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1个N沟道耐压:650V 电流:78A

型号：IPL60R125P7AUMA1 编号：C3289363

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥13.34
10+
￥11.38
30+
￥10.15
100+
￥8.89

有货

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SPI电源控制器

型号：BTS71220-4ESA 编号：C534846

封装：TSDSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS71220-4ESA是一款SPI功率控制器，具备保护和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

数据手册

1+
￥16.64
10+
￥16.24
30+
￥15.97
100+
￥14.86

有货

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TLE9263QX

型号：TLE9263QX 编号：C7602531

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款采用外露焊盘VQFN-48（7mm x 7mm）功率封装的单片集成电路，具有引脚尖端检测（LTI）功能，以支持自动光学检测（AOL）。该器件专为各种CAN-LIN汽车应用而设计，作为微控制器的主电源。

1+
￥19.13
10+
￥18.09
30+
￥17.48
100+
￥16.85
500+
￥16.56
1000+
￥16.43

有货

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1个N沟道电流:16A

型号：IPW60R120P7 编号：C537467

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

数据手册

1+
￥20.2475 ￥22.75
10+
￥17.1351 ￥21.69
30+
￥14.5245 ￥21.05
90+
￥14.0829 ￥20.41
480+
￥13.8759 ￥20.11
960+
￥13.7862 ￥19.98

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1个N沟道耐压:40V 电流:270A

型号：IRF7739L1TRPBF 编号：C537822

封装：MG-WDSON-11

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大程度提高电源系统的热传递效率

数据手册

1+
￥21.95
10+
￥20.78
30+
￥20.08
100+
￥19.38
500+
￥19.05

有货

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650V 42A

型号：IDFW40E65D1E 编号：C535850

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。软度系数 ±1。应用：空调功率因数校正。通用驱动器 (GPD)

数据手册

1+
￥21.9726 ￥28.17
10+
￥18.3532 ￥26.99
30+
￥15.2366 ￥26.27
90+
￥14.8886 ￥25.67

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:17A

型号：IPB80R290C3A 编号：C536685

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新型革命性高压技术。超低栅极电荷和超低有效电容。极高的dv/dt额定值。高峰值电流能力。通过汽车AEC Q101认证。环保封装（符合RoHS标准）。应用：汽车应用的DC/DC转换器

1+
￥23.52
10+
￥22.92
30+
￥22.52
100+
￥22.12

有货

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PSoC 4 可编程片上系统

型号：CY8C4147AZI-S465 编号：C22951364

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：Infineon(英飞凌)

PSoC 4100S Plus 是一种可扩展和可重新配置的平台架构，适用于一系列基于 Arm CorteX-M0+ CPU 的可编程嵌入式系统控制器。它结合了可编程和可重新配置的模拟与数字模块，并具有灵活的自动布线功能。PSoC 4100S Plus 结合了带有标准通信和定时外设的微控制器、具有同类最佳性能的电容触摸感应系统（CapSense）、可编程通用连续时间和开关电容模拟模块以及可编程连接性。PSoC 4100S Plus 产品将与 PSoC 4 平台的其他成员向上兼容，以满足新的应用和设计需求。

1+
￥24.83
10+
￥23.62
30+
￥22.88
100+
￥22.26

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:155A

型号：IPT059N15N3ATMA1 编号：C3278549

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，标准电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。工作温度达175°C。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。符合JEDEC标准。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥31.51
10+
￥26.71
30+
￥23.86
100+
￥20.97

有货

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600V 20A

型号：SPW20N60S5 编号：C539323

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改进的跨导。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥49.97
10+
￥42.67
30+
￥38.22
100+
￥34.49

有货

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降压型 12A 1.5V~16V

型号：IR3840MTRPBF 编号：C537713

封装：QFN-14(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3840 SupIRBuckTM 是一款易于使用、高度集成且高效的 DC/DC 同步降压稳压器。与片上 PWM 控制器共封装的 MOSFET 使 IR3840 成为节省空间的解决方案，可为低输出电压应用提供精确的功率传输。IR3840 是一款多功能稳压器，可在宽输入和输出电压范围内工作，同时提供启动时间、开关频率和电流限制的可编程性。开关频率可在 250kHz 至 1.5MHz 范围内编程，以实现最佳解决方案。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、打嗝式电流限制和热关断，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

1+
￥54.23
10+
￥46.15
30+
￥41.23
100+
￥37.1

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:55A

型号：IPW60R055CFD7XKSA1 编号：C6211003

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥56.43
10+
￥49.65
30+
￥45.51

有货

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控制集成电源系统双列直插式智能功率模块 3Φ桥

型号：IKCM15L60GD 编号：C536159

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块家族可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

