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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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TLE9471ES V33 是一种单片集成电路,采用PG-TSDSO-24-1 (150 mil) 功率封装。该设备设计用于各种CAN汽车应用,作为微控制器的主要电源和CAN总线网络的接口。
数据手册
  • 1+

    ¥13.58
  • 10+

    ¥12.84
  • 30+

    ¥12.4
  • 100+

    ¥11.96
  • 500+

    ¥11.76
  • 1000+

    ¥11.66
  • 有货
  • TLE4267是一款适用于汽车应用的5 V低压差稳压器,采用PG-TO263-7或PG-DSO-14封装。它可提供超过400 mA的输出电流。该集成电路具备短路保护功能,并设有过温保护电路
    数据手册
    • 1+

      ¥13.58
    • 10+

      ¥11.83
    • 30+

      ¥10.73
    • 100+

      ¥9.6
    • 500+

      ¥9.1
  • 有货
  • 该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.8
    • 10+

      ¥11.59
    • 30+

      ¥10.2
    • 100+

      ¥8.79
    • 500+

      ¥8.15
  • 有货
    • 1+

      ¥13.86
    • 10+

      ¥13.12
    • 30+

      ¥12.67
    • 100+

      ¥12.22
    • 500+

      ¥12.02
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 工作温度175°C。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥15.05
    • 10+

      ¥13
    • 30+

      ¥11.73
    • 100+

      ¥10.08
  • 有货
  • 中端系统基础芯片系列,车身系统IC,集成电压调节器、电源管理功能、高速CAN收发器支持CAN FD和LIN收发器。具备多个高边开关和高电压唤醒输入。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.43
    • 10+

      ¥13.02
    • 30+

      ¥11.51
    • 100+

      ¥9.96
    • 500+

      ¥9.27
    • 1000+

      ¥8.96
  • 有货
    • 1+

      ¥16.14
    • 10+

      ¥13.58
    • 30+

      ¥11.97
    • 100+

      ¥10.33
  • 有货
  • 企业级数字控制器为英特尔VR13和VR12.5应用提供电源。通过支持5mV/步和10mV/步VID表、动态电压识别(DVID)、电源状态(PS)和VR数据与配置寄存器要求的SVID接口来控制命令和监控功能。先进的控制回路特性,如主动瞬态响应(ATR)调制和快速DVID响应,能够对高di/dt负载瞬变和大电压阶跃实现最佳响应。对电流检测进行可编程温度补偿,使设计人员能够针对不同温度调整响应,以实现最佳负载线精度。通过高过采样率和数字电流估计实现了一流的抗噪能力。除了电感DCR电流检测外,企业级控制器还支持具有集成电流检测和集成温度检测的英飞凌集成功率级
    • 1+

      ¥20.15
    • 10+

      ¥17.07
    • 30+

      ¥15.25
    • 100+

      ¥13.4
    • 500+

      ¥12.55
    • 1000+

      ¥12.16
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 额定温度175℃。 符合JEDEC47/20/22相关测试,适用于工业应用
    数据手册
    • 1+

      ¥20.29
    • 10+

      ¥17.33
    • 30+

      ¥15.49
    • 100+

      ¥13.59
  • 有货
    • 1+

      ¥21.05
    • 10+

      ¥17.88
    • 30+

      ¥15.99
    • 100+

      ¥14.08
    • 500+

      ¥13.2
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥21.91
    • 10+

      ¥18.58
    • 50+

      ¥16.6
    • 100+

      ¥14.6
    • 500+

      ¥13.67
  • 有货
  • 特性:适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。应用:一般汽车应用
    • 1+

      ¥23.2
    • 10+

      ¥19.95
    • 30+

      ¥18.01
    • 100+

      ¥16.05
  • 有货
  • SAE 800 是一款单音、双音或三音锣声集成电路,专为极宽的电源电压范围而设计。例如,如果将振荡器设置为 f₀ = 13.2 kHz,该集成电路在三音模式下将发出小三度和大三度音 Θ² - 升 C - a,对应频率为 660 Hz - 550 Hz - 440 Hz;在双音模式下发出小三度音 Θ² - 升 C;在单音模式下发出音 Θ²(由基频 f₀ 推导得出;f₁ = f₀ / 20,f₂ = f₀ / 24,f₃ = f₀ / 30)。未触发时,该集成电路处于待机状态,仅消耗几 μA 电流
    数据手册
    • 1+

