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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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600V,高低侧驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 50+

    ¥9.425667
  • 200+

    ¥7.73388
  • 500+

    ¥6.316003
  • 1000+

    ¥5.413716
是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
数据手册
  • 1+

    ¥12.69
  • 10+

    ¥12.37
  • 30+

    ¥12.16
  • 有货
    • 1+

      ¥13.39
    • 10+

      ¥13.08
    • 30+

      ¥12.87
  • 有货
  • 2EDL803x 旨在以半桥配置驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在最高 120 V 自举电压下的高端 MOSFET。版本 4 具备完整的 4 A 电流驱动能力,而版本 3 具备 3 A 电流驱动能力
    • 1+

      ¥13.96
    • 10+

      ¥11.83
    • 30+

      ¥10.5
  • 有货
  • 是流行的IR2155和IR2151栅极驱动IC的改进版本,结合了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。与以前的IC相比,提供了更多功能且更易于使用。在CT引脚上设计了关断功能,因此可以使用低电压控制信号禁用两个栅极驱动器输出。此外,一旦VCC上的上升欠压锁定阈值达到,栅极驱动器输出脉冲宽度就相同,从而在启动时实现更稳定的频率与时间曲线。通过降低栅极驱动器的峰值di/dt并将欠压锁定迟滞增加到1V,显著提高了抗噪性。最后,特别注意最大化器件的抗闩锁能力,并在所有引脚上提供全面的ESD保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.4
    • 10+

      ¥15.02
    • 30+

      ¥14.76
  • 有货
    • 1+

      ¥17.2
    • 10+

      ¥14.64
    • 50+

      ¥12.53
  • 有货
  • EiceDRIVER 2EDN 系列采用 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥18.3
    • 10+

      ¥15.62
    • 30+

      ¥13.94
  • 有货
  • IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥18.52
    • 10+

      ¥15.72
    • 30+

      ¥13.97
  • 有货
  • AUIRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥18.63
    • 10+

      ¥15.89
    • 30+

      ¥14.18
  • 有货
    • 1+

      ¥19.49
    • 10+

      ¥19.04
    • 30+

      ¥18.74
  • 有货
  • 是一款高压IGBT驱动器,专为5 kW以上的汽车电机驱动器设计。该器件基于英飞凌的无芯变压器(CT)技术,在低压和高压域之间提供电流隔离。该器件支持400 V、600 V和1200 V IGBT技术。该器件具有最小12 A峰值电流的高输出级
    • 1+

      ¥24.38
    • 10+

      ¥23.76
    • 30+

      ¥23.34
  • 有货
  • 是用于背对背拓扑的高端MOSFET驱动器,针对背对背开关。它的特点是在开启和关闭状态下都具有非常低的静态电流。它结合了一个使用外部电感器的升压DC/DC转换器和一个栅极驱动器,即使在低电池电压下也能驱动标准电平MOSFET。输入控制栅极电压,并且集成了欠压锁定保护,以防止在线性模式下驱动MOSFET。
    • 1+

      ¥25.75
    • 10+

      ¥21.86
    • 30+

      ¥19.55
  • 有货
    • 1+

      ¥26.87
    • 10+

      ¥26.24
    • 30+

      ¥25.83
  • 有货
  • 控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术,在瞬态电压下具有出色的耐用性,器件中不存在寄生晶闸管结构,设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。 两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制,低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。 具有对称的欠压锁定电平,有力支持集成的超快自举二极管。此外,离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时,为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。
    • 1+

      ¥27.31
    • 10+

      ¥26.61
    • 30+

      ¥26.15
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.01
    • 10+

      ¥30.96
    • 30+

      ¥26.83
  • 有货
  • IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力(2 A 源电流、3 A 灌电流),且静态电流需求低,这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护,并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障,从而防止过电压并减少电磁辐射
    数据手册
    • 1+

      ¥36.34
    • 10+

      ¥35.49
    • 30+

      ¥34.92
  • 有货
  • IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥40.94
    • 10+

      ¥39.91
    • 30+

      ¥39.22
  • 有货
    • 1+

      ¥43.91
    • 10+

      ¥42.94
    • 30+

      ¥42.29
  • 有货
    • 1+

      ¥46.06
    • 10+

      ¥44.9
    • 30+

      ¥44.12
  • 有货
  • TLE9562QX是一款多功能系统IC,采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装,集成了电源、通信接口、多个半桥及支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,直流电机系统IC提供了主要功能,如一个5 V低压差稳压器、一个支持CAN FD的HS-CAN收发器、一个LIN收发器、四个用于直流电机控制的半桥,以及一个32位串行外设接口(SPI)。该器件具备诊断和监控功能,如漏源极监测和开路负载检测、短路保护、可配置超时和窗口看门狗、故障安全输出,以及过温保护。
    • 单价:

      ¥50.59 / 个
  • 有货
  • TLE92104 - 131是一款多MOSFET驱动IC,专门用于控制多达八个n沟道MOSFET。它包含四个半桥,适用于直流电机控制应用,如汽车电动座椅控制或其他应用。该器件采用24位串行外设接口(SPI)来配置TLE92104 - 131并控制半桥
    • 1+

      ¥52.49
    • 10+

      ¥46.13
    • 30+

      ¥42.25
  • 有货
  • 1ED38x0Mc12M系列(X3数字)由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成,其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能,可简化高可靠性系统的设计
    • 1+

      ¥54.08
    • 10+

      ¥46.08
    • 30+

      ¥41.2
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出,逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能,可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。
    数据手册
    • 1+

      ¥56.89
    • 10+

      ¥55.47
    • 30+

      ¥54.53
  • 有货
  • 是一系列完全集成、可编程或可配置的高压电机驱动模块,专为高性能、高效率的永磁同步电机(PMSM)或无刷直流电机(BLDC)驱动应用而设计,如风扇、泵和压缩机。它集成了控制器、栅极驱动器和六个功率MOSFET。有“A”型和“T”型两种变体。“A”型包括一个完全可编程的ARM Cortex-M0控制器,而“T”型则采用了英飞凌专利的运动控制引擎(MCE)
    数据手册
    • 1+

      ¥68.23
    • 10+

      ¥58.68
    • 30+

      ¥52.86
  • 有货
    • 1+

      ¥79.1
    • 10+

      ¥75.43
    • 30+

      ¥69.06
  • 有货
  • 该产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、主动输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使其成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥3.03
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.9
  • 有货
  • 该系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使其成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥3.65
    • 10+

      ¥3.57
    • 30+

      ¥3.52
  • 有货
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