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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会,以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机,适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用,同时具备 EMI 安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合,以实现出色的电气性能。
数据手册
  • 1+

    ¥77.53
  • 10+

    ¥71.12
  • 28+

    ¥64.58
  • 有货
  • TDA38840是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使TDA38840成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化设计并实现快速控制响应。
    • 1+

      ¥131.76
    • 10+

      ¥125.61
    • 30+

      ¥114.96
    • 100+

      ¥105.66
  • 有货
  • 特性:扩展工作温度 TVJop。 低开关损耗。 低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。 绝缘底板。应用:高频开关应用。 电机驱动
    数据手册
    • 单价:

      ¥348 / 个
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7242
    • 50+

      ¥0.5892
    • 150+

      ¥0.5217
    • 500+

      ¥0.4406
    • 3000+

      ¥0.4001
  • 有货
  • P沟道,-30V,-0.76A,600mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7482
    • 50+

      ¥0.6072
    • 150+

      ¥0.5367
    • 500+

      ¥0.4839
    • 3000+

      ¥0.3519
    • 6000+

      ¥0.3307
  • 有货
  • N沟道,600V,21mA,500Ω@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7544
    • 50+

      ¥0.6197
    • 150+

      ¥0.5523
    • 500+

      ¥0.5018
    • 3000+

      ¥0.3852
  • 有货
  • N沟道,30V,8.3A,17.5mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8458
    • 50+

      ¥0.6777
    • 150+

      ¥0.5937
    • 500+

      ¥0.5307
    • 3000+

      ¥0.4803
    • 6000+

      ¥0.4551
  • 有货
  • 用于电视调谐器和移动应用中的频段切换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0711
    • 50+

      ¥0.9274
    • 150+

      ¥0.8556
    • 500+

      ¥0.8017
  • 有货
  • N沟道 40V 120A
    数据手册
    • 1+

      ¥2.29
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.68
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.57
  • 有货
  • 特性:单P沟道,符合JEDEC标准,适用于目标应用。 工作温度:150℃。 VGS = 25V,特别适用于笔记本应用。 无铅,符合RoHS标准。 无卤,符合IEC61249-2-21标准。应用:电池管理。 负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.31
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.87
    • 100+

      ¥1.71
    • 500+

      ¥1.64
    • 1000+

      ¥1.59
  • 有货
  • 特性:2.7V至24V电源电压工作。 可使用未稳压电源工作。 磁开关点具有高灵敏度和高稳定性。 通过主动误差补偿对机械应力具有高抗性。 具备反向电池保护(-18V)。 卓越的温度稳定性。 最高可承受195°C的峰值温度。 低抖动(典型值1μs)。 数字输出信号。 两个霍尔探头匹配良好
    数据手册
    • 1+

      ¥2.5
    • 10+

      ¥2.23
    • 30+

      ¥2.1
    • 100+

      ¥1.96
    • 500+

      ¥1.65
    • 1000+

      ¥1.61
  • 有货
  • 特性:快速开关MOSFET,适用于开关电源。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。N沟道,逻辑电平。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅电镀,符合RoHS标准。根据ICC1249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥2.55
    • 10+

      ¥2.01
    • 30+

      ¥1.78
    • 100+

      ¥1.49
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • 特性:互补 P + N 沟道。 增强模式。 逻辑电平(额定 4.5V)。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 无卤
    • 1+

      ¥2.64
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.56
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.35
  • 有货
  • IFX20002是一款采用超小型贴片封装PG - SCT595 - 5的单片集成低压差稳压器。它专为为微控制器、传感器等供电而设计,也可在恶劣条件下作为备用电源。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.41
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥2.08
    • 500+

      ¥1.99
    • 1000+

      ¥1.94
  • 有货
  • N沟道,55V,53A,16.5mΩ@V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.83
    • 10+

      ¥2.26
    • 50+

      ¥2.01
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.49
  • 有货
    • 1+

      ¥2.93
    • 10+

      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.26
    • 500+

      ¥2.05
    • 1000+

      ¥2
  • 有货
  • N沟道,30V,27A,3.1mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.26
    • 100+

      ¥1.94
    • 500+

      ¥1.8
    • 1000+

      ¥1.72
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥3.32
    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥3.23
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.9A,58mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.87
    • 10+

      ¥3.13
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.42
    • 500+

      ¥2.06
    • 1000+

      ¥1.95
  • 有货
  • P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.25
    • 10+

      ¥3.53
    • 50+

      ¥2.75
    • 100+

      ¥2.39
    • 500+

      ¥2.17
    • 1000+

      ¥2.06
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.3596 ¥6.92
    • 10+

      ¥3.3337 ¥6.29
    • 30+

      ¥2.5585 ¥5.95
    • 100+

      ¥2.3908 ¥5.56
    • 500+

      ¥2.3177 ¥5.39
    • 1000+

      ¥2.2833 ¥5.31
  • 有货
  • P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.56
    • 10+

      ¥3.65
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.75
    • 500+

      ¥2.37
  • 有货
  • CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolIMOS CE系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下,提供了快速开关超结MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.64
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥2.92
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.53
  • 有货
  • 特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 工作温度175℃。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥5.434 ¥8.36
    • 10+

      ¥4.235 ¥7.7
    • 30+

      ¥3.2805 ¥7.29
    • 100+

      ¥3.0915 ¥6.87
    • 500+

      ¥3.0105 ¥6.69
    • 1000+

      ¥2.97 ¥6.6
  • 有货
  • CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它是根据超结(SJ)原理设计的。CoolMOS CE系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术相结合。由此产生的器件在不牺牲易用性的同时,具备了快速开关超结MOSFET的所有优势
    数据手册
    • 1+

      ¥5.77
    • 10+

      ¥4.71
    • 50+

      ¥4.18
    • 100+

      ¥3.66
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关和同步整流。 针对DC/DC转换器进行优化的技术。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀;符合RoHS标准。 根据JEDEC认证,适用于目标应用。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 扩大源极互连,提高焊点可靠性
    • 1+

      ¥6.34
    • 10+

      ¥5.18
    • 30+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥3.85
    • 500+

      ¥3.51
  • 有货
  • 第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。D²Pak是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
    • 1+

      ¥6.92
    • 10+

      ¥5.76
    • 30+

      ¥5.13
    • 100+

      ¥4.42
    • 500+

      ¥4.1
    • 800+

      ¥3.96
  • 有货
  • 完全符合ISO 11898-2 (2016)和SAE J2284-4/-5标准,具有高达5 MBit/s的CAN FD数据帧支持。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.94
    • 10+

      ¥6.31
    • 30+

      ¥5.92
    • 100+

      ¥5.52
    • 500+

      ¥5.33
    • 1000+

      ¥5.25
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能,采用智能SIPMOS技术进行单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.14
    • 10+

      ¥6.51
    • 30+

      ¥6.12
    • 100+

      ¥5.72
    • 500+

      ¥5.53
    • 1000+

      ¥5.45
  • 有货
  • P沟道,-55V,-1.9A,0.1Ω@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.39
    • 10+

      ¥6.09
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥4.8
    • 500+

      ¥3.87
  • 有货
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