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1个N沟道耐压:650V 电流:14A

型号：IPL60R115CFD7 编号：C537022

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改善的关断行为，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性

数据手册

1+
￥19.368 ￥21.52
10+
￥16.84 ￥21.05
30+
￥14.518 ￥20.74
100+
￥14.301 ￥20.43

有货

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650V CoolMOSTMCFD7 SJ 功率器件

型号：IPL65R115CFD7AUMA1 编号：C3279349

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥19.53
10+
￥18.47
30+
￥17.84
100+
￥17.2

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:200A

型号：IRFP3077PBF 编号：C520658

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性： TO-247封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。改进了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥19.5464 ￥36.88
10+
￥13.6783 ￥31.81
30+
￥9.504 ￥28.8
100+
￥8.4975 ￥25.75
500+
￥8.0322 ￥24.34
1000+
￥7.8243 ￥23.71

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1.35kV 40A

型号：IHW40N135R5 编号：C536128

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流而设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定特性。 -低VCEsat。 -由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。低EMI。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥21.14
10+
￥18.06
30+
￥15.54
90+
￥13.68

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1个N沟道耐压:40V 电流:270A

型号：IRF7739L1TRPBF 编号：C537822

封装：MG-WDSON-11

品牌：Infineon(英飞凌)

IRF7739L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大程度提高电源系统的热传递效率

数据手册

1+
￥22.04
10+
￥20.87
30+
￥20.17
100+
￥19.46
500+
￥19.14

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:11A

型号：SPA11N80C3 编号：C152363

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,800V,11A,450mΩ@10V

数据手册

1+
￥22.47
10+
￥19.08
50+
￥17.06

有货

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Functional Safety PMIC

型号：TLF35584QVVS2XUMA2 编号：C672220

封装：VQFN-48

品牌：Infineon(英飞凌)

是高效的功能安全电源管理集成电路（PMIC）。

数据手册

1+
￥24.8
10+
￥21.14
30+
￥18.96
100+
￥16.76

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:217A

型号：IPB024N10N5 编号：C536487

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。出色的栅极电荷×导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100% 雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥24.94
10+
￥21.2
30+
￥18.97
100+
￥16.73

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1个N沟道耐压:60V 电流:345A

型号：IRF7749L1TRPBF 编号：C520641

封装：DirectFET-L8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：RoHS 合规，无卤。无铅（最高 260℃ 回流焊合格）。适用于高性能隔离式转换器初级开关插座。针对同步整流进行优化。低传导损耗。高 Cdv/dt 抗扰度。应用：高性能隔离式转换器初级开关插座。同步整流

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1+
￥26.21
10+
￥22.4
30+
￥20.14

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650V CoolMOS CFD2功率晶体管

型号：IPW65R150CFD 编号：C537495

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥27.79
10+
￥23.55
30+
￥21.03
90+
￥18.48

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1个N沟道耐压:80V 电流:180A

型号：IPB180N08S4-02 编号：C536574

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。AEC Q101认证。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试。超低导通电阻RDS(on)

数据手册

1+
￥27.82
10+
￥26.49
30+
￥25.68
100+
￥25

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1个N沟道耐压:650V 电流:50A

型号：IPW65R041CFD7XKSA1 编号：C3278907

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性

1+
￥29.54
10+
￥25.26
30+
￥22.71

有货

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单通道 20mΩ 智能功率高端开关

型号：BTS441TG 编号：C534782

封装：TO-263-5

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考、CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成，具备嵌入式保护功能

数据手册

1+
￥31.18
10+
￥26.76
30+
￥24.13
100+
￥21.47

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:256A

型号：IPB017N10N5LFATMA1 编号：C3289286

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥21.1875
20+
￥20.34
100+
￥19.662
200+
￥19.323
500+
￥18.984

我要订货

N沟道 100V 276A

型号：IQD020N10NM5SCATMA1 编号：C42283737

封装：SON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。卓越的热阻。针对双面冷却进行优化设计。 100% 雪崩测试。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JECL1249-2-21 标准无卤

