英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ISP26DP06NMS 编号：C538452

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

数据手册

1+
￥1.7984 ￥2.81
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￥1.3554 ￥2.51
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￥1.0428 ￥2.37
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￥0.9768 ￥2.22
500+
￥0.9372 ￥2.13
1000+
￥0.9196 ￥2.09

有货

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型号：BFP640H6327 编号：C439781

封装：SOT-343

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥2.6
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￥2.08
30+
￥1.86
100+
￥1.58
500+
￥1.46
1000+
￥1.39

有货

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型号：BSC093N04LSG 编号：C148252

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,40V,13A,9.3mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.8
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￥2.27
30+
￥2.04
100+
￥1.76
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

有货

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型号：IRF7465TRPBF 编号：C150561

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟 150V 1.9A

数据手册

1+
￥2.85
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￥2.51
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￥2.34
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￥1.8879 ￥2.17
500+
￥1.8009 ￥2.07
1000+
￥1.7487 ￥2.01

有货

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型号：IRFZ48NPBF 编号：C9214

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,64A,14mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.61
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￥2.07
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￥1.72
500+
￥1.57

有货

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型号：BGSA14M2N10E6327XTSA1 编号：C3303189

封装：TSNP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

BGSA14M2N10是一款超小型单刀四掷（SP4T）天线调谐开关，针对高达7.125GHz的射频应用进行了优化。其MIPI RFFE数字控制接口在蜂窝移动射频前端设计中易于实现且具有出色的灵活性。BGSA14M2N10包含4个低导通电阻（RON）端口，非常适合高Q值调谐应用。由于其具有较高的射频电压耐受性，适用于在射频匹配电路中切换电感器和电容器等任何电抗器件，且损耗极小。

1+
￥3.99
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￥3.32
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￥2.98
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￥2.65
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￥2.45
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￥2.35

有货

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型号：BFS481H6327XTSA1 编号：C3199325

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

用于集电极电流为 0.5 mA 至 12 mA 的低噪声、高增益宽带放大器。

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￥4.08
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￥3.27
30+
￥2.87
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￥2.47
500+
￥2.23

有货

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型号：IRF7410TRPBF 编号：C148144

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道 -12V -16A

数据手册

1+
￥4.2812 ￥5.56
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￥3.3433 ￥4.99
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￥2.6676 ￥4.68
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￥2.4681 ￥4.33
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￥2.3826 ￥4.18
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￥2.337 ￥4.1

有货

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型号：TLF80511TF V33 编号：C540219

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

一款线性低压差稳压器，适用于高达 400 mA 的负载电流。高达 40 V 的输入电压可被调节至 VQ,nom = 5 V（TLF80511TFV50）或 V0,nom = 3.3 V（TLF80511TFV33），精度为 ±2%。其典型静态电流为 38 μA，是需要极低工作电流的系统（如那些永久连接到电池的系统）的理想解决方案

数据手册

1+
￥4.43
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￥3.98
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￥3.73
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￥3.46
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￥3.33
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￥3.27

有货

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型号：IPC100N04S5L-2R6 编号：C536698

封装：TDSON-8-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。逻辑电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流。 175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS）。 100%雪崩测试

数据手册

1+
￥4.6
10+
￥4.06
30+
￥3.79
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￥3.53
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￥3.37
1000+
￥3.29

有货

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型号：BSC035N04LS G 编号：C386366

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC1标准针对目标应用进行了认证。 N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥4.79
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￥3.81
30+
￥3.32
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￥2.84
500+
￥2.55
1000+
￥2.4

有货

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型号：IRFH5015TRPBF 编号：C513178

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDSon (< 31 mΩ)。低至PCB的热阻 (< 0.8℃/W)。 100% Rg测试。低外形 (< 0.9 mm)。行业标准引脚排列。与现有表面贴装技术兼容。应用：初级侧同步整流。直流电机逆变器

数据手册

1+
￥4.86
10+
￥3.89
30+
￥3.4
100+
￥2.91
500+
￥2.62
1000+
￥2.48

有货

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型号：BSP135H6327 编号：C3278599

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。符合IEC61249-2-21的无卤标准

数据手册

1+
￥4.91
10+
￥4.02
30+
￥3.58
100+
￥3.14
500+
￥2.76

有货

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型号：BSC0901NSIATMA1 编号：C3278725

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能同步整流进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

1+
￥4.95
10+
￥4
30+
￥3.52
100+
￥3.05
500+
￥2.63
1000+
￥2.48

有货

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型号：BSC066N06NS 编号：C3278728

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行了优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥5.01
10+
￥4.09
30+
￥3.63
100+
￥3.18
500+
￥2.91

有货

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型号：BSC042NE7NS3GATMA1 编号：C3278653

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步整流技术。适用于高频开关和 DC/DC 转换器。出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。卓越的热阻。N 沟道，正常电平。100% 雪崩测试。无铅电镀；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 无卤

1+
￥5.04
10+
￥4.53
30+
￥4.25
100+
￥3.94
500+
￥3.8

有货

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型号：IPD60R600C6 编号：C536829

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥5.8
10+
￥5.21
30+
￥4.89
100+
￥4.53
500+
￥4.37
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￥4.29

有货

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型号：IRFR15N20DTRPBF 编号：C537951

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，便于设计。完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器

数据手册

1+
￥5.81
10+
￥4.75
30+
￥4.22
100+
￥3.69
500+
￥3.38

有货

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型号：BSC010NE2LS 编号：C152368

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,25V,100A,1mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥4.76
30+
￥4.15
100+
￥3.55
500+
￥3.19
1000+
￥3

有货

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型号：IRLR3705ZTRPBF 编号：C500525

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 42A

数据手册

1+
￥6.07
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￥5.07
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￥4.57
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￥4.07
500+
￥3.77
1000+
￥3.62

有货

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型号：BTS7080-2EPA 编号：C534840

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7080-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

数据手册

1+
￥6.11
10+
￥4.97
30+
￥4.4
100+
￥3.65
500+
￥3.31
1000+
￥3.13

有货

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型号：IPD034N06N3G 编号：C94897

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.38
30+
￥4.71
100+
￥4.05
500+
￥3.5

有货

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型号：IPB160N04S4-H1 编号：C536562

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道。增强模式。 AEC 认证。 MSL1 最高可达 260℃ 峰值回流温度。 175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS 标准）。超低导通电阻。 100% 雪崩测试

数据手册

1+
￥7.3
10+
￥6.65
30+
￥6.24
100+
￥5.82
500+
￥5.63
1000+
￥5.55

有货

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型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。