英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IAUCN04S7L028ATMA1 编号：C29536843

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。增强模式。逻辑电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。坚固的设计。应用：一般汽车应用

1+
￥6.33
10+
￥5.12
30+
￥4.52
100+
￥3.92
500+
￥3.56

有货

立即购买

型号：IRFB3307PBF 编号：C520671

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥6.92
10+
￥6.29
50+
￥5.95
100+
￥5.56
500+
￥5.38

有货

立即购买

型号：IPB037N06N3 G 编号：C536503

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥7.59
10+
￥6.91
30+
￥6.54
100+
￥6.13
500+
￥5.94

有货

立即购买

型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥8.23
10+
￥7.53
30+
￥7.08
100+
￥6.63
500+
￥6.42

有货

立即购买

型号：ISP752RFUMA1 编号：C454923

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，单片集成嵌入式保护功能。

1+
￥8.61
10+
￥7.97
30+
￥7.57
100+
￥5.73
500+
￥5.55

有货

立即购买

型号：ICE3BR0665JXKLA1 编号：C3094647

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET - F3R抖动系列（ICE3BRxx65J）是CoolSET - F3的最新版本。它主要面向离线电池适配器和低功率范围的低成本开关电源（SMPS），适用于如DVD刻录机、DVD组合机、蓝光DVD播放器、机顶盒等应用。

1+
￥9.57
10+
￥7.86
30+
￥6.92
100+
￥5.86
500+
￥5.39
1000+
￥5.18

有货

立即购买

型号：TLE9255WSKXUMA2 编号：C1882540

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE9255W是一款高速CAN收发器，支持部分网络唤醒功能，适用于汽车和工业应用中的CAN网络。

数据手册

1+
￥9.59
10+
￥9.34
30+
￥9.18
100+
￥9.01

有货

立即购买

型号：BSC052N08NS5 编号：C534350

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥9.82
10+
￥8.25
30+
￥7.39
100+
￥6.42

有货

立即购买

型号：IRFB4321PBF 编号：C2656

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,150V,85A,15mΩ@10V

数据手册

1+
￥10.88
10+
￥9.02
50+
￥7.1
100+
￥5.95
600+
￥5.44

有货

立即购买

型号：TLE4267G 编号：C539690

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE4267是一款适用于汽车应用的5 V低压差稳压器，采用PG-TO263-7或PG-DSO-14封装。它可提供超过400 mA的输出电流。该集成电路具备短路保护功能，并设有过温保护电路

数据手册

1+
￥11.05
10+
￥9.3
30+
￥8.2
100+
￥7.08
500+
￥6.57

有货

立即购买

型号：IPB120N06S4-03 编号：C536547

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道。增强模式。 AEC Q101认证。 MSL1最高可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥11.41
10+
￥9.61
30+
￥8.48
100+
￥7.33
500+
￥6.8

有货

立即购买

型号：IKP08N65H5 编号：C536189

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥12.4264 ￥12.68
10+
￥10.2872 ￥11.69
50+
￥8.6268 ￥11.06
100+
￥8.1354 ￥10.43
500+
￥7.9092 ￥10.14
1000+
￥7.8078 ￥10.01

有货

立即购买

型号：IDW30E65D1 编号：C535952

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定特性。低正向电压(VF)。超快速恢复。低反向恢复电荷(Qrr)。低反向恢复电流(Irrm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

数据手册

1+
￥12.93
10+
￥11.02
30+
￥9.82
90+
￥8.59

有货

立即购买

型号：IPL60R185C7 编号：C537028

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。它是首个 RDS(on)*A 低于10mΩ*mm² 的技术。

数据手册

1+
￥13.94
10+
￥11.73
30+
￥10.35
100+
￥8.93
500+
￥8.29

有货

立即购买

型号：ISC030N10NM6ATMA1 编号：C3278643

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N- 沟道，正常电平。极低的导通电阻 RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积（FOM）。极低的反向恢复电荷 (Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃ 工作温度。针对高频开关和同步整流进行了优化。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品。根据 J-STD-020 标准为 MSL 1 级

1+
￥14.26
10+
￥12.17
30+
￥10.86
100+
￥9.52

有货

立即购买

型号：IPB60R145CFD7 编号：C536613

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥14.57
10+
￥13.78
30+
￥13.31
100+
￥12.83
500+
￥12.61

有货

立即购买

型号：IRF2907ZPBF 编号：C495791

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

该HEXFET功率MOSFET采用最新的处理技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起，使该设计成为一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。

数据手册

1+
￥16.13
10+
￥13.57
50+
￥11.97
100+
￥10.33
500+
￥9.59

有货

立即购买

型号：IKW50N60H3 编号：C127956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供非常低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

1+
￥17.04
10+
￥14.59
30+
￥11.73
90+
￥10.16

有货

立即购买

型号：IPT017N12NM6ATMA1 编号：C20191620

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低反向恢复电荷(Qrr)。高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。针对高频开关进行优化。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。根据J-STD-020标准进行MSL 1分类

1+
￥18.67
10+
￥15.96
30+
￥14.25

有货

立即购买

型号：IPP030N10N3GXKSA1 编号：C513212

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。适用于高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥18.71
10+
￥15.76
30+
￥13.91
100+
￥12.02

有货

立即购买

型号：IPW60R120C7 编号：C537466

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS C7是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS C7系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。600V C7是首款RDS(on) * A低于1Ohm * mm的技术。

数据手册

1+
￥18.82
10+
￥17.81
30+
￥17.21
240+
￥16.61
480+
￥16.33

有货

立即购买

型号：TLE9842QX 编号：C540171

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：32位ARM Cortex-M0内核，最高25 MHz时钟频率，单周期每机器周期架构，单周期乘法器。片上内存: -36 KB闪存（包括EEPROM）。 -4 KB EEPROM（在闪存中模拟）。 -768字节100时间可编程内存（100TP）

数据手册

1+
￥19.42
10+
￥18.41
30+
￥17.81
100+
￥17.21
500+
￥16.93
1000+
￥16.8

有货

立即购买

型号：IPB110P06LM 编号：C3279229

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)，在VDS为-4.5 V时。 100%雪崩测试。逻辑电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥20.19
10+
￥17.43
30+
￥15.79
100+
￥14.13
500+
￥13.36

有货

立即购买

型号：IKW15N120H3 编号：C879991

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥20.64
10+
￥17.77
30+
￥15.98
90+
￥14.14
510+
￥13.31
990+
￥12.95

有货

立即购买

型号：IRL7472L1TRPBF 编号：C538140

封装：WHSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩SOA。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥23.24
10+
￥20.03
30+
￥18.11
100+
￥16.18

有货

立即购买

型号：SLB9670VQ20FW785XTMA1 编号：C1012863

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

符合TPM Main Specification Family 2.0，硬件和固件通过FIPS140-2 Level 2验证。支持SPI接口，满足Intel TXT、Microsoft Windows和Google Chromebook认证标准。具有随机数生成器，支持SHA-1或SHA-256哈希算法。优化电池供电设备，低待机电流（典型值110uA）。内置Linux内核支持。

数据手册

1+
￥24.59
10+
￥20.84
30+
￥18.61
100+
￥16.35

有货

立即购买

型号：IPW65R150CFD 编号：C537495

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗以及极高的坚固性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册