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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
型号：IRFS3607TRLPBF 编号：C22162
封装：D2PAK
品牌：Infineon(英飞凌)
N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
数据手册

  • 1+

    ￥5.16

  • 10+

    ￥4.12

  • 30+

    ￥3.6

  • 100+

    ￥3.09
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
    型号：BSS169H6906XTSA1 编号：C3278605
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)

    • 1+

      ￥5.24

    • 10+

      ￥4.3

    • 30+

      ￥3.84

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      ￥3.37

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      ￥3.1

    • 1000+

      ￥2.95
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
    型号：IRLZ34NPBF 编号：C513144
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。对于所有功率耗散水平约达50瓦的商业和工业应用，TO - 220封装是普遍首选
    数据手册

    • 1+

      ￥5.27

    • 10+

      ￥4.28

    • 50+

      ￥3.47

    • 100+

      ￥2.98

    • 500+

      ￥2.68
  • 有货
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    OptiMOST2功率晶体管
    型号：IPG20N04S4-09 编号：C536929
    封装：TDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：双N沟道正常电平增强模式。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥5.36

    • 10+

      ￥4.82

    • 30+

      ￥4.53

    • 100+

      ￥4.19

    • 500+

      ￥4.04
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:700V 电流:7.5A
    型号：IPA70R360P7S 编号：C536413
    封装：TO-220FP-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化的平台，适用于对成本敏感的消费市场应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.4

    • 10+

      ￥4.089 ￥4.35

    • 50+

      ￥3.2172 ￥3.83

    • 100+

      ￥2.7804 ￥3.31

    • 500+

      ￥2.52 ￥3

    • 1000+

      ￥2.3856 ￥2.84
  • 有货
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    650V 16A
    型号：IDP08E65D1 编号：C535906
    封装：TO-220AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：650V发射极控制技术。 关键参数的温度稳定性好。 低正向电压 (Vr)。 超快速恢复。 低反向恢复电荷 (Qrr)。 低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管
    数据手册

    • 1+

      ￥5.6 ￥8.75

    • 10+

      ￥4.3578 ￥8.07

    • 50+

      ￥3.3616 ￥7.64

    • 100+

      ￥3.168 ￥7.2

    • 500+

      ￥3.08 ￥7

    • 1000+

      ￥3.0404 ￥6.91
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：IAUC100N04S6N022 编号：C535695
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平-AEC Q101认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥5.66

    • 10+

      ￥4.54

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      ￥3.98

    • 100+

      ￥3.42
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:76A
    型号：IRFB4127PBF 编号：C413498
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥5.97

    • 10+

      ￥4.82

    • 30+

      ￥4.25

    • 100+

      ￥3.68
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:49A
    型号：IRFZ44NSTRLPBF 编号：C58228
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.1

    • 10+

      ￥5.01

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      ￥4.47

    • 100+

      ￥3.93
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
    型号：BSC047N08NS3G 编号：C501500
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了优化。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。N沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥6.3726 ￥11.18

    • 10+

      ￥4.8833 ￥10.39

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      ￥3.663 ￥9.9

    • 100+

      ￥3.2486 ￥8.78

    • 500+

      ￥3.1635 ￥8.55

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      ￥3.1265 ￥8.45
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:149A
    型号：BSZ019N03LS 编号：C5358566
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。 对于高频开关电源具有非常低的Qoss品质因数。 对于高频开关电源具有低的SW品质因数。 出色的栅极电荷x导通电阻乘积（品质因数）。 在栅源电压为4.5V时具有非常低的导通电阻。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

    • 1+

      ￥6.45

    • 10+

      ￥5.8

    • 30+

      ￥5.44

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      ￥5.04

    • 500+

      ￥4.86

    • 1000+

      ￥4.78
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:30A
    型号：IRLR3915TRPBF 编号：C66853
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,55V,30A,14mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.83

    • 10+

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      ￥5.03

    • 100+

      ￥4.44

    • 500+

      ￥4.08
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    600V CoolMOS P6功率晶体管
    型号：IPA60R190P6 编号：C536362
    封装：TO-220FP-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.23

    • 10+

      ￥6

    • 50+

      ￥5.33

    • 100+

      ￥4.57
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:56A
    型号：IRFR4510TRPBF 编号：C83843
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,63A,13.9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥8.02

    • 10+

      ￥6.73

    • 30+

      ￥6.02
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
    型号：IRL540NSTRLPBF 编号：C513158
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第五代 HEXFET 功率场效应晶体管采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，适用于各种应用场景。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达 HEX - 4 的芯片
    数据手册

    • 1+

      ￥8.3

    • 10+

      ￥6.89

    • 30+

      ￥6.12

    • 100+

      ￥5.25

    • 500+

      ￥4.86
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IPP062NE7N3 G 编号：C537143
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：优化同步整流技术。 适用于高频开关和DC/DC转换器。 出色的栅极电荷×R_D(S(on))乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准，无卤素。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册

