英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BTS711L1XUMA1 编号：C2680333

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥32.79
10+
￥27.87
30+
￥24.95
100+
￥21.99

有货

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型号：IQD020N10NM5ATMA1 编号：C22462713

封装：TSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N-channel, normal level。极低导通电阻Rps(on)。卓越的热阻，100%雪崩测试。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥34.47
10+
￥29.62
30+
￥26.74
100+
￥23.83

有货

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型号：IPW60R070C6 编号：C454262

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。该器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥34.47
10+
￥29.5
30+
￥26.55
90+
￥23.56

有货

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型号：IPT60R022S7 编号：C531208

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低频开关应用，具备最佳性价比。拥有HV SJ MOSFET中最低的Rdson值，显著提高能源效率。针对“静态开关”和大电流应用进行了优化，是固态继电器和断路器设计以及开关电源和逆变器拓扑中线路整流的理想选择。

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1+
￥36.74
10+
￥31.96
30+
￥29.05
100+
￥26.61

有货

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型号：IKCM10H60GA 编号：C3615235

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种电源和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制三相交流电机和永磁电机，适用于高开关频率应用（约15kHz）的变速驱动器，如洗衣机，因为其关断开关损耗非常低。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

1+
￥38.12
10+
￥31.89
28+
￥28.86
98+
￥25.8

有货

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型号：IPT017N10NM5LF2ATMA1 编号：C41716913

封装：TOLL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JECL1249-2-21标准无卤

1+
￥42.48
10+
￥36.72
30+
￥33.2
100+
￥30.25

有货

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型号：IPB60R040C7 编号：C536595

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首个RDS(on)*A低于10 mΩ*mm²的技术。

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1+
￥48.1
10+
￥45.75
30+
￥44.32
100+
￥43.13

有货

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型号：IPW65R080CFDA 编号：C537490

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥55.3594 ￥74.81
10+
￥47.264 ￥73.85
30+
￥38.9826 ￥72.19
90+
￥38.1996 ￥70.74

有货

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型号：FS3L25R12W2H3B11 编号：C17252031

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速IGBT H3。低电感设计。低开关损耗。应用：3-Level-应用。太阳能应用

1+
￥275
30+
￥265

有货

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型号：FF150R12RT4 编号：C540936

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。 TVJop = 150℃。 VCEsat 具有正温度系数。绝缘底板。应用：高频开关应用。电机驱动

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单价：
￥348 / 个

有货

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型号：2ED300C17-ST 编号：C22408390

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥827.98
24+
￥784.8

有货

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型号：MMBT2907ALT1HTSA1 编号：C151510

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低集电极-发射极饱和电压。互补类型：SMBT2222A / MMBT2222A（NPN）。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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5+
￥0.6097
50+
￥0.4923
150+
￥0.4336
500+
￥0.338952 ￥0.3896
3000+
￥0.308241 ￥0.3543
6000+
￥0.292929 ￥0.3367

有货

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型号：BSS127H6327XTSA2 编号：C152611

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,600V,21mA,500Ω@10V

数据手册

5+
￥0.7181
50+
￥0.586
150+
￥0.5199
500+
￥0.4703
3000+
￥0.356

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型号：IRLML0040TRPBF 编号：C67273

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,3.6A,56mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.8734
50+
￥0.6816
150+
￥0.5857
500+
￥0.5138

有货

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型号：IRF5803TRPBF 编号：C169756

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

这些P沟道HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。采用定制化引线框架的TSOP - 6封装所制造的HEXFET功率MOSFET，其导通电阻（RDS(on)）比同等尺寸的SOT - 23封装低60%

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5+
￥1.156
50+
￥1.0261
150+
￥0.9704
500+
￥0.9009
3000+
￥0.6566

有货

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型号：BSZ130N03LS G 编号：C534707

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。雪崩额定值。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥1.59
10+
￥1.38
30+
￥1.29
100+
￥1.18
500+
￥1.13
1000+
￥1.1

