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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
数据手册
  • 1+

    ¥3.95
  • 10+

    ¥3.16
  • 30+

    ¥2.77
  • 100+

    ¥2.38
  • 有货
  • CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    • 1+

      ¥19.62
    • 10+

      ¥16.63
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      ¥14.85
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      ¥13.05
  • 有货
  • 特性:650V发射极控制技术。 关键参数的温度稳定性。 低正向电压 (VF)。 低反向恢复电荷 (Qrr)。 低反向恢复电流 (Irm)。 软度系数 ±1。应用:空调功率因数校正。 通用驱动器 (GPD)
    数据手册
    • 1+

      ¥20.0007 ¥28.17
    • 10+

      ¥16.4639 ¥26.99
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      ¥13.3977 ¥26.27
    • 90+

      ¥13.0917 ¥25.67
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥20.95
    • 10+

      ¥18
    • 30+

      ¥16.16
    • 100+

      ¥14.26
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 超低导通电阻Rds(on)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥21.56
    • 10+

      ¥18.34
    • 30+

      ¥16.43
    • 100+

      ¥14.5
  • 有货
  • 特性:650V 发射极控制技术。 关键参数的温度稳定性。 低正向电压 (VF)。 低反向恢复电荷 (Qrr)。 低反向恢复电流 (Irr(m))。 最高结温 175°C。应用:空调。 通用驱动器 (GPD)
    数据手册
    • 1+

      ¥21.6343 ¥32.29
    • 10+

      ¥17.6358 ¥30.94
    • 30+

      ¥14.1517 ¥30.11
    • 90+

      ¥13.8274 ¥29.42
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术。 超低栅极电荷和超低有效电容。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 通过汽车AEC Q101认证。 环保封装(符合RoHS标准)。应用:汽车应用的DC/DC转换器
    • 1+

      ¥23.52
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      ¥22.92
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      ¥22.52
    • 100+

      ¥22.12
  • 有货
  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复 / 无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用:开关电源(如连续导通模式功率因数校正)。 电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥24.55
    • 10+

      ¥23.38
    • 50+

      ¥22.67
    • 100+

      ¥22.07
  • 有货
  • PSoC 4100S Plus 是一种可扩展和可重新配置的平台架构,适用于一系列基于 Arm CorteX-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块,并具有灵活的自动布线功能。PSoC 4100S Plus 结合了带有标准通信和定时外设的微控制器、具有同类最佳性能的电容触摸感应系统(CapSense)、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性。PSoC 4100S Plus 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员向上兼容,以满足新的应用和设计需求。
    • 1+

      ¥25.67
    • 10+

      ¥24.46
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      ¥23.72
    • 100+

      ¥23.1
  • 有货
  • CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势,同时不牺牲易用性
    数据手册
    • 1+

      ¥27.59
    • 10+

      ¥23.77
    • 30+

      ¥21.5
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      ¥19.21
  • 有货
    • 1+

      ¥36.65
    • 10+

      ¥31.55
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      ¥28.44
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      ¥25.83
  • 有货
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      ¥64.89
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      ¥49.8
    • 100+

      ¥45
  • 有货
  • 特性:高速IGBT H3。低电感设计。低开关损耗。应用:3-Level-应用。太阳能应用
    • 1+

      ¥275
    • 30+

      ¥265
  • 有货
  • 适用于音频输入级和驱动应用,具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压、30Hz至15kHz之间低噪声的特点,互补类型为BC846-BC850(NPN),采用无铅(符合RoHS标准)封装,根据AEC Q101标准认证。
    • 5+

      ¥0.5276
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      ¥0.4601
    • 150+

      ¥0.4264
    • 500+

      ¥0.4012
    • 3000+

      ¥0.3809
  • 有货
  • 特性:低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:SMBT2222A / MMBT2222A(NPN)。 无铅(符合RoHS标准)封装。 根据AEC Q101标准认证
    数据手册
    • 5+

      ¥0.567021 ¥0.6097
    • 50+

      ¥0.408609 ¥0.4923
    • 150+

      ¥0.316528 ¥0.4336
    • 500+

      ¥0.284408 ¥0.3896
    • 3000+

      ¥0.258639 ¥0.3543
    • 6000+

      ¥0.245791 ¥0.3367
  • 有货
    • 5+

      ¥0.6219
    • 50+

      ¥0.4977
    • 150+

      ¥0.4355
    • 500+

      ¥0.3889
    • 2500+

      ¥0.3516
    • 5000+

      ¥0.333
  • 有货
  • N沟道,20V,1.2A,250mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6688
    • 50+

      ¥0.5272
    • 150+

      ¥0.4563
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6971
    • 50+

      ¥0.5771
    • 150+

      ¥0.5171
    • 500+

      ¥0.4721
  • 有货
  • 适用于集电极电流在5 mA至30 mA、频率高达2 GHz的低失真放大器和振荡器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.257
    • 50+

      ¥1.0051
    • 150+

      ¥0.8972
    • 500+

      ¥0.7625
  • 有货
  • N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V
    数据手册
    • 50+

      ¥1.144125
    • 500+

      ¥1.059375
    • 1000+

      ¥1.017
    • 5000+

      ¥0.974625
    • 10000+

      ¥0.9492
    非常简便的LED恒流驱动IC
    数据手册
    • 5+

      ¥2.373
    • 50+

      ¥1.9079
    • 150+

      ¥1.7085
  • 有货
  • 特性:ESD / 瞬态保护高速数据线,超过 IEC61000-4-2 (ESD):±20 kV(空气/接触),IEC61000-4-4 (EFT):±50 A(5/50 ns),IEC61000-4-5 (浪涌):±3 A(8/20 s)。 最大工作电压:VRWM 5.3 V。 极低电容:低至 0.4 pF。应用:ESD / 瞬态保护高速接口:HDMI、USB 2.0/USB 3.0、DisplayPort、DVI、移动 HDMI 链路、MDDI、MIP1、10/100/1000 以太网、Firewire、S-ATA 等
    数据手册
    • 1+

      ¥2.68
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
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      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.44
  • 有货
  • CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
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      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.03
    • 100+

      ¥1.69
    • 500+

      ¥1.52
  • 有货
  • P沟道,30V,70A,6.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.16
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      ¥2.79
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      ¥2.32
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。卓越的热阻。N沟道,正常电平。100%雪崩测试。无铅电镀;符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了资格认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • 这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术,以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一款极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域
    数据手册
    • 1+

      ¥3.45
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.44
    • 100+

      ¥2.01
    • 500+

      ¥1.81
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • 特性:用于开关电源的快速开关MOSFET。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道,逻辑电平。 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥2.96
    • 30+

      ¥2.65
    • 100+

      ¥2.25
    • 500+

      ¥1.97
  • 有货
  • N沟道,60V,11A,10mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥3
    • 30+

      ¥2.64
    • 100+

      ¥2.28
    • 500+

      ¥2.07
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.26
    • 30+

      ¥2.9
    • 100+

      ¥2.53
    • 500+

      ¥2.01
  • 有货
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