      ¥87.24
    • 10+

      ¥83.21
    • 30+

      ¥76.22
  • 有货
  • 特性:扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。TVJop = 150°C。VCEsat 具有正温度系数。应用:高功率转换器。电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥325.49
    • 10+

      ¥317.4
  • 有货
    • 5+

      ¥0.356608 ¥0.5572
    • 50+

      ¥0.26649 ¥0.4935
    • 150+

      ¥0.203148 ¥0.4617
    • 500+

      ¥0.192676 ¥0.4379
    • 2500+

      ¥0.184272 ¥0.4188
    • 5000+

      ¥0.180048 ¥0.4092
  • 有货
  • 适合用于开关电路、逆变器、接口电路和驱动电路,内置偏置电阻(R₁ = 2.2kΩ,R₂ = 47kΩ)。
    • 5+

      ¥0.6732
    • 50+

      ¥0.5356
    • 150+

      ¥0.4668
    • 500+

      ¥0.4152
  • 有货
  • P沟道,30V,2.3A,165mΩ@2.3A,10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7902
    • 50+

      ¥0.6206
    • 150+

      ¥0.5358
    • 500+

      ¥0.4722
  • 有货
  • N沟道,30V,3.4A,63mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9568
    • 50+

      ¥0.7921
    • 150+

      ¥0.7098
    • 500+

      ¥0.6481
  • 有货
  • 适用于集电极电流为 1 mA 至 20 mA 的低噪声、高增益宽带放大器,fT = 8 GHz,在 900 MHz 时 NFmin = 0.9 dB,采用无铅(符合 RoHS 标准)封装,可提供符合 AEC-Q101 的认证报告。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.001754 ¥1.2843
    • 50+

      ¥0.766224 ¥1.1268
    • 150+

      ¥0.614394 ¥1.0593
    • 500+

      ¥0.5655 ¥0.975
    • 3000+

      ¥0.54375 ¥0.9375
    • 6000+

      ¥0.5307 ¥0.915
  • 有货
  • P沟道,30V,1.5A,140mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1249
    • 50+

      ¥0.9521
    • 150+

      ¥0.8657
    • 500+

      ¥0.517
  • 有货
  • N+P沟道,30V,6.8A+4.6A
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9043
    • 50+

      ¥1.4873
    • 150+

      ¥1.3086
    • 500+

      ¥1.0856
  • 有货
  • 特性:P沟道。 在VDS = -4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9968 ¥3.12
    • 10+

      ¥1.5066 ¥2.79
    • 30+

      ¥1.1572 ¥2.63
    • 100+

      ¥1.0868 ¥2.47
    • 500+

      ¥1.0428 ¥2.37
    • 1000+

      ¥1.0208 ¥2.32
  • 有货
  • 特性:N 沟道。增强模式。逻辑电平(额定 4.5V)。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。100% 无铅;符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥2.01
    • 30+

      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.8
  • 有货
  • 特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101标准认证
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥1.99
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 特性:用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道;逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀层;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥3.2065 ¥5.83
    • 10+

      ¥2.1375 ¥4.75
    • 30+

      ¥1.4735 ¥4.21
    • 100+

      ¥1.288 ¥3.68
    • 500+

      ¥1.176 ¥3.36
    • 1000+

      ¥1.1165 ¥3.19
  • 有货
  • 特性:低栅极到漏极电荷,以降低开关损耗。 完全表征的电容,包括有效Coss,以简化设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用:高频DC-DC转换器。 无铅
    数据手册
    • 1+

      ¥3.657 ¥6.9
    • 10+

      ¥2.4811 ¥5.77
    • 30+

      ¥1.6995 ¥5.15
    • 100+

      ¥1.4652 ¥4.44
    • 500+

      ¥1.3629 ¥4.13
    • 1000+

      ¥1.3167 ¥3.99
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥4.0828 ¥6.92
    • 10+

      ¥3.0821 ¥6.29
    • 50+

      ¥2.3205 ¥5.95
    • 100+

      ¥2.1684 ¥5.56
    • 500+

      ¥2.0982 ¥5.38
    • 1000+

      ¥2.0709 ¥5.31
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的制造工艺,以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计师提供了一种极为高效的器件,可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.59
    • 30+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.9
  • 有货
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