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1个N沟道耐压:600V 电流:14.7A

型号：IPA60R400CE 编号：C412738

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。

数据手册

1+
￥4.05
10+
￥3.33
50+
￥2.77

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:6.2A

型号：IRF7241TRPBF 编号：C150904

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-40V,-6.2A,41mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.75
10+
￥3.8
30+
￥3.33

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:27A

型号：IRFR4105TRPBF 编号：C500532

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 27A

数据手册

1+
￥5.36
10+
￥4.4
30+
￥3.92
100+
￥3.44

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:91A

型号：IRFR1010ZTRPBF 编号：C2980616

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

HEXFET功率MOSFET利用最新的处理技术，实现了每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

1+
￥5.44
10+
￥4.6248 ￥4.92
30+
￥3.8976 ￥4.64
100+
￥3.6288 ￥4.32
500+
￥3.5112 ￥4.18
1000+
￥3.4608 ￥4.12

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:50A

型号：IPD50P04P4L11 编号：C386372

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -40V -50A

数据手册

1+
￥5.74
10+
￥4.58
30+
￥4
100+
￥3.43
500+
￥3.08

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:90A

型号：BSC060N10NS3G 编号：C501504

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。为直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.93
10+
￥4.72
30+
￥4.12

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IRF1404ZPBF 编号：C2608

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,180A,3.7mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.22
10+
￥4.95
50+
￥4.32
100+
￥3.69
500+
￥3.31

有货

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耐压:40V 电流:121A

型号：IPP026N04NF2S 编号：C5359107

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥6.47
10+
￥5.8
50+
￥5.43
100+
￥5.02
500+
￥4.83

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:33A

型号：IRFP140NPBF 编号：C2672

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,33A,52mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.6
10+
￥5.48
25+
￥4.87
100+
￥4.17

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IPB037N06N3 G 编号：C536503

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥6.01
30+
￥5.64
100+
￥5.23
500+
￥5.04

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:101A

型号：BSZ040N06LS5 编号：C3279309

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥7.19
10+
￥6
30+
￥5.35
100+
￥4.61

有货

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1个N沟道耐压:950V 电流:14A

型号：IPD95R450P7 编号：C3289115

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ P7系列为950V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。

1+
￥8.1
10+
￥6.66
30+
￥5.87
100+
￥4.98
500+
￥4.58

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:120A

型号：IPB029N06NF2S 编号：C5359110

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.46
10+
￥7.72
30+
￥7.26
100+
￥6.79
500+
￥6.57

有货

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2个N沟道耐压:55V 电流:5.1A

型号：AUIRF7341QTR 编号：C533278

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

专为汽车应用设计，双SO-8封装的功率MOSFET利用最新处理技术，实现每硅面积极低的导通电阻。这些经过汽车认证的功率MOSFET的额外特性包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优点结合在一起，使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。高效的SO-8封装提供增强的热特性和双MOSFET管芯能力，使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8可以显著减少电路板空间，也有卷带包装形式。

数据手册

1+
￥8.94
10+
￥7.32
30+
￥6.43
100+
￥5.43
500+
￥4.98

有货

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N沟道耐压:250V 电流:60A

型号：IRFB4332PBF 编号：C19941

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,120A,29mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.99
10+
￥7.36
50+
￥6.47
100+
￥5.46

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:200A

型号：IAUA200N04S5N010 编号：C535690

封装：HSOF-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥9.13
10+
￥7.16
30+
￥6.07
100+
￥4.84

有货

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单通道智能高端功率开关

型号：BTS4300SGAXUMA1 编号：C454916

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4300SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

数据手册

1+
￥9.34
10+
￥7.84
30+
￥6.89
100+
￥5.92

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:380A

型号：IRLS3034TRL7PP 编号：C538184

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥9.678 ￥16.13
10+
￥7.685 ￥15.37
30+
￥5.968 ￥14.92
100+
￥5.788 ￥14.47
500+
￥5.704 ￥14.26
800+
￥5.664 ￥14.16

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IPD038N06N3G 编号：C83342

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,90A,3.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥9.68
10+
￥7.92
30+
￥6.95
100+
￥5.86
500+
￥5.37

有货

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StrongIRFET M2功率晶体管

型号：IPB018N06NF2S 编号：C5359109

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥9.75
10+
￥8.9
30+
￥8.37
100+
￥7.82
500+
￥7.58

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：IPA032N06N3 G 编号：C536306

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器优化技术。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。N沟道，正常电平。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥9.952 ￥15.55
10+
￥7.7382 ￥14.33
50+
￥5.9708 ￥13.57
100+
￥5.6276 ￥12.79
500+
￥5.4736 ￥12.44
1000+
￥5.4032 ￥12.28

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:84A

型号：IPA029N06N 编号：C536303

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

数据手册

1+
￥10.1312 ￥15.83
10+
￥8.1486 ￥15.09
50+
￥6.4416 ￥14.64
100+
￥6.248 ￥14.2
500+
￥6.1556 ￥13.99
1000+
￥6.116 ￥13.9

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:17A

型号：SPP17N80C3 编号：C36789

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,17A,290mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.46
10+
￥8.87
50+
￥7.34
100+
￥6.36

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:195A

型号：IRFB7430PBF 编号：C386335

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 40V 195A

数据手册

1+
￥10.6
10+
￥8.98
50+
￥7.38
100+
￥6.37

有货

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IPB80P04P4-05

型号：IPB80P04P4-05 编号：C536680

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥11.34
10+
￥10.33
30+
￥9.71
100+
￥9.06
500+
￥8.77

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:42A

型号：IRFP150MPBF 编号：C2673

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,42A,36mΩ@10V

数据手册

1+
￥11.52
10+
￥9.87
25+
￥7.53
100+
￥6.47
400+
￥5.99

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650V 18A

型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥11.5388 ￥12.68
10+
￥9.4689 ￥11.69
50+
￥7.8526 ￥11.06
100+
￥7.4053 ￥10.43
500+
￥7.1994 ￥10.14
1000+
￥7.1071 ￥10.01

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1个N沟道耐压:30V 电流:40A

型号：BSZ019N03LS 编号：C152374

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,22A,1.9mΩ@10V

数据手册

1+
￥12.07
10+
￥10.31
30+
￥9.22
100+
￥4.3686 ￥8.09
500+
￥4.0932 ￥7.58
1000+
￥3.9744 ￥7.36

有货

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适用于汽车应用的带LIN和功率开关的微控制器

型号：TLE9842-2QX 编号：C540170

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：32位ARM Cortex-M0内核。高达40 MHz时钟频率。每个机器周期一个时钟架构。单周期乘法器

数据手册

1+
￥13.51
10+
￥12.74
30+
￥12.28
100+
￥11.81
500+
￥11.6
1000+
￥11.5

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：IPD90N06S404ATMA2 编号：C3289153

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。AEC 认证。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）。100% 雪崩测试

1+
￥13.56
10+
￥11.59
30+
￥10.35
100+
￥9.09
500+
￥8.52
1000+
￥8.27

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最快4小时发货
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