    • 1+

      ￥8.32 ￥13

    • 10+

      ￥6.4692 ￥11.98

    • 50+

      ￥4.9896 ￥11.34

    • 100+

      ￥4.7036 ￥10.69

    • 500+

      ￥4.5716 ￥10.39

    • 1000+

      ￥4.5144 ￥10.26
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:13A
    型号：IPLK60R360PFD7 编号：C537054
    封装：TDSON-8-EP(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个优化的平台，适用于消费市场对成本敏感的应用，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，兼具出色的性价比和先进的易用性。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，可实现非常纤薄的设计。
    数据手册

    • 1+

      ￥8.62

    • 10+

      ￥7.25

    • 30+

      ￥6.5

    • 100+

      ￥4.7
  • 有货
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    N沟道 耐压:40V 电流:195A
    型号：BSC014N04LSI 编号：C2934854
    封装：TDSON-8FL
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对同步整流进行优化。 集成单片肖特基类二极管。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道，逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性
    数据手册

    • 1+

      ￥9.08

    • 10+

      ￥7.69

    • 30+

      ￥6.92

    • 100+

      ￥6.06
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:130A
    型号：IRFB4310PBF 编号：C454255
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥9.1

    • 10+

      ￥7.83

    • 50+

      ￥7.04

    • 100+

      ￥6.23
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:78A
    型号：IPP052N08N5 编号：C537137
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥9.2032 ￥14.38

    • 10+

      ￥7.1604 ￥13.26

    • 50+

      ￥5.522 ￥12.55

    • 100+

      ￥5.2052 ￥11.83

    • 500+

      ￥5.06 ￥11.5

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      ￥4.9984 ￥11.36
  • 有货
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    ICL5102 PFC + 谐振半桥控制器用于LED驱动器
    型号：ICL5102XUMA2 编号：C571252
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon(英飞凌)
    ICL5102是一款高度集成的多模式（临界连续模式和不连续模式）PFC和谐振半桥组合控制器。将PFC和HB集成到单个控制器中，可以减少外部元件数量，并通过两个阶段的协调工作优化性能。两阶段方法将PFC职责与输出电流调节功能分开。这确保了输出电压和电流的变化很小，并允许低THD、高功率因数以及更强的抗交流线路干扰能力。PFC转换器的多模式操作在整个负载范围内提供了出色的效率。谐振HB转换器支持LLC和LCC拓扑结构，并具有固定或可变开关频率控制，以实现最高效率，而ABM则实现了低待机功耗。全面的保护功能与自动重启功能确保了组件和整个系统的最高安全性和可靠性。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.38

    • 10+

      ￥7.92

    • 30+

      ￥7.12

    • 100+

      ￥6.22
  • 有货
    • 立即购买
    智能高端功率开关
    型号：BSP752R 编号：C112644
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管，具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。
    数据手册

    • 1+

      ￥9.57

    • 10+

      ￥8.02

    • 30+

      ￥7.05

    • 100+

      ￥6.06
  • 有货
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    HEXFET功率MOSFET
    型号：IRFB4615PBF 编号：C537864
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册

    • 1+

      ￥9.76

    • 10+

      ￥8.55

    • 50+

      ￥6.85

    • 100+

      ￥6.1
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:800V 电流:8A
    型号：IPD80R600P7 编号：C536890
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，它将一流的性能与最先进的易用性完美结合，这得益于超过18年超结技术的开创性创新。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.21

    • 10+

      ￥8.59

    • 30+

      ￥7.7

    • 100+

      ￥6.06
  • 有货
    • 立即购买
    第三代碳化硅肖特基二极管
    型号：IDH04SG60C 编号：C5361092
    封装：TO-220-2
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关行为基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关行为。 高浪涌电流能力。应用：SMPS（如CCM PFC）。 电机驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥15.26

    • 10+

      ￥12.47

    • 50+

      ￥10.72

    • 100+

      ￥8.93
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:209A
    型号：IRFP2907PBF 编号：C38573
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,209A,4.5mΩ@10V
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:183A
    型号：IRFS7734TRLPBF 编号：C406802
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:148A
    型号：IRF7748L1TRPBF 编号：C537824
    封装：MG-WDSON-9
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
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    2.75V38dB
    型号：IM73A135V01XTSA1 编号：C3171831
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    设计用于需要高信噪比（低自噪声）、低失真（高AOP）且具备IP57防尘防水能力麦克风的应用。具备73dB(A)的一流信噪比，可实现远场和低音量音频拾取。平坦的频率响应（20Hz低频滚降）和严格的制造公差提高了多麦克风阵列应用的性能。高性能模拟麦克风ASIC包含极低噪声前置放大器和高性能差分输出放大器。可选择不同的电源模式以满足特定的电流消耗要求。每个麦克风都采用先进的英飞凌校准算法进行校准，灵敏度公差小（±1dB）。
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:31A
    型号：IPW60R120C7 编号：C537466
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。
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