBT或SiC MOSFET功率器件,在半桥配置中,其最大阻断电压为+1200 V。该器件对瞬态电压具有出色的耐受性,内部不存在寄生晶闸管结构。因此,在整个工作温度和电压范围内,该设计对寄生闩锁效应具有很强的抵抗力
    • 1+

      ¥36.11
    • 10+

      ¥31.28
    • 30+

      ¥28.33
  • 有货
  • TLE9180D - 21QK和TLE9180D - 31QK是先进的栅极驱动IC,专门用于控制6个外部N沟道MOSFET,这些MOSFET构成一个逆变器,适用于汽车领域的大电流三相电机驱动应用。先进的高压技术使这些IC能够支持单电池和混合电池系统的应用,电池电压涵盖12 V、24 V和48 V。与桥路、电机和电源相关的引脚能够承受高达90 V的电压
    数据手册
    • 1+

      ¥40.01
    • 10+

      ¥34.06
    • 30+

      ¥30.43
  • 有货
  • 2ED4820-EM是一款专为48V大电流汽车应用设计的栅极驱动器,具有强大的栅极输出,可并联驱动多个MOSFET,以最大限度地降低传导损耗。由于具备两个栅极输出,它支持背靠背配置,包括共源和共漏结构。在共源配置中,一个栅极输出可用于对高容性负载进行预充电
    • 1+

      ¥45
    • 10+

      ¥38.76
    • 30+

      ¥34.95
  • 有货
    • 1+

      ¥2.44
    • 10+

      ¥2.38
    • 30+

      ¥2.34
  • 有货
  • 是单通道高端和低端栅极驱动器IC的TDI系列的一部分。TDI系列具有全差分输入电路。真正的差分输入(TDI)提供出色的共模抗扰度(CMR),并消除误触发的风险。小封装尺寸可在低端和高端驱动中实现灵活布局。适用于驱动器和系统接地之间存在不需要的电压偏移的任何应用,以及在允许的静态共模范围内(最大±200 V)的高端驱动。还可以轻松操作需要双极驱动电压的开关,利用TDI的共模电压处理能力。
    • 1+

      ¥5.41
    • 10+

      ¥4.31
    • 30+

      ¥3.76
    • 100+

      ¥3.21
  • 有货
  • EiceDRIVER 2EDN 系列采用 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型多功能 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥6.35
    • 10+

      ¥6.22
    • 30+

      ¥6.13
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.37
    • 10+

      ¥6.21
    • 30+

      ¥6.11
  • 有货
  • 2ED21091S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力,在瞬态电压下,VS引脚($V_{CC}=15 V$)上的负电压高达11 V时仍能保持工作逻辑。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    数据手册
    • 1+

      ¥7.72
    • 10+

      ¥6.35
    • 30+

      ¥5.6
    • 100+

      ¥4.75
  • 有货
  • 双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟,结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺,可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和(安全)次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度,适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET,也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。
    数据手册
    • 10+

      ¥5.876
    • 50+

      ¥5.198
    • 500+

      ¥5.0624
    • 2000+

      ¥4.8364
    是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200伏的N沟道功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.26
    • 10+

      ¥9.04
    • 30+

      ¥8.9
  • 有货
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