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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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N沟道,200V,18A,80mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥4.78
  • 10+

    ¥3.88
  • 50+

    ¥3.43
  • 100+

    ¥2.98
  • 500+

    ¥2.71
  • 有货
  • N沟道 55V 42A
    数据手册
    • 1+

      ¥5.24
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.73
    • 100+

      ¥3.24
    • 500+

      ¥2.94
    • 1000+

      ¥2.79
  • 有货
  • 特性:单P沟道,采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 工作温度为150℃。 100%雪崩额定。 VGS = 25V,特别适用于笔记本应用。 ESD保护。应用:电池管理。 负载开关
    • 1+

      ¥5.53
    • 10+

      ¥4.41
    • 30+

      ¥3.85
    • 100+

      ¥3.29
    • 500+

      ¥2.96
    • 1000+

      ¥2.79
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.88
    • 10+

      ¥5.29
    • 30+

      ¥4.97
    • 100+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.45
    • 1000+

      ¥4.37
  • 有货
  • N沟道,40V,75A,2mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.45
    • 10+

      ¥5.32
    • 50+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥3.89
    • 500+

      ¥3.58
    • 1000+

      ¥3.44
  • 有货
  • 特性:针对广泛应用进行优化。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.49
    • 10+

      ¥5.37
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.05
    • 500+

      ¥3.74
  • 有货
  • ICE3PCS01G 是一款用于有源功率因数校正转换器的 14 引脚宽输入范围控制 IC。它专为升压拓扑结构的转换器而设计,所需的外部元件极少。建议由外部辅助电源为其供电,该辅助电源可控制 IC 的开启和关闭
    数据手册
    • 1+

      ¥6.66
    • 10+

      ¥5.44
    • 30+

      ¥4.77
    • 100+

      ¥4.01
    • 500+

      ¥3.68
    • 1000+

      ¥3.53
  • 有货
  • 完全符合ISO 11898-2 (2016)和SAE J2284-4/-5标准,具有高达5 MBit/s的CAN FD数据帧支持。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.94
    • 10+

      ¥6.31
    • 30+

      ¥5.92
    • 100+

      ¥5.52
    • 500+

      ¥5.33
    • 1000+

      ¥5.25
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能,采用智能SIPMOS技术进行单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.29
    • 10+

      ¥6.66
    • 30+

      ¥6.27
    • 100+

      ¥5.87
    • 500+

      ¥5.68
    • 1000+

      ¥5.6
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对DC/DC转换器进行技术优化。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数FOM)。 N沟道,正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀层;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥7.82
    • 10+

      ¥6.56
    • 30+

      ¥5.87
    • 100+

      ¥5.09
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,正常电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥8.1249 ¥11.13
    • 10+

      ¥7.446 ¥10.2
    • 30+

      ¥7.0226 ¥9.62
    • 100+

      ¥6.5919 ¥9.03
    • 500+

      ¥6.3948 ¥8.76
    • 1000+

      ¥6.3072 ¥8.64
  • 有货
  • 特性:P沟道。 逻辑电平。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色封装(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    • 1+

      ¥8.42
    • 10+

      ¥7.02
    • 30+

      ¥6.25
    • 100+

      ¥5.38
    • 500+

      ¥5
  • 有货
  • 特性:N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥8.8
    • 10+

      ¥7.21
    • 30+

      ¥6.33
    • 100+

      ¥5.34
    • 500+

      ¥4.9
  • 有货
  • IR3899是一款易于使用的、高度集成且高效的DC/DC调节器。内置的PWM控制器和MOSFET使得IR3899成为一种空间效率高的解决方案,能够提供精确的电源传输。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.916 ¥29.72
    • 10+

      ¥5.69 ¥28.45
    • 30+

      ¥2.767 ¥27.67
    • 100+

      ¥2.703 ¥27.03
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 工作温度为150°C。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥9.05
    • 10+

      ¥7.57
    • 30+

      ¥6.76
    • 100+

      ¥5.84
    • 500+

      ¥5.43
  • 有货
  • 特性:1200V二极管技术。 快速恢复。 软开关。 低反向恢复电荷。 低正向电压。 易于并联。 无铅引脚电镀;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
    数据手册
    • 1+

      ¥9.2364 ¥10.74
    • 10+

      ¥7.9876 ¥10.51
    • 50+

      ¥6.8376 ¥10.36
    • 100+

      ¥6.732 ¥10.2
  • 有货
  • N沟道,250V,46A,38mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.56
    • 10+

      ¥8.12
    • 50+

      ¥6.42
  • 有货
  • 特性:用于汽车应用的功率MOSFET,N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101认证。 MSL3,最高260°C峰值回流温度。 175°C工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥9.66
    • 10+

      ¥8.03
    • 30+

      ¥7.14
    • 100+

      ¥6.13
    • 500+

      ¥5.68
  • 有货
  • 第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.73
    • 10+

      ¥8.02
    • 30+

      ¥7.08
    • 100+

      ¥6.02
    • 500+

      ¥5.54
  • 有货
  • N沟道,75V,140A,7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.77
    • 10+

      ¥8.22
    • 30+

      ¥7.37
    • 100+

      ¥5.22
    • 500+

      ¥4.8
    • 1000+

      ¥4.6
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准,无卤素。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥10.07
    • 10+

      ¥8.42
    • 30+

      ¥7.52
    • 100+

      ¥5.81
    • 500+

      ¥5.35
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完整特性的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥10.8071 ¥16.13
    • 10+

      ¥8.7609 ¥15.37
    • 30+

      ¥7.0124 ¥14.92
    • 100+

      ¥6.8009 ¥14.47
    • 500+

      ¥6.7022 ¥14.26
    • 800+

      ¥6.6552 ¥14.16
  • 有货
  • 特性:600V EmCon技术。 快速恢复。 软开关。 低反向恢复电荷。 低正向电压。 175℃结工作温度。应用:焊接。 电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥11.78
    • 10+

      ¥10.74
    • 30+

      ¥10.1
    • 90+

      ¥9.43
  • 有货
  • 特性:P沟道。正常电平。增强模式。AEC认证。MSL1,最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色封装(符合RoHS标准)。100%雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥12.94
    • 10+

      ¥11.13
    • 30+

      ¥10
    • 100+

      ¥8.84
    • 500+

      ¥8.32
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.49
    • 10+

      ¥13.24
    • 30+

      ¥12.46
    • 90+

      ¥11.66
    • 510+

      ¥11.3
  • 有货
  • 特性:N-channel, logic level。 极低的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准;无卤。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥16.05
    • 10+

      ¥15.18
    • 30+

      ¥14.67
    • 100+

      ¥14.14
    • 500+

      ¥13.9
    • 1000+

      ¥13.79
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 经过100%雪崩测试。 卓越的热性能。 额定温度为175℃。 N沟道。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据EC61249-2-21标准,无卤素
    • 1+

      ¥18.53
    • 10+

      ¥17.57
    • 30+

      ¥17
    • 100+

      ¥16.42
    • 500+

      ¥16.15
    • 1000+

      ¥16.03
  • 有货
  • TLF35584 是一种多输出系统电源,适用于安全相关的应用,通过高效灵活的预/后稳压器概念,在宽输入电压范围内为微控制器、收发器和传感器提供5V或3.3V电压。宽范围的开关频率允许在效率和使用小型滤波元件方面进行优化。一个专用的参考稳压器独立于微控制器负载阶跃为ADC供电,并作为两个独立传感器电源的跟踪源。灵活的状态机、包括定时器在内的唤醒概念以及待机稳压器有利于其在多种应用中的使用。多种安全特性使其能够与各种HC一起轻松实现ASIL-D。TLF35584 可以采用支持自动光学检测的小型VQFN-48(QV版)封装,同时也有热增强的LQFP-64(QK版)封装可供选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.07
    • 10+

      ¥19.69
    • 30+

      ¥17.67
    • 100+

      ¥15.64
  • 有货
  • 特性:优秀的栅极电荷×导通电阻积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥23.62
    • 10+

      ¥20.67
    • 30+

      ¥18.92
    • 100+

      ¥17.14
    • 500+

      ¥16.33
    • 1000+

      ¥15.96
  • 有货
  • N 通道垂直功率 MOSFET,采用电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入、诊断反馈和比例负载电流检测,通过 Smart SIPMOs 技术单片集成。提供嵌入式保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥26.94
    • 10+

      ¥23.17
    • 30+

      ¥20.93
    • 100+

      ¥18.66
    • 500+

      ¥17.62
  • 有货
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