1+
￥32.34
10+
￥27.51
30+
￥24.64
100+
￥21.74

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:53A

型号：IPW60R070C6 编号：C454262

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥36.91
10+
￥31.94
30+
￥28.99
90+
￥26

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600V 20A

型号：SPW20N60S5 编号：C539323

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。超低栅极电荷。周期性雪崩额定。极高的dv/dt额定值。超低有效电容。改进的跨导。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据JEDEC针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥41.05
10+
￥35.05
30+
￥31.4
100+
￥28.33

有货

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降压型 12A 1.5V~16V

型号：IR3840MTRPBF 编号：C537713

封装：QFN-14(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3840 SupIRBuckTM 是一款易于使用、高度集成且高效的 DC/DC 同步降压稳压器。与片上 PWM 控制器共封装的 MOSFET 使 IR3840 成为节省空间的解决方案，可为低输出电压应用提供精确的功率传输。IR3840 是一款多功能稳压器，可在宽输入和输出电压范围内工作，同时提供启动时间、开关频率和电流限制的可编程性。开关频率可在 250kHz 至 1.5MHz 范围内编程，以实现最佳解决方案。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、打嗝式电流限制和热关断，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

1+
￥41.39
10+
￥39.37
30+
￥38.14
100+
￥37.1

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1个N沟道耐压:40V 电流:55A

型号：IRF6614TRPBF 编号：C152359

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,12.7A,8.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥62.29
10+
￥61.39
30+
￥59.83

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集成功率控制系统，双列直插式智能功率模块，三相桥

型号：IKCM15L60GD 编号：C536159

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块家族可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

数据手册

1+
￥63.13
10+
￥54.94
28+
￥49.95

有货

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双列直插式智能功率模块3Φ桥600V/15A

型号：IGCM15F60GA 编号：C536065

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离，以及EMI安全控制和过载保护的功率应用。反向导通IGBT与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

数据手册

1+
￥73.44
10+
￥70.02
28+
￥64.09

有货

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BSC033N08NS5SCATMA1

型号：BSC033N08NS5SCATMA1 编号：C20189654

封装：WSON-8-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥78.75
10+
￥68.32
30+
￥61.97
100+
￥56.64

有货

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IGOT65R025D2AUMA1

型号：IGOT65R025D2AUMA1 编号：C43313409

封装：DSO-20

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥95.24
10+
￥90.99
30+
￥83.63

有货

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650V CoolSiC MOSFET G2

型号：IMZA65R015M2HXKSA1 编号：C25949769

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

基于第二代碳化硅沟槽技术，提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。

1+
￥115.88
10+
￥110.12
30+
￥100.15

有货

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IMZA120R012M2HXKSA1

型号：IMZA120R012M2HXKSA1 编号：C50389380

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥143.26
30+
￥135.46

有货

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1.2kV 20A

型号：DF80R12W2H3FB11 编号：C17271226

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：CoolSiC Schottky二极管第5代。高速IGBT H3。低开关损耗。 3 kV AC 1min绝缘。 Al₂O₃基板，低热阻。集成NTC温度传感器。应用：太阳能应用

1+
￥285
30+
￥275

有货

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4件套 62mm C系列模块，采用快速沟槽/场截止型IGBT4和优化型发射极控制二极管

型号：FF200R12KT4 编号：C541002

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥311.62
10+
￥303.67

有货

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FF300R07KE4

型号：FF300R07KE4 编号：C17561819

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥512.05
30+
￥488.67

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:1.5A

型号：BSS214NWH6327 编号：C3247496

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道增强模式。超级逻辑电平（额定2.5V）。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。 100%无铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

5+
￥0.6255
50+
￥0.5062
150+
￥0.4465
500+
￥0.4017

有货

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1个N沟道耐压:55V 电流:0.54A

型号：BSS670S2L H6327 编号：C151529

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,540mA,650mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.625512 ￥0.9336
50+
￥0.42579 ￥0.747
150+
￥0.307239 ￥0.6537
500+
￥0.274386 ￥0.5838
3000+
￥0.248066 ￥0.5278
6000+
￥0.234906 ￥0.4998

有货

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