数据手册

1+
￥68.28
10+
￥60.09
28+
￥55.1

有货

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4件套 62mm C系列模块，采用快速沟槽/场截止型IGBT4和优化型发射极控制二极管

型号：FF200R12KT4 编号：C541002

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥358
10+
￥349.9

有货

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1.2kV 700A

型号：FZ600R12KS4 编号：C535645

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT模块

数据手册

1+
￥833.98
30+
￥798

有货

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电压:40V 电流:250mA

型号：BAT6404E6327HTSA1 编号：C513276

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。

数据手册

5+
￥0.5622
50+
￥0.4462
150+
￥0.3882
500+
￥0.3447

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:8.3A

型号：IRLTS6342TRPBF 编号：C152628

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,8.3A,17.5mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.8284
50+
￥0.6604
150+
￥0.5763
500+
￥0.5133
3000+
￥0.4629
6000+
￥0.4377

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:2.6A

型号：IRFL4315TRPBF 编号：C537930

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，以减少开关损耗。全面表征的电容，包括有效Coss，以简化设计。全面表征的雪崩电压和电流。无铅。应用：高频DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.2522
50+
￥0.9713
150+
￥0.8509
500+
￥0.7007

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:3.7A

型号：IPU60R2K1CE 编号：C476112

封装：TO-251

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥2.1924 ￥2.61
10+
￥1.932 ￥2.3
30+
￥1.8228 ￥2.17
75+
￥1.6884 ￥2.01
525+
￥1.6296 ￥1.94
975+
￥1.5876 ￥1.89

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:0.12A

型号：BSP125H6327 编号：C123756

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N 沟道,Vds=600V,Id=0.12A

数据手册

5+
￥2.3201
50+
￥1.8311
150+
￥1.6216

有货

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输出60mA

型号：BCR402RE6327 编号：C129162

封装：SOT-143R

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种经济高效的LED驱动器，用于驱动低功率LED。与电阻偏置相比，具有以下优点：尽管不同LED串的正向电压不同，但光输出均匀；尽管电源线上有电压降，但LED的光输出均匀；光输出与电源电压变化无关；由于在较高温度下输出电流降低（负热系数），LED的使用寿命更长。与分立解决方案相比，具有以下优点：更低的组装成本；更小的外形尺寸；由于焊接点较少，质量更好；由于预测试的LED驱动器，输出电流精度更高。可以通过在接地引脚处使用外部数字晶体管来实现调光。通过在电源和LED驱动器的电源引脚之间放置LED，可以在更高的电源电压下运行。

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.87
30+
￥1.64
100+
￥1.36
500+
￥1.23
1000+
￥1.15

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IRFR7540TRPBF 编号：C3007637

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.57
30+
￥2.42
100+
￥2.28
500+
￥1.89

有货

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OptiMOs 3功率晶体管

型号：IPD220N06L3 G 编号：C536741

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化的技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 N沟道，逻辑电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥2.9896 ￥4.04
10+
￥2.6936 ￥3.64
30+
￥2.5456 ￥3.44
100+
￥2.3976 ￥3.24
500+
￥2.3088 ￥3.12
1000+
￥2.2644 ￥3.06

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:42A

型号：IRLR2905ZTRPBF 编号：C68209

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,42A,13.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.09
10+
￥2.44
30+
￥2.16
100+
￥1.81
500+
￥1.65
1000+
￥1.56

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:172A

型号：IRFB7440PBF 编号：C48044

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,172A,2.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.69
50+
￥2.29
100+
￥1.93
500+
￥1.77

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：BSZ086P03NS3G 编号：C459171

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用S308封装，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.77
30+
￥2.47
100+
￥2.1
500+
￥1.81

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:5A

型号：IRFU220NPBF 编号：C3027

封装：TO-251(IPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,5A,600mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.59
10+
￥2.84
30+
￥2.52

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：BSC100N06LS3G 编号：C72767

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.14
30+
￥2.78
100+
￥2.44
500+
￥1.94

有货

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霍尔效应开关

型号：TLE4913HTSA1 编号：C126654

封装：SC-59

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4913是一款集成霍尔效应传感器，专为满足低功耗设备的需求而设计，例如用作电池工作电压为2.4V - 5.5V的翻盖式手机的开关。通过独特的内部电路设计，可实现精确的磁开关点和高温度稳定性。

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥3.41
30+
￥3.05
100+
￥2.7
500+
￥2.38

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:42A

型号：IRFR4104TRPBF 编号：C513166

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的工艺技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥4.41 ￥5.25
10+
￥3.5372 ￥4.78
30+
￥2.8864 ￥4.51
100+
￥2.7008 ￥4.22
500+
￥2.6176 ￥4.09
1000+
￥2.5792 ￥4.03

有货

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