英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRLTS6342TRPBF 编号：C152628

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,8.3A,17.5mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥0.8284
50+
￥0.6604
150+
￥0.5763
500+
￥0.5133
3000+
￥0.4629
6000+
￥0.4377

有货

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型号：BSS126IXTSA1 编号：C3288820

封装：SOT-23-3-5

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。耗尽模式。dv/df额定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。完全符合JEDEC工业应用标准

5+
￥0.9684
50+
￥0.7617
150+
￥0.6731
500+
￥0.5626

有货

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型号：BFR106E6327 编号：C439780

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高线性度低噪声。 900 MHz、8 V、70 mA 条件下，OP1dB 为 22 dBm，OIP3 为 31 dBm。集电极设计支持 5 V 电源电压。无铅（符合 RoHS 标准）封装。可提供根据 AEC-Q101 的认证报告。应用：UHF / VHF 应用。多级放大器驱动

数据手册

5+
￥1.01025 ￥1.1225
50+
￥0.99216 ￥1.1024
150+
￥0.9801 ￥1.089
500+
￥0.96804 ￥1.0756

有货

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型号：BSS606NH6327 编号：C151515

封装：SOT-89

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,3.2A,60mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.1561
50+
￥0.9192
150+
￥0.8177

有货

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型号：BSS159N H6327 编号：C534606

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。耗尽模式。dv/dt额定。卷轴上带有VGS(th)指示器。根据AEC Q101标准认证。100%无铅；无卤素，符合RoHS标准

数据手册

5+
￥1.2422
50+
￥0.9781
150+
￥0.865
500+
￥0.7237

有货

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型号：BGX50AE6327 编号：C74966

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：桥接配置。高速开关二极管芯片。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

数据手册

5+
￥1.40316 ￥1.5945
50+
￥1.152096 ￥1.3092
150+
￥1.044472 ￥1.1869
500+
￥0.910184 ￥1.0343
3000+
￥0.720104 ￥0.8183
6000+
￥0.684288 ￥0.7776

有货

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型号：BAT60BE6327 编号：C91059

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管大电流整流肖特基二极管，正向压降（VF）极低（在正向电流（IF）为10mA时，典型值为0.24V）适用于电源应用适用于低压应用中的钳位和保护适用于检测和升压转换无铅（符合RoHS标准）封装符合AEC Q101标准

数据手册

5+
￥1.4383
50+
￥1.1334
150+
￥1.0028
500+
￥0.8398
3000+
￥0.6847
6000+
￥0.6412

有货

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型号：BSC0906NS 编号：C534384

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。针对干净的开关进行优化。 100% 雪崩测试。卓越的热阻。 N 沟道。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

数据手册

5+
￥1.6129
50+
￥1.2597
150+
￥1.1084
500+
￥0.9195

有货

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型号：IRFTS9342TRPBF 编号：C538060

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：行业标准TSOP-6封装。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，通过消费级认证。多供应商兼容。更环保。可靠性更高。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。系统/负载开关

数据手册

5+
￥1.6603
50+
￥1.2935
150+
￥1.1363
500+
￥0.9402
3000+
￥0.8529
6000+
￥0.8005

有货

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型号：BSR316P H6327 编号：C534589

封装：SC-59-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。逻辑电平。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准。封装尺寸与SOT23兼容。根据AEC Q101认证。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥1.96
10+
￥1.73
30+
￥1.63
100+
￥1.5
500+
￥1.45
1000+
￥1.42

有货

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型号：BCR420UE6327 编号：C129165

封装：SC-74-6

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

5+
￥2.0993
50+
￥1.7093
150+
￥1.5422
500+
￥1.3337
3000+
￥1.0822
6000+
￥1.0265

有货

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型号：IRFH8334TRPBF 编号：C152623

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低热阻至PCB (< 4.1℃/W)。低外形 (< 1.2mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，消费级认证。应用：高频降压转换器的控制MOSFET

1+
￥2.24
10+
￥1.98
30+
￥1.87
100+
￥1.72
500+
￥1.66
1000+
￥1.62

有货

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型号：BSZ440N10NS3G 编号：C476115

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥2.78
10+
￥2.22
30+
￥1.99
100+
￥1.69
500+
￥1.56

有货

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型号：IRFR7540TRPBF 编号：C3007637

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.57
30+
￥2.42
100+
￥2.28
500+
￥1.89

有货

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型号：BCP49H6327XTSA1 编号：C5952067

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于一般音频应用。高集电极电流。高电流增益。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

1+
￥2.92
10+
￥2.27
30+
￥1.99
100+
￥1.65
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

有货

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型号：BSP613PH6327 编号：C534578

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道增强模式。雪崩额定。 dv/dt额定。适用于快速开关降压转换器。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据AEC Q101进行认证。根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.08
10+
￥2.39
30+
￥2.09
100+
￥1.72
500+
￥1.56

有货

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型号：ISP25DP06LMS 编号：C538450

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。在VDS = -4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.79
30+
￥2.63
100+
￥2.47
500+
￥2.37
1000+
￥2.32

有货

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型号：IPD350N06LGBTMA1 编号：C3289137

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于快速开关转换器和同步整流。 N沟道增强型逻辑电平。工作温度175℃。雪崩额定。无铅镀铅，符合RoHS标准

1+
￥3.141 ￥3.49
10+
￥2.826 ￥3.14
30+
￥2.673 ￥2.97
100+
￥2.52 ￥2.8
500+
￥2.475 ￥2.75
1000+
￥2.421 ￥2.69

有货

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型号：BSC030N03LSGATMA1 编号：C6753338

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对直流-直流转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻积（品质因数）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥3.46
10+
￥2.73
30+
￥2.41
100+
￥2.02
500+
￥1.85

有货

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型号：BSZ086P03NS3G 编号：C459171

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，采用S308封装，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.77
30+
￥2.47
100+
￥2.1
500+
￥1.81

有货

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型号：IRFR3710ZTRPBF 编号：C52839

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,42A,18mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.31
10+
￥3.43
30+
￥2.99
100+
￥2.56

有货

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型号：IPD180N10N3GATMA1 编号：C3279048

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 认证，适用于目标应用。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

1+
￥4.38
10+
￥3.85
30+
￥3.59
100+
￥3.33

有货

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型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥4.48
10+
￥3.82
50+
￥2.85
100+
￥2.52

有货

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型号：BSC020N03LS G 编号：C386344

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：快速开关MOSFET，适用于开关电源。针对DC/DC转换器进行优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格鉴定。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.64
10+
￥4.1
30+
￥3.84
100+
￥3.57
500+
￥3.41
1000+
￥3.33

有货

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型号：BSZ028N04LS 编号：C534649

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。在 VDS 为 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N 沟道。符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准，无卤素。扩大源极互连，提高焊点可靠性

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