英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSP171PH6327 编号：C151492

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,60V,1.9A,300mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.66
10+
￥5.24
30+
￥4.46
100+
￥3.57
500+
￥3.18

有货

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型号：IRFP9140NPBF 编号：C2685

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥5.59
25+
￥4.95
100+
￥4.31

有货

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型号：ISC230N10NM6ATMA1 编号：C3278635

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。极低反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行优化。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1+
￥7.44
10+
￥6.25
30+
￥5.6
100+
￥4.86

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型号：IRGR3B60KD2TRP 编号：C3190816

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。低二极管VF。 10μs短路能力。方形RBSOA。超软二极管反向恢复特性。正VCE (on)温度系数。无铅

1+
￥7.44
10+
￥7.28
30+
￥7.17

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型号：IPD90N04S4L-04 编号：C536903

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥7.61
10+
￥6.95
30+
￥6.54
100+
￥6.12
500+
￥5.93
1000+
￥5.85

有货

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型号：IPD90N04S4-03 编号：C536900

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。AEC认证。MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

数据手册

1+
￥7.75
10+
￥7.05
30+
￥6.66
100+
￥6.23
500+
￥6.03
1000+
￥5.95

有货

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型号：IPP60R180P7 编号：C537209

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥8.04
10+
￥6.74
50+
￥6.02
100+
￥5.1058 ￥5.21
500+
￥4.753 ￥4.85
1000+
￥4.5962 ￥4.69

有货

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型号：IPB054N06N3 G 编号：C536513

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。针对DC/DC转换器进行了技术优化。具有出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 N沟道，标准电平。经过100%雪崩测试。无铅电镀，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥8.38
10+
￥7.73
30+
￥7.31
100+
￥6.89
500+
￥6.7

有货

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型号：IPB029N06NF2S 编号：C5359110

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

1+
￥8.58
10+
￥7.84
30+
￥7.38
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￥6.9
500+
￥6.69

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型号：IDP08E65D1 编号：C535906

封装：TO-220AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性好。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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1+
￥8.75
10+
￥8.07
50+
￥7.64
100+
￥7.2

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型号：IPC100N04S5-2R8 编号：C536694

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的功率MOSFET，N沟道。增强模式。普通级。通过AEC Q101认证。MSL1，最高峰值回流温度260°C。工作温度175°C。环保产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试

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1+
￥8.96
10+
￥8.26
30+
￥7.82
100+
￥7.37
500+
￥7.17
1000+
￥7.08

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型号：IGLR70R270D2SXUMA1 编号：C47146876

封装：PG-TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥9.1256 ￥10.37
10+
￥7.7792 ￥8.84
30+
￥6.9344 ￥7.88
100+
￥6.072 ￥6.9
500+
￥5.6848 ￥6.46
1000+
￥5.5176 ￥6.27

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型号：IRF5305STRLPBF 编号：C41224

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

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1+
￥9.18
10+
￥7.57
30+
￥6.77
100+
￥5.97

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型号：IRFB4229PBF 编号：C2653

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,250V,46A,38mΩ@10V

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1+
￥9.56
10+
￥8.12
50+
￥6.42

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型号：IPP075N15N3G 编号：C501517

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。极低的导通电阻。 175°C工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥10.48
10+
￥8.6
50+
￥6.8
100+
￥5.63

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型号：BSC009NE2LS5I 编号：C122543

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥10.74
10+
￥9
30+
￥8.05
100+
￥6.97

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型号：BSC036NE7NS3 G 编号：C534327

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。卓越的热阻。 N 沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。符合 IEC61249-2-21 的无卤要求

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1+
￥11.03
10+
￥10.16
30+
￥9.62
100+
￥9.07
500+
￥8.82
1000+
￥8.71

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型号：SPP11N80C3 编号：C476111

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。超低栅极电荷。应用：具有高直流母线电压的工业应用。开关应用（如有源钳位正激）

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1+
￥11.22
10+
￥9.47
50+
￥8.37
100+
￥7.25

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型号：BTS5016-1EKB 编号：C534803

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5016 - 1EKB是一款导通电阻为16 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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1+
￥14.97
10+
￥13.78
30+
￥13.04
100+
￥12.27
500+
￥11.93
1000+
￥11.78

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型号：IHW30N135R5 编号：C536124

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™ 技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。微波炉

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1+
￥15.95
10+
￥13.59
30+
￥11.27
90+
￥9.76
480+
￥9.07
960+
￥8.78

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型号：IPLU300N04S4-R8 编号：C537070

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）；100%无铅。超低导通电阻。 100%雪崩测试

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1+
￥16.22
10+
￥13.91
30+
￥12.47
100+
￥10.99

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型号：IRF7748L1TRPBF 编号：C537824

封装：MG-WDSON-9

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。

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