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  • EiceDRIVER 2EDN 系列采用 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥18.3
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  • 有货
  • 是一款高压IGBT驱动器,专为5 kW以上的汽车电机驱动器设计。该器件基于英飞凌的无芯变压器(CT)技术,在低压和高压域之间提供电流隔离。该器件支持400 V、600 V和1200 V IGBT技术。该器件具有最小12 A峰值电流的高输出级
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      ¥23.76
    • 30+

      ¥23.34
  • 有货
  • 高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。电流跳闸功能可从外部电流检测电阻得出,用于终止所有六个输出。使能功能可同时终止所有六个输出。提供漏极开路FAULT信号,指示过流或欠压关断已发生。过流故障条件在通过连接到RCIN输入的RC网络进行外部编程的延迟后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    • 1+

      ¥25.05
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      ¥24.47
    • 30+

      ¥24.08
  • 有货
  • 是高压 IGBT 驱动器,专为 5 kW 以上的汽车电机驱动器设计。基于无芯变压器 (CT) 技术,在低压和高压域之间提供电流隔离。支持 400 V、600 V 和 1200 V IGBT 技术。
    • 1+

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      ¥25
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      ¥24.56
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  • 这些器件是全桥驱动器,用于控制三相系统中的功率器件,如MOSFET或IGBT,最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术,该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构
    数据手册
    • 1+

      ¥26.19
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      ¥22.55
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      ¥20.39
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      ¥26.24
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      ¥25.83
  • 有货
  • 单16引脚QFN封装的双MOSFET驱动器 降压转换器驱动器,输入电压4.0至13.2Vdc 多模式操作,可将驱动器配置为双路或倍压/交错模式驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥27.9
    • 10+

      ¥27.24
    • 30+

      ¥26.8
  • 有货
  • 2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力,在 VS 引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V 的负瞬态电压时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    • 1+

      ¥30.83
    • 10+

      ¥26.55
    • 30+

      ¥24.01
  • 有货
  • IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力(2 A 源电流、3 A 灌电流),且静态电流需求低,这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护,并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障,从而防止过电压并减少电磁辐射
    数据手册
    • 1+

      ¥33.57
    • 10+

      ¥32.72
    • 30+

      ¥32.15
  • 有货
  • 由采用小型 PG-DSO-16 封装的单通道栅极驱动 IC 组成,爬电距离和电气间隙达 8mm。栅极驱动 IC 提供 3A、6A 和 9A 的典型峰值输出电流。包含可调控制和保护功能,可简化高可靠性系统的设计。所有参数调整均通过 I2C 接口(引脚 SDA 和 SCL)从输入侧完成。所有逻辑 I/O 引脚与 3.3V 或 5V CMOS 兼容,可直接连接微控制器。通过集成无芯变压器技术实现跨电隔离的数据传输。
    • 1+

      ¥35.69
    • 10+

      ¥34.78
    • 30+

      ¥34.17
  • 有货
  • IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥41.66
    • 10+

      ¥40.63
    • 30+

      ¥39.94
  • 有货
  • 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出,逻辑电压低至2.5V。独立的运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还可以提供电流跳闸功能,用于终止所有六个输出。关断功能可用于终止所有六个输出。提供开漏故障信号,用于指示发生过流或欠压关断。故障状态可通过 FLT-CLR 引脚清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。
    数据手册
    • 单价:

      ¥43.48 / 个
  • 有货
  • TLE9562QX是一款多功能系统IC,采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装,集成了电源、通信接口、多个半桥及支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,直流电机系统IC提供了主要功能,如一个5 V低压差稳压器、一个支持CAN FD的HS-CAN收发器、一个LIN收发器、四个用于直流电机控制的半桥,以及一个32位串行外设接口(SPI)。该器件具备诊断和监控功能,如漏源极监测和开路负载检测、短路保护、可配置超时和窗口看门狗、故障安全输出,以及过温保护。
    • 单价:

      ¥50.59 / 个
  • 有货
  • TLE92104 - 131是一款多MOSFET驱动IC,专门用于控制多达八个n沟道MOSFET。它包含四个半桥,适用于直流电机控制应用,如汽车电动座椅控制或其他应用。该器件采用24位串行外设接口(SPI)来配置TLE92104 - 131并控制半桥
    • 1+

      ¥52.49
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      ¥46.13
    • 30+

      ¥42.25
  • 有货
    • 1+

      ¥54.11
    • 10+

      ¥52.87
    • 30+

      ¥52.05
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有三个独立的高低侧参考输出通道。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容CMOS 或 LSTTL 输出,逻辑电压低至 2.5V。接地参考运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还具有电流跳闸功能,可终止所有六个输出。开漏故障信号指示是否发生过流或欠压关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。
    数据手册
    • 1+

      ¥56.89
    • 10+

      ¥55.47
    • 30+

      ¥54.53
  • 有货
  • 该产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小型通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力、主动输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使其成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥3.03
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.9
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚负电压高达 -11 VDC(VCC = 15V)的瞬态电压下保持逻辑运行。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,其工作电压高达650V。
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

      ¥5.15
    • 30+

      ¥5.06
  • 有货
  • IRS2109/IRS21094 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,最低可至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.31
    • 10+

      ¥5.17
    • 30+

      ¥5.09
  • 有货
  • IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3路。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.35
    • 10+

      ¥8.13
    • 30+

      ¥7.99
  • 有货
  • IRS2111是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥9.01
    • 10+

      ¥8.81
    • 30+

      ¥8.68
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术,实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.11
    • 10+

      ¥8.88
    • 30+

      ¥8.72
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  • 该产品是双路隔离栅极驱动器,用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装,输入到输出爬电距离为8mm,通过片上无芯变压器(CT)技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离,适用于更高母线电压或更高污染程度的应用,一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护(STP)和死区时间控制(DTC)功能,可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器,死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度(CMTI)、低器件间偏差和快速信号传播,非常适合用于快速开关电源转换系统。
    • 1+

      ¥9.69
    • 10+

      ¥9.45
    • 30+

      ¥9.28
  • 有货
  • 是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.9
    • 10+

      ¥9.67
    • 30+

      ¥9.51
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