有货

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型号：IRFZ24NPBF 编号：C9217

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,17A,70mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.7946
50+
￥1.4166
150+
￥1.2546
500+
￥1.0525
2000+
￥0.9625

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型号：IRF9389TRPBF 编号：C152654

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N+P沟道,30V,6.8A+4.6A

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5+
￥2.1648
50+
￥1.7478
150+
￥1.5691
500+
￥1.3461

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型号：IPD60R360P7S 编号：C536820

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥2.18
10+
￥1.9
30+
￥1.78
100+
￥1.63
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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型号：BSZ180P03NS3 G 编号：C534713

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单P沟道，符合JEDEC标准，适用于目标应用。工作温度：150℃。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。无铅，符合RoHS标准。无卤，符合IEC61249-2-21标准。应用：电池管理。负载开关

数据手册

1+
￥2.29
10+
￥1.98
30+
￥1.85
100+
￥1.69
500+
￥1.62
1000+
￥1.57

有货

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型号：IRFZ46NPBF 编号：C9218

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,53A,16.5mΩ@V

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2.03
50+
￥1.78
100+
￥1.48
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：BGA824N6E6329XTSA1 编号：C3191827

封装：TSNP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是适用于1164 MHz至1615 MHz全球导航卫星系统（GNSS）的前端低噪声放大器，如GPS、GLONASS、北斗、伽利略等。在第4章所述的应用配置中，该LNA在3.8 mA的电流消耗下可提供17.0 dB的增益和0.55 dB的噪声系数。基于B7HF硅锗技术，工作电源电压为1.5 V至3.6 V。

1+
￥2.77
10+
￥2.16
30+
￥1.91
100+
￥1.58

有货

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型号：BSL308CH6327XTSA1 编号：C3289349

封装：TSOP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：互补 P + N 沟道。增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥3.16
10+
￥2.61
30+
￥2.37
100+
￥2.07
500+
￥1.94
1000+
￥1.86

有货

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型号：IRFR3504ZTRPBF 编号：C537966

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

这款HEXFET功率MOSFET采用了最新的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域

数据手册

1+
￥3.41
10+
￥2.74
30+
￥2.4
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：IRF7306TRPBF 编号：C537809

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择

数据手册

1+
￥3.51
10+
￥2.85
30+
￥2.53
100+
￥2.2
500+
￥2.01
1000+
￥1.91

有货

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型号：IRFR3806TRPBF 编号：C148157

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 60V 43A

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.12
30+
￥2.78
100+
￥2.44
500+
￥1.78
1000+
￥1.67

有货

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型号：IFX20002MB V33 编号：C536016

封装：SCT-595-5

品牌：Infineon(英飞凌)

IFX20002是一款采用超小型贴片封装PG - SCT595 - 5的单片集成低压差稳压器。它专为为微控制器、传感器等供电而设计，也可在恶劣条件下作为备用电源。

数据手册

1+
￥3.87
10+
￥3.09
30+
￥2.7
100+
￥2.32
500+
￥2.09
1000+
￥1.97

有货

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型号：BSZ042N06NSATMA1 编号：C3279304

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

1+
￥3.9
10+
￥3.16
30+
￥2.79
100+
￥2.43
500+
￥2.21

有货

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型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

数据手册

1+
￥4.77
10+
￥4
50+
￥3.31
100+
￥2.93
500+
￥2.7

有货

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型号：BGB707L7ESDE6327XTSA1 编号：C3199311

封装：XFDFN-6-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BGB707L7ESD 是一款基于 Infineon Technologies 成本效益的 SiGe:C 技术的低噪声放大器 MMIC，具有集成的 ESD 保护和主动偏置。该设备像离散晶体管一样灵活，具有高增益和减少的噪声系数。

1+
￥5.15
10+
￥4.1
30+
￥3.58
100+
￥3.05
500+
￥2.74
1000+
￥